轉自：半導體行業(yè)觀察

在全球范圍內(nèi)，作為EUV光刻機的唯一供應商，ASML(阿斯麥爾)在業(yè)內(nèi)受到的關注度越來越高，特別是以臺積電為代表的先進制程發(fā)展得風生水起的當下，ASML的重要性與日俱增。

本周，ASML發(fā)布了2021第四季度和全年財報，內(nèi)容是一如既往的亮眼。該公司2021年第四季度營收為50億歐元，凈利潤為18億歐元，毛利率54.2%，新增訂單金額71億歐元，其中，26億歐元來自0.33 NA（數(shù)值孔徑）和0.55 NA EUV系統(tǒng)訂單；2021年全年營收達186億歐元，其中，63億歐元來自于42臺EUV系統(tǒng)，全年凈利潤59億歐元，毛利率52.7%。

ASML還公布了2022年第一季度財測，預估營收凈額約33億到35億歐元，預估2022全年的營收凈額可比2021年增長約20%。

EUV光刻機重要性愈加凸出

EUV光刻機的波長比現(xiàn)有的氟化氬 (ArF) 曝光短1/14，這有利于實現(xiàn)半導體最先進制程的實現(xiàn)。近年來，對10nm以下先進制程的需求不斷增長，也增加了EUV曝光設備的供應。由于EUV設備加工復雜，ASML年產(chǎn)量也很小。最近，ASML 正專注于提高其產(chǎn)能和供應量。

由于市場對最先進制程工藝的需求增加和客戶群的擴大，EUV光刻機供應的數(shù)量將持續(xù)增長。預計兩年內(nèi)累計供應量將增加一倍以上。

據(jù)統(tǒng)計，在2020年第三季度~2021年第二季度這四個季度內(nèi)，ASML共向市場出貨了40 臺EUV設備，比前四個季度（2019年第三季度~2020年第二季度）的24臺增長了66%。

具體來看，7nm~5nm邏輯芯片（以每月45000片晶圓計算）需要一臺 EUV 設備來繪制一個EUV層。16nm以下DRAM（以每月10萬片計算）一層需要1.5~2臺EUV設備。作為全球最大的存儲芯片供應商，三星電子計劃將14nm DDR5 DRAM 的 EUV 應用層數(shù)從 1 層增加到5層，而SK海力士也計劃增加EUV應用層數(shù)，這些將推動對EUV設備需求的增長。

另外，繼三星電子在2018年首次引入 7nm 工藝的 EUV 設備后，臺積電和 SK 海力士也進入了 EUV 競爭，市場規(guī)模一直在擴大，因為美國的美光和英特爾也在推動引入 EUV 設備。

對于這樣的市場需求，ASML首席執(zhí)行官 Peter Wennink表示，“我們計劃2022年將EUV設備的產(chǎn)量增加到55臺，并在2023年增加到60臺?！?兩年后，將有超過240臺EUV設備投入市場，超過迄今為止的累計供應量。

新版本EUV光刻機呼之欲出

目前，每臺EUV設備都有超過 100,000 個零組件，它們需要40個貨運集裝箱或四架大型噴氣式飛機來運輸，每個價值約1.4億美元。

為了滿足不斷進化的先進制程，ASML正在研發(fā)更先進的EUV光刻機，主要體現(xiàn)在高NA上。

與目前的EUV設備相比，更高NA意味著更大、更昂貴且更復雜。高NA設備具有更高的分辨率，這將使芯片特征縮小1.7倍，芯片密度增加2.9倍。這可以使客戶減少流程步驟的數(shù)量，還可以顯著減少缺陷、成本和芯片生產(chǎn)周期。

新的EUV設備，其NA值將從0.33 提升至0.55，以實現(xiàn)更高分辨率的圖案化。

據(jù)悉，第一臺高NA設備仍在開發(fā)中，預計2023年開始提供搶先體驗，以便芯片制造商可以開始試驗并學習如何使用它?？蛻艨梢栽?024年將它們用于自己的研發(fā)，從2025 年開始，這些高NA的EUV設備有望用于芯片量產(chǎn)。

更高的NA值允許在機器內(nèi)部產(chǎn)生更寬的EUV光束，然后再照射晶圓。該光束越寬，照射晶圓時的強度就越大，從而提高打印線條的準確度。這反過來又可以實現(xiàn)更小的幾何形狀和更小的間距，從而增加密度。

ASML的新設備將允許芯片制造商制造2nm及以下制程的芯片。

不過，高NA設備意味著高昂的價格，據(jù)悉，每臺NA值為0.55的EUV設備價格將達到3 億美元，是現(xiàn)有EUV設備的兩倍，并且，它還需要復雜的新鏡頭技術。

目前，制造先進制程（如5nm、3nm）芯片的廠商不得不依賴雙重或三重圖案技術，這很耗時，而使用高NA EUV設備，他們能夠在單層中打印這些特征，從而縮短周轉時間并提高工藝靈活性。

