簡單的講講內(nèi)存相關(guān)的技術(shù)常識(shí)

關(guān)鍵詞：內(nèi)存 DRAM SDRAM DDR 世代 標(biāo)壓 低壓 頻率 位寬 顯存 RAMDISK 顆粒 時(shí)序 工藝 容量 通道數(shù) ECC 專用條 RAMDISK

首先關(guān)于內(nèi)存

什么是內(nèi)存？

是手機(jī)內(nèi)存嗎？

內(nèi)存(Memory)被稱為內(nèi)存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器，作用是暫時(shí)存放CPU或者GPU（顯存）的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外存交換數(shù)據(jù)。對(duì)應(yīng)手機(jī)的運(yùn)存

作為用戶你應(yīng)該知道：內(nèi)存是電腦數(shù)據(jù)交換的中間載體，容量在經(jīng)濟(jì)實(shí)力允許的情況下應(yīng)適度擴(kuò)大，但是仍然有其他參數(shù)會(huì)影響內(nèi)存性能不能說單看容量越大就越好

內(nèi)存條應(yīng)該盡可能成對(duì)，最好成對(duì)的內(nèi)存容量頻率等參數(shù)完全相等（建議用兩條一樣的內(nèi)存條），實(shí)在不相等也沒辦法湊合用吧，內(nèi)存成對(duì)使用能有效改善系統(tǒng)性能（雖然沒有換CPU效果來的明顯）。

內(nèi)存在選擇的時(shí)候要注意有翻新條和假條，這點(diǎn)注意避開幾個(gè)重災(zāi)區(qū)就可以避免。

1.內(nèi)存的原理

和固態(tài)硬盤閃存用晶體管的開關(guān)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)不同，內(nèi)存是依靠電容器充電儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的。DRAM的結(jié)構(gòu)每bit只需一個(gè)晶體管加一個(gè)電容。這樣的機(jī)制讓內(nèi)存的速度能達(dá)到相當(dāng)快的水平。足以用作存放CPU的臨時(shí)數(shù)據(jù)。但是電容不可避免的存在漏電現(xiàn)象，會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)出錯(cuò)，因此電容必須周期性的刷新（預(yù)充電），斷電丟失數(shù)據(jù)。電容的充放電需要一個(gè)過程，刷新頻率不可能無限提升

2.現(xiàn)代內(nèi)存技術(shù)

其實(shí)在最初的個(gè)人電腦上是沒有內(nèi)存條的，內(nèi)存是直接以DIP芯片的形式安裝在主板的DRAM插座上面，需要安裝8到9顆這樣的芯片，容量只有64KB到256KB，要擴(kuò)展相當(dāng)困難。FPM是Fast Page Mode(快頁模式)的簡稱,是較早的PC機(jī)普遍使用的內(nèi)存,它每隔3個(gè)時(shí)鐘脈沖周期傳送一次數(shù)據(jù)。直到80286的出現(xiàn)硬件與軟件都在渴求更大的內(nèi)存，只靠主板上的內(nèi)存已經(jīng)不能滿足需求了，于是內(nèi)存條就誕生了

其實(shí)直到今天也有很多電腦都在用主板板載內(nèi)存，手機(jī)平板也一樣，基本都是板載內(nèi)存，要更換非常麻煩

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。早期的內(nèi)存頻率與CPU外頻是不同步的，是異步DRAM。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（synchronous dynamic random-access memory，簡稱SDRAM）是有一個(gè)同步接口的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）。通常DRAM是有一個(gè)異步接口的，這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入的變化。而SDRAM有一個(gè)同步接口，在響應(yīng)控制輸入前會(huì)等待一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，這樣就能和計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)總線同步。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DIMM全稱Dual-Inline-Memory-Modules，中文名叫雙列直插式存儲(chǔ)模塊，它提供了64位的數(shù)據(jù)通道。與SIMM(single in-line memory module不同的是DIMM的金手指兩端不像SIMM那樣是互通的，它們各自獨(dú)立傳輸信號(hào)，因此更快?，F(xiàn)代的內(nèi)存都是DDR SARAM內(nèi)存，也都是DIMM的。也就意味著金手指如果有一個(gè)損壞的話內(nèi)存條都會(huì)有很大問題。

