編輯-Z

二極管US1G是由半導(dǎo)體材料制成的電子器件。US1G具有單向?qū)щ娦裕串?dāng)二極管正負(fù)極加正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通。當(dāng)向陽極和陰極施加反向電壓時(shí)，二極管截止。因此，US1G二極管的通斷相當(dāng)于開關(guān)的通斷

?

US1G參數(shù)描述

型號(hào)：US1G

封裝：SMA

特性：小電流、貼片

電性參數(shù)：1A? ?400V

芯片材質(zhì)：GPP

正向電流(Io)：1A

正向電壓(VF)：1.3V

浪涌電流Ifsm：30A

漏電流(Ir)：5uA

工作溫度：-55~+150℃

恢復(fù)時(shí)間(Trr)：50ns

引線數(shù)量：2

?

US1G的伏安特性

當(dāng)正向電壓施加到US1G二極管，電壓值小時(shí)，電流極?。划?dāng)電壓超過0.6V時(shí)，電流開始呈指數(shù)增加，通常稱為二極管US1G的開啟電壓；當(dāng)電壓達(dá)到0.7V左右時(shí)，二極管處于全導(dǎo)通狀態(tài)，這個(gè)電壓通常稱為二極管US1G的導(dǎo)通電壓

?

US1G的正向特性

當(dāng)施加正向電壓時(shí)，在正向特性開始時(shí)，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)中電場(chǎng)的阻塞效應(yīng)，正向電流幾乎為零，該部分稱為死區(qū)。這種不能使二極管US1G導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓時(shí)，PN結(jié)中的電場(chǎng)被克服，二極管導(dǎo)通，電流隨著電壓的增加而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi)，二極管導(dǎo)通時(shí)的端電壓幾乎保持不變。該電壓稱為US1G的正向電壓。

?

US1G的反向特性

當(dāng)施加的反向電壓不超過一定范圍時(shí)，通過US1G的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)形成的反向電流。由于反向電流很小，二極管US1G處于關(guān)斷狀態(tài)。這種反向電流也稱為反向飽和電流或漏電流；二極管US1G的反向飽和電流受溫度影響很大。

?

US1G的擊穿特性

當(dāng)施加的反向電壓超過一定值時(shí)，反向電流會(huì)突然增加。這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。二極管在電擊穿期間失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而過熱，則單向?qū)щ娦钥赡懿粫?huì)被永久破壞。去除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因此，在使用過程中應(yīng)避免對(duì)二極管US1G施加過高的反向電壓。