先進EUV爭奪戰(zhàn)打響

EUV光刻機，特別是最新設備的客戶是臺積電、三星、英特爾、SK海力士和美光，目前來看，前三家對于ASML產(chǎn)能的爭奪愈演愈烈。

上周，臺積電公布其資本支出高達400億到440億美元，且首度揭露用于2nm先進制程投資，這也意味臺積電在2nm有重大突破，并下單采購高NA的EUV，以投入2nm研發(fā)及試產(chǎn)。臺積電供應鏈透露，臺積電內(nèi)部規(guī)劃2nm試產(chǎn)部隊將于今年第四季度正式成軍。

據(jù)悉，臺積電已經(jīng)獲得了目前市場上供應的EUV設備的一半。臺積電擁有約50臺EUV設備。鑒于EUV設備的獨家供應體系，快速確保設備安全將成為三星和SK海力士等半導體制造商面臨的挑戰(zhàn)。

有消息顯示，三星也在緊急搶購一臺高NA EUV，并要ASML直接拉到三星工廠內(nèi)進行測試，創(chuàng)下ASML直接出貨到客戶廠內(nèi)再測試的首例，可見臺積電與三星在先進制程競賽的激烈程度。

三星表示，該公司將于2022上半年推出3nm制程，三星電子副會長李在镕假釋出獄后，立即宣布未來3年投入240兆韓元(約2050億美元) ，鞏固該公司在后疫情時代科技產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢地位，稱該公司下一代制程節(jié)點3nm制程采用GAA（Gate-All-Around）技術不會輸給競爭對手臺積電。

三星強調(diào)，與5nm制程相比，其首顆3nm制程GAA工藝芯片面積將縮小35%，性能提高 30% 或功耗降低 50%。三星稱其3nm制程良率正在逼近4nm制程，預計2022 年推出第一代3nm 3GAE技術，2023年推出新一代3nm 3GAP技術，2025年2nm 2GAP 制程投產(chǎn)。這些對先進EUV設備的需求將不斷提升。

目前，三星正在搶購更多的EUV光刻機，以縮小與臺積電之間的數(shù)量差距。據(jù)統(tǒng)計，截止2020年，臺積電的EUV光刻機數(shù)量約40臺，三星則是18臺左右，不到臺積電的一半。預計2022年三星會購入大概18臺EUV光刻機，拉近與臺積電之間的數(shù)量差距，總數(shù)將達到臺積電的60%左右。

根據(jù)臺積電年報信息，3nm基于EUV技術展現(xiàn)優(yōu)異的光學能力，與符合預期的芯片良率，以減少曝光機光罩缺陷及制程堆棧誤差，并降低整體成本，2nm及更先進制程上將著重于改善極紫外光技術的質量與成本。

臺積電積極與ASML緊密合作，不僅取得EUV設備數(shù)量有優(yōu)勢，其設備技術的開發(fā)致關重要，這也是其能超越三星、英特爾的關鍵原因之一。

英特爾也在加大先進EUV設備的投入。

2021年，英特爾宣布重返晶圓代工市場，并在同年7月正式宣布推出先進制程技術藍圖，計劃在未來4年推出5個新世代芯片制程技術，并宣布將原本的10 nm Enhanced SuperFin正名為Intel 7，原先的7nm正名為Intel 4，之后分別為Intel 3、Intel 20A、Intel 18A 等，也就是說2025年就會達到2nm制程的領域，目標是趕超臺積電。

為了實現(xiàn)這一目標，英特爾在爭奪ASML最先進EUV光刻機方面不遺余力。

本周，英特爾宣布領先于臺積電和三星訂購了ASML的TWINSCAN EXE:5200光刻機。這是ASML正在開發(fā)的高NA EUV光刻機，單臺價格將達到3億美元。據(jù)悉，其吞吐量超每小時220片晶圓。按照ASML的規(guī)劃，TWINSCAN EXE:5200最快將于2024年底投入使用，用于驗證，2025年開始用于芯片量產(chǎn)。

四年前，英特爾也是第一個下單ASML第一代0.55 NA光刻機EXE:5000的公司。

和0.33NA光刻機相比，0.55NA的分辨率從13nm升級到8nm，可以更快更好地曝光更復雜的集成電路圖案，突破0.33NA單次構圖32nm到30nm間距的極限。EXE:5000有望率先用于3nm制程，EXE:5200則很可能用于英特爾未來的20A或者18A制程。

結 語

2022年，隨著3nm制程的量產(chǎn)，市場對先進EUV光刻機的需求量進一步提升，未來的2nm、1nm，以及更先進制程不斷迭代，為更先進EUV設備的研發(fā)提供著動力，同時難度也在不斷增加，產(chǎn)量恐怕會愈加吃緊，相應的設備爭奪戰(zhàn)將會更加激烈。

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