筆記本內(nèi)存SO-DIMM（Small Outline DIMM Module）的尺寸比標(biāo)準(zhǔn)的DIMM要小很多，而且引腳數(shù)也不相同。而且更貴，然而可以通過轉(zhuǎn)接卡與臺(tái)式機(jī)內(nèi)存互轉(zhuǎn)。

3.內(nèi)存發(fā)展簡史

DDR內(nèi)存時(shí)至今日已經(jīng)四代了，顯卡用的GDDR顯存也已經(jīng)六代了。在DDR內(nèi)存之前，內(nèi)存還有一代SDRAM，所以一共是經(jīng)歷了五代內(nèi)存、七代顯存（SGRAM(Synchronous Graphics Random-Access Memory)，同步圖形隨機(jī)存儲(chǔ)器，是一種專為顯卡設(shè)計(jì)的顯存、一種圖形讀寫能力較強(qiáng)的顯存，由SDRAM改良而成）。

每一代內(nèi)存世代的提升，都代表著更快的內(nèi)存速度和更低的工作電壓。

內(nèi)存的速度可以用帶寬這個(gè)參數(shù)表示

4.帶寬

之前我們講顯卡的時(shí)候應(yīng)該說過顯卡的顯存看速度也就是帶寬而不是看容量的是吧。GT610就是真的上了4T顯存依然是非常蔡的顯卡，這點(diǎn)除了核心之外顯存的速度也能決定。內(nèi)存看作是與CPU之間的倉庫。顯然，內(nèi)存的容量決定“倉庫”的大小，而內(nèi)存的帶寬決定“倉庫門”的大小，相比之下，內(nèi)存速度提高比單純?cè)龃笕萘繉?duì)內(nèi)存的實(shí)際應(yīng)用更為有利。

帶寬作為標(biāo)識(shí)總線和內(nèi)存性能的指標(biāo)，指的是單位時(shí)間內(nèi)可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)總量，等于位寬與工作頻率的乘積。所以之前才會(huì)說買顯卡一定要先看顯存位寬，為什么GT610顯存2G還是依然蔡，因?yàn)樗@存位寬只有64bit，然而多少年前用DDR內(nèi)存作顯存連GDDR都沒用上的RADEON 9550都用上了128bit的位寬，所以說GT610才會(huì)那么蔡

DDR SDRAM可在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳送兩次數(shù)據(jù)，DDR數(shù)據(jù)傳輸速度為系統(tǒng)鐘頻率的兩倍，能在選通脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)。DDR2的數(shù)據(jù)傳輸速度為系統(tǒng)時(shí)鐘頻率的四倍，DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速度為系統(tǒng)時(shí)鐘頻率的8倍

5.內(nèi)存世代一覽

電壓越來越低，內(nèi)存速度（頻率和帶寬）越來越高

SDRAM 3.3V，已經(jīng)不是初代SIMM時(shí)代內(nèi)存的5V電壓了 頻率66 100 133

DDR1 2.5V，頻率200 266 333 400

DDR2 1.8V，頻率400 533 667 800

DDR3 1.5V，頻率800 1066 1333 1600 還有2133

DDR3L 1.35V，頻率同上

DDR4 1.2V 頻率2133 2666 3200，然而如今市場各種神奇的頻率比如什么3000 4000的內(nèi)存都能看得見，作為垃圾佬感覺非常迷惑（@迷惑行為大賞），反正撿垃圾的咱只知道DDR2基本都是800的，DDR3都是1333的，加錢還能上1600的，沒見過2133的

