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6N65-ASEMI高品質(zhì)MOS管6N65

2021-10-28 11:06 作者:木子源野  | 我要投稿

編輯:ll

6N65-ASEMI高品質(zhì)MOS管6N65

型號(hào):6N65

品牌:ASEMI

封裝:TO-220

電流:6A

電壓:650V

正向電壓:

引腳數(shù)量:3

芯片個(gè)數(shù):

芯片尺寸:

漏電流:

特性:場(chǎng)效應(yīng)管

工作溫度:-55~+150℃

6N65的電性參數(shù):最大正向平均電流6A;最大反向峰值電壓650V

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說(shuō),就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說(shuō),ID流經(jīng)通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結(jié)反偏的變化,產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,表示的過(guò)渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?,根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng),源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切斷。


6N65-ASEMI高品質(zhì)MOS管6N65的評(píng)論 (共 條)

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