Nano Lett.|二維MOene: 從超導(dǎo)體到直接半導(dǎo)體與Weyl費(fèi)米子
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研究摘要
傳統(tǒng)MXene材料為二維過(guò)渡金屬碳化物,氮化物或碳氮化物。由于MXene材料具有優(yōu)異的機(jī)械、電子性質(zhì),且呈現(xiàn)豐富的化學(xué)組分及表面功能化調(diào)控空間,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能量,電子,催化,生物醫(yī)學(xué),傳感等領(lǐng)域。目前理論預(yù)測(cè)的MXene結(jié)構(gòu)多達(dá)100多種,實(shí)驗(yàn)上具有明確化學(xué)計(jì)量比的MXene也超過(guò)了40多種。在MXene蝕刻過(guò)程中,通常利用表面官能團(tuán)鈍化裸露的MXene,從而顯著調(diào)控其物理和化學(xué)特性。不同表面終端官能團(tuán)修飾的MXene具有不同的電子性質(zhì),包括高導(dǎo)電性金屬、半金屬、半導(dǎo)體與(拓?fù)洌┙^緣狀態(tài)。然而,具有直接帶隙的半導(dǎo)體MXene結(jié)構(gòu)卻十分稀少,僅僅只有Sc2C(OH)2, Y2C(OH)2, 和Cr2TiC2(OH)2,極大地限制了MXene材料在光電領(lǐng)域的應(yīng)用。
為解決上述科學(xué)問(wèn)題,廣泛調(diào)研發(fā)現(xiàn)二維的Tl2O是一個(gè)具有高載流子遷移率的直接半導(dǎo)體材料,但Tl元素的有毒性和稀缺性,嚴(yán)重限制了它的實(shí)際應(yīng)用。我們基于地球含量豐富且對(duì)環(huán)境友好的Ti元素,設(shè)計(jì)了兩種二維過(guò)渡金屬氧化物MOene材料,即2H-和1T-Ti2O單層。理論模擬顯示它們具有高的動(dòng)力學(xué)和機(jī)械穩(wěn)定性,且通過(guò)進(jìn)一步的表面鹵化調(diào)控,2H-和1T-Ti2OX2(X=F, Cl和Br)表現(xiàn)為半導(dǎo)體特征,其中Ti2OF2和Ti2OCl2為直接半導(dǎo)體,Ti2OBr2為間接半導(dǎo)體,它們的帶隙值在0.58-1.18 eV。此外,體相的1T-Ti2O早在1970年就已經(jīng)被合成,最近,通過(guò)熔鹽法和脈沖激光沉積技術(shù)也得到了具有高導(dǎo)電性的1T-Ti2O金屬薄膜。進(jìn)一步可以通過(guò)類(lèi)似的沉積或用冷凍水分子來(lái)分層1T-Ti2O薄膜來(lái)來(lái)制備。鹵化的MOene是理想半導(dǎo)體材料,擴(kuò)展了傳統(tǒng)MXene材料在光電領(lǐng)域的應(yīng)用。
成果簡(jiǎn)介
近日,電子科技大學(xué)物理學(xué)院周柳江教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)高通量結(jié)構(gòu)搜索和第一性原理計(jì)算相結(jié)合,設(shè)計(jì)了兩種二維過(guò)渡金屬氧化物MOene材料,即2H-和1T-Ti2O單層。它們具有高的動(dòng)力學(xué)和機(jī)械穩(wěn)定性,且Bardeen–Cooper–Schrieffer理論證明是二維超導(dǎo)體。通過(guò)進(jìn)一步的表面鹵化調(diào)控,2H-和1T-Ti2OX2(X=F, Cl和Br)表現(xiàn)為半導(dǎo)體特征,其中Ti2OF2和Ti2OCl2為直接半導(dǎo)體,它們的帶隙值在0.58-1.18 eV?;诙囿w理論,通過(guò)考慮激子效應(yīng),發(fā)現(xiàn)它們?cè)诩t外和可見(jiàn)光波段具有優(yōu)異的光吸收能力,可用于光電探測(cè)與太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。除此之外,應(yīng)力工程對(duì)受對(duì)稱(chēng)性保護(hù)的單層2H-Ti2OF2和Ti2OCl2可誘導(dǎo)量子相變,在較小應(yīng)力下可觀察二維pseudospin-1和Weyl費(fèi)米子。在此基礎(chǔ)上,通過(guò)非絕熱分子動(dòng)力學(xué)模擬,發(fā)現(xiàn)2H-和1T-Ti2OF2的載流子有效壽命可達(dá)到0.39和2.8納秒,比肩主流的二維半導(dǎo)體材料。這項(xiàng)研究工作擴(kuò)展了類(lèi)MXene材料中的新興量子物理現(xiàn)象,為下一代光電材料與器件研究提供新的候選材料。
該成果在線發(fā)表于國(guó)際頂級(jí)期刊Nano Letters?(影響因子11.19) 上,題目為:Two Dimensional MOene: From Superconductors to Direct Semiconductors and Weyl Fermions。燕羅為本文第一作者。
圖文導(dǎo)讀

圖1.?MOene晶體結(jié)構(gòu)的俯視圖和側(cè)視圖。(a) 2H-Ti2O,(b)1T-Ti2O,(c) 2H-Ti2OX2和1T-Ti2OX2(X=F, Cl, Br)的結(jié)構(gòu)。
圖2.?以Ti-3d軌道投影的能帶圖。(a) 2H-Ti2O自旋向上的能帶圖和態(tài)密度。(b)2H-Ti2OF2和(c)1T-Ti2OF2的能帶圖及光學(xué)躍遷。