并不是什么時(shí)候先進(jìn)的就是好的，選用產(chǎn)品的時(shí)候還是要考慮實(shí)際應(yīng)用環(huán)境，符合需求的才是最好的 DDR2又不是不能用

5.1低壓內(nèi)存條

順帶說下，低壓內(nèi)存條的概念。從DDR3L開始，出現(xiàn)了低壓條的概念。其實(shí)按咱的理解低壓內(nèi)存條其實(shí)就是體質(zhì)比較好的顆粒做出來的內(nèi)存條，在更低電壓下也能保證正常工作性能可靠，在標(biāo)壓也一樣能正常工作。咱的筆記本就是標(biāo)稱DDR3但是實(shí)際上用DDR3L也沒問題的。

DDR4暫且還沒出現(xiàn)低壓條，估計(jì)顆粒廠的生產(chǎn)工藝還沒達(dá)到能產(chǎn)出比1.2V大幅降低電壓還能正常工作的DRAM顆粒

實(shí)際上，DDR4的高頻條上面說的那種4000頻率的妖條電壓一般都不低，以為這種條也能工作在1.2V想多了，很多高頻DDR4內(nèi)存都要加到1.35V甚至1.5V。

雖然過渡性產(chǎn)品同時(shí)支持高世代和低世代的內(nèi)存，但是并不是什么時(shí)候先進(jìn)的就是好的

無論是牙膏廠還是農(nóng)企在內(nèi)存換代的時(shí)候都出現(xiàn)過兼容性問題，當(dāng)年牙膏廠剛上ddr4的時(shí)候的兼容性問題可不是點(diǎn)不亮了 是不僅燒條子，連cpu內(nèi)部控制器都給你燒了，直接當(dāng)場GG。所以咱群的垃圾佬都是找支持3代內(nèi)存的妖板然后上新款U，還可以不用成為WIN10的受害者，豈不美哉？作為垃圾佬，對(duì)待新產(chǎn)品自然都是這樣的態(tài)度。他強(qiáng)由他強(qiáng),清風(fēng)拂山岡?，F(xiàn)在市場上群魔亂舞關(guān)我啥事，我只是撿垃圾的。你們買回去蔡雞硬件送BUG燒條燒板子燒U關(guān)咱啥事，過幾年咱撈底收的時(shí)候基本蔡的硬件都炸的差不多了，只有大浪淘沙經(jīng)過時(shí)間洗禮之后才能看得出來什么東西是真的能用得住的。

此外，還有LPDDR，Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR SDRAM的一種，又稱為 mDDR(Mobile DDR SDRAM)

最早剛剛出現(xiàn)安卓手機(jī)的時(shí)候，手機(jī)用的就是LPDDR，后來和DDR一樣，LPDDR也開始出現(xiàn)世代的更新，采用新世代內(nèi)存的手機(jī)即使內(nèi)存容量不大性能也高于老世代內(nèi)存的手機(jī)?，F(xiàn)在的手機(jī)內(nèi)存同樣到了LPDDR4的時(shí)代，然而作為一個(gè)垃圾佬，撿的華為P9卻是LPDDR3內(nèi)存版本的3+32G……只有4G內(nèi)存版的才是LPDDR4，然而3G又不是不能用，同樣的3+32就是比小米流暢，甚至還能和4+64肛一肛

LPDDR 1.8V

LPDDR2 1.2V

LPDDR3 1.2V

LPDDR4 1.1V

比DDR更低電壓，更適合移動(dòng)使用

其實(shí)有意思的是之前的WINDOWS平板，那個(gè)原計(jì)劃改NAS電視盒的Z8300板子就是標(biāo)稱LPDDR3實(shí)際上用的是DDR3L的內(nèi)存，在我看來其實(shí)DDR3L比LPDDR3更好，畢竟DDR3L是DDR內(nèi)存一脈相傳的內(nèi)存，雖然電壓低些但是性能基本是和普通內(nèi)存持平的，LPDDR就不好說了 省那點(diǎn)電真的不如多來點(diǎn)性能別讓內(nèi)存成為瓶頸對(duì)我意義大。

