今日，韓國(guó) SK 海力士宣布推出全球首款 DDR5 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品。這款 16GB DDR5 內(nèi)存采用 1Y nm 制程 (相當(dāng)于 14nm 至 16nm)，從 2018 年開(kāi)始研發(fā)。經(jīng)過(guò)各種驗(yàn)證及相容性測(cè)試后，目前已在市場(chǎng)推出。

DDR5 是新一代的 DRAM 標(biāo)準(zhǔn)，與目前普及的 DDR4 相比，有更快的速度及更高的密度，且耗能更低。設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適合用于大數(shù)據(jù)、AI 人工智能，以及機(jī)器學(xué)習(xí)等各個(gè)領(lǐng)域。SK 海力士 DDR5 最新顆粒，資料傳輸速率可達(dá) 4800Mbps 至 5600Mbps，較 DDR4 快 1.8 倍。 DDR5 的 1.1V 工作電壓比 DDR4 的 1.2V 更低，更節(jié)能環(huán)保。

SK 海力士表示，自 2018 年 11 月宣布開(kāi)發(fā)全球首批 16 Gb DDR5 DRAM 以來(lái)，該公司已為包括英特爾在內(nèi)的主要合作伙伴提供了樣品產(chǎn)品，并完成了各種功能和兼容性測(cè)試和驗(yàn)證，已驗(yàn)證了其 DDR5 DRAM 模塊上的主要組件（包括 RCD 的兼容性）以及 PMIC 電源管理等。

SK 海力士表示該公司的 DDR5 DRAM 具備偵錯(cuò)更正功能（ECC），可自行偵測(cè)并更正單一位元錯(cuò)誤。這也使得采用該公司 DDR5 DRAM 的系統(tǒng)，在執(zhí)行上的可靠度可望提升 20 倍之多。利用直通硅穿孔 (TSV) 封裝技術(shù)，容量最高可達(dá)到 256GB。

SK 海力士的行銷長(zhǎng) Oh Jong-hoon 表示，他們會(huì)聚焦在成長(zhǎng)迅速的高端服務(wù)器市場(chǎng)，以鞏固在服務(wù)器 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。SK 海力士表示在與英特爾 (INTC-US) 等多家廠商的密切合作下，推出了 DDR5 DRAM，產(chǎn)品經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)實(shí)驗(yàn)室及系統(tǒng)層級(jí)測(cè)試，同時(shí)也與 SoC 廠商進(jìn)行驗(yàn)證。英特爾數(shù)據(jù)平臺(tái)事業(yè)部副總裁 Carolyn Duran 表示，他們與 SK 海力士共同合作設(shè)計(jì)和測(cè)試產(chǎn)品原型，以確保 DDR5 達(dá)到性能目標(biāo)，也為共同客戶做好充分準(zhǔn)備。

JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)）于 2020 年 7 月初發(fā)布了 DDR5 標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Omdia 預(yù)計(jì)，DDR5 的需求將在 2021 年開(kāi)始激增，到 2022 年將占到全球 DRAM 市場(chǎng)總數(shù)的 10%，到 2024 年將增長(zhǎng)至 43%。