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DHE1M在SOD-123封裝里采用的1個芯片，其尺寸都是50MIL，是一款高效恢復(fù)二極管。DHE1M的浪涌電流Ifsm為30A，漏電流(Ir)為10uA，其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。DHE1M采用GPP硅芯片材質(zhì)，里面有1顆芯片組成。DHE1M的電性參數(shù)是：正向電流(Io)為1A，反向耐壓為1000V，正向電壓(VF)為1.7V，反向恢復(fù)時間（trr）為100NS，其中有2條引線。

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DHE1M參數(shù)描述

型號：DHE1M

封裝：SOD-123

特性：高效恢復(fù)二極管

電性參數(shù)：1A 1000V

芯片材質(zhì)：GPP硅芯片

正向電流(Io)：1A

芯片個數(shù)：1

正向電壓(VF)：1.7V

芯片尺寸：50MIL

浪涌電流Ifsm：30A

漏電流(Ir)：10uA

反向恢復(fù)時間（trr）：100NS

工作溫度：-55~+150℃

引線數(shù)量：2

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DHE1M貼片封裝系列。它的本體長度為2.8mm，加引腳長度為3.7mm，寬度為1.8mm，高度為1.1mm，腳寬度為1.0mm。

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以上就是關(guān)于DHE1M-ASEMI高效恢復(fù)二極管DHE1M的詳細介紹。ASEMI產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：開關(guān)電源、LED照明、集成電路、移動通訊、計算機、工業(yè)自動化控制設(shè)備、汽車電子以及液晶電視、IoT、智能家居、醫(yī)療儀器、 電磁爐等大小家電。