氮化鎵、GaN指氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導體材料的代表之一，具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高、直接帶隙、擊穿電場高等性質。

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氮化鎵器件主要包括射頻器件和電力電子器件，射頻器件產品包括功率放大器和開關器等，主要面向基站衛(wèi)星、軍用雷達等市場；電力電子器件產品包括場效應晶體管等產品，主要應用于無線充電、電源開關和逆變器等市場。

GaN器件分類

資料來源：共研網(wǎng)整理

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GaN功率器件包括SBD、常關型FET、級聯(lián)FET等產品，主要應用于無線充電件、電源開關、逆變器、交流器等領域。隨著技術水平的進步與成本控制，GaN材料將在中低功率取代硅基功率器件，在300V~600V電壓間發(fā)揮優(yōu)勢作用。GaN器件的體積將顯著降低：由于導通電阻小、可在高溫環(huán)境下共奏以及效應速度快，器件體積將顯著降低。

氮化鎵功率器件在部分場景的效率改善情況

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中國GaN功率半導體市場較小，但增長迅速。2015年中國GaN功率半導體市場規(guī)模0.11億元，2021年市場規(guī)模達到1.88億元。

2015-2022年中國GaN功率半導體市場規(guī)模走勢圖

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GaN材料禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿電場高、飽和電子遷移速率高，在應用上可以做到高擊穿電壓、耐高溫、低導通損耗、高輸出功率以及低成本，在電力電子、微波通信、光伏逆變、照明等應用領域具有另外2代材料無法比擬的優(yōu)勢，具有重大的戰(zhàn)略意義，相信在不久的將來GaN作為第3代半導體材料中優(yōu)秀代表會得到更廣泛的應用。

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