圖3.?2H-Ti2OF2的量子相變過(guò)程。(a-c)?在三種典型雙軸應(yīng)變下的能帶圖。(d)在雙軸應(yīng)變作用下的相變過(guò)程示意圖。量子相變過(guò)程中產(chǎn)生的兩種新穎費(fèi)米子(e)二維pseudospin-1費(fèi)米子和二維 Weyl費(fèi)米子。

圖4.?考慮激子效應(yīng)的光吸收。(a) 2H-Ti2OF2和(c)基于G0W0+RPA 和G0W0+BSE方法計(jì)算的1T-Ti2OF2的宏觀極化的虛部。(b) 2H-Ti2OF2和(d)1T-Ti2OF2中激子分布的俯視圖。

圖5.?載流子壽命擬合。?(a) 2H-Ti2OF2和(b)1T-Ti2OF2的價(jià)帶頂和導(dǎo)帶底的電荷分布。2H-Ti2OF2和1T-Ti2OF2的(c) 光譜密度和(d, e)以熱電子占據(jù)數(shù)擬合的載流子壽命。
總結(jié)
本文設(shè)計(jì)和分析了2H-和1T-Ti2O MOene,基于Bardeen–Cooper–Schrieffer超導(dǎo)理論,表面它們都是本征二維超導(dǎo)體,超導(dǎo)溫度分別為9.8和4.7 K,高于大部分已報(bào)道的傳統(tǒng)MXene超導(dǎo)體。它們的電子結(jié)構(gòu)特征與表面終端官能團(tuán)密切相關(guān),氟化和氧化的Ti2O表現(xiàn)為半導(dǎo)體特性,而氫化和羥基化后表現(xiàn)為半金屬特征。特別是氟化后的2H-和1T-Ti2O均為直接半導(dǎo)體,帶隙約為1eV,可適用于光電領(lǐng)域。因此,我們系統(tǒng)地的研究了鹵化的Ti2O結(jié)構(gòu),即2H-和1T-Ti2OF2?(X=F, Cl, Br,I)。當(dāng)考慮激子效應(yīng)時(shí),它們?cè)诩t外和可見(jiàn)光區(qū)域都有著不錯(cuò)的光吸收,可適用于紅外探測(cè)和太陽(yáng)能電池材料。而且2H-和1T-Ti2OX2的激子束縛能比較小,有利于載流子的分離。此外,可通過(guò)合適的應(yīng)力調(diào)控,在2H-Ti2OF2和Ti2OCl2中可產(chǎn)生新穎的費(fèi)米子:二維pseudospin-1費(fèi)米子和二維 Weyl費(fèi)米子?;诜墙^熱分子動(dòng)力學(xué),2H-和1T-Ti2OF2的載流子壽命能達(dá)到納秒級(jí)別,比肩主流的二維半導(dǎo)體材料,表明它們?cè)诠怆姾凸夥I(lǐng)域有著不錯(cuò)的應(yīng)用前景。這項(xiàng)工作極大拓寬傳統(tǒng)MXene材料的范圍,并為未來(lái)具有多功能的二維MOene材料的合理設(shè)計(jì)提供線索。
文獻(xiàn)鏈接
https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acs.nanolett.2c01914
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特別鳴謝本文作者的大力支持
研究團(tuán)隊(duì)簡(jiǎn)介
周柳江教授帶領(lǐng)的光物質(zhì)相互作用與光學(xué)晶體團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期致力于光電子晶體材料與器件、半導(dǎo)體材料與物理、光-物質(zhì)相互作用、計(jì)算凝聚態(tài)物理、計(jì)算材料、機(jī)器學(xué)習(xí)等方面的研究。曾先后主持電子科技大學(xué)杰出人才、國(guó)家海外引進(jìn)杰出人才、四川省科技廳、中央高校基本科研業(yè)務(wù)、重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題及美國(guó)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室引導(dǎo)研究與發(fā)展基金等多個(gè)項(xiàng)目。在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)會(huì)議上作大會(huì)和特邀報(bào)告30余次,主辦國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議2次。
課題組還從微觀層面系統(tǒng)設(shè)計(jì)了系列二維量子材料,包括B2O、MSi2N4?(M = Ta and Nb)、MC (M = Ti, Zr, Hf)、MX (M = Cu, Ag, Au; X = Cl, Br, I), ZrX2?(X = Cl, Br, and I)等,它們?cè)诔瑢?dǎo)、可充放電電池負(fù)極材料、量子剪裁、光電探測(cè)、形狀記憶、太陽(yáng)能電池、量子輸運(yùn)等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用價(jià)值,相關(guān)工作分別發(fā)展在npj Comput. Mater., Nanoscale,?J. Phys. Chem. Lett., Appl. Phys. Lett.等國(guó)際高水平SCI期刊上。
課題組鏈接:
https://www.x-mol.com/groups/zhou_liujiang? ? ???
論文鏈接:?https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acs.nanolett.2c01914
https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0091726??
https://www.nature.com/articles/s41524-020-00365-9?
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpclett.0c03138
https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acs.jpclett.1c01958
https://doi.org/10.1039/D1NR05560G