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MBR60100PT-ASEMI大電流肖特基MBR60100PT

型號(hào)：MBR60100PT

品牌：ASEMI

封裝：TO-247

電性參數(shù)60A 100V

正向電流：60A

反向耐壓：100V

引腳數(shù)量：3

芯片個(gè)數(shù)：2

芯片尺寸：150MIL

封裝尺寸：如圖

特性：大電流、肖特基

浪涌電流：500A

工作溫度：-65~+175℃

肖特基原理：

肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向?yàn)锽→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢壘。

ASEMI全系列封裝圖

ASEMI半導(dǎo)體廠家-強(qiáng)元芯電子專業(yè)經(jīng)營分離式元器件，主要生產(chǎn)銷售整流橋系列封裝（DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU）；整流模塊（MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF）；汽車整流子（25A～50A STD&TVS Button、Cell、MUR）；肖特基二極管TO-220（MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封）；肖特基TO-3P/247，整流二極管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、開關(guān)管、穩(wěn)壓管)；玻璃鈍化（GPP）六英寸晶圓等，各種封裝參數(shù)在ASEMI官網(wǎng)都有詳細(xì)介紹。