從無到有,徹底搞懂MOSFET講解(九)
通過對(duì)上面回路的分析,我們認(rèn)為,對(duì)于互補(bǔ)輸出電路來說,下管關(guān)閉期間,上管瞬間導(dǎo)通,導(dǎo)致下管GS出現(xiàn)干擾,有可能下管誤導(dǎo)通。比如說,下管的導(dǎo)通閾值是4.5V。如果干擾波形的幅值小于4.5V,這個(gè)是安全的。
誤觸發(fā)信號(hào)受哪些因素影響:
1、控制信號(hào)和Id電流回路太大;
2、地線的干擾影響;
3、GS阻抗的影響;
4、MOSFET本身特性的影響。
選擇MOS管的考量因素:
1、高壓管子:
AC120V ?DC170V以上的管子,建議使用高閾值的管子。
2、低壓管子:
a)大電流:用高閾值
b)小電流:用低閾值
接下來分析,在死區(qū)期間,下管導(dǎo)通是什么樣的回路。
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下管導(dǎo)通瞬間,上管是關(guān)閉的。那么下管導(dǎo)通瞬間,是發(fā)生在下管的Rdson從無窮大到很小的過程中的。
那么下管突然導(dǎo)通,M點(diǎn)的電壓肯定會(huì)被拉低,既然被拉低,必然有一個(gè)回路存在。如下圖所示:
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當(dāng)下管開通瞬間,會(huì)產(chǎn)生上面這條回路。必然對(duì)上管的柵極電壓產(chǎn)生影響,也會(huì)導(dǎo)致在平臺(tái)期間上管出現(xiàn)誤觸發(fā)。所以,要選擇高閾值的管子更好一些。
總結(jié)性結(jié)論:
1、開通慢,關(guān)斷快。
2、盡量選擇高閾值的管子。
3、選擇低閾值的管子。(消費(fèi)類玩具等行業(yè),低壓小功率場(chǎng)合)
4、選擇合適的平臺(tái)寬度。
平臺(tái)太寬,波形好,但是發(fā)熱大;
平臺(tái)太窄,波形不好,產(chǎn)生干擾,發(fā)熱更大。