GDDR

GDDR數(shù)據(jù)速率上更高，適合顯示圖像這種需要大數(shù)據(jù)量傳輸而對(duì)時(shí)延不太敏感的場合

和SGRAM相似，GDDR5和GDDR4一樣基于DDR3 SDRAM改造而來，基本存儲(chǔ)器架構(gòu)和DDR3相似,降低了電壓，減少了位寬但支持更多通道。其特點(diǎn)是高帶寬、高延時(shí)。GDDR5使用了DQ并行雙數(shù)據(jù)總線，相當(dāng)于提供了在GDDR3的基礎(chǔ)上多加了一條通道，采用時(shí)鐘頻率分離的設(shè)計(jì)，地址與命令總線采用其中一組時(shí)鐘頻率信號(hào)，而數(shù)據(jù)總線則采用另外獨(dú)立的一組，且為地址與命令總線時(shí)鐘頻率的兩倍。所以GDDR5的理論速度可達(dá)GDDR3/GDDR4的兩倍。通過數(shù)據(jù)編碼和讀寫線分開提高了數(shù)據(jù)速率（3G~6GT/s）。GDDR5已經(jīng)使用了將近10年。

（順帶說下，GT240仍然有DDR3和GDDR3 GDDR5幾個(gè)版本，顯存類型直接決定了顯卡的性能。此外，GT610的2G顯存是DDR3的）

就算1T也是蔡雞

6.雙通道內(nèi)存

我們之前提到了內(nèi)存的工作機(jī)制是在內(nèi)存控制器的控制下與CPU和外存交換數(shù)據(jù)。內(nèi)存控制器（早期一般位于主板北橋芯片中，現(xiàn)在都在CPU內(nèi)部集成）決定了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所能使用的最大內(nèi)存容量、內(nèi)存BANK數(shù)、內(nèi)存類型和速度、內(nèi)存顆粒數(shù)據(jù)深度和數(shù)據(jù)寬度等，以前內(nèi)存控制器外置的時(shí)候，同樣的CPU上不同的主板內(nèi)存就可以有截然不同的性能體驗(yàn)（如奔騰M同時(shí)支持DDR和DDR2，英特爾775平臺(tái)或者AMD AM2+也同樣同時(shí)支持DDR2和DDR3），如今，內(nèi)存控制器全部內(nèi)置在CPU中，而且控制器的數(shù)量一般都是兩個(gè)以上。

內(nèi)存控制器個(gè)頭比U還大

雙通道內(nèi)存就是兩個(gè)內(nèi)存控制器同時(shí)工作，理論上內(nèi)存帶寬加倍了，速度自然更快。通常大多數(shù)時(shí)候雙通道內(nèi)存需要物理上兩根及以上的內(nèi)存條支持，然而，現(xiàn)在一些計(jì)算機(jī)也可以在只有一根內(nèi)存條的情況下執(zhí)行雙通道模式。當(dāng)年在CPU性能飆升的時(shí)候，內(nèi)存著實(shí)成了性能的瓶頸，英特爾和AMD憑借雙通道內(nèi)存技術(shù)成功的打破了瓶頸，這才算是完事。

6.1對(duì)稱雙通道和彈性雙通道

早期的支持雙通道內(nèi)存平臺(tái)最早是在奔騰4的年代，后來AMD出了AM2之后把內(nèi)存控制器放在了CPU里，當(dāng)然也支持雙通道內(nèi)存。然而早期的AM2平臺(tái)支持雙通道只是有條件的支持，同樣是DDR2內(nèi)存的話兩根能雙通道4G插三根就只能單通道6G，不支持彈性非對(duì)稱雙通道技術(shù)。雖然后來到了AM2+之后也整出來了個(gè)單通道+，但是內(nèi)存最好還是要容量相等對(duì)稱使用。其實(shí)四個(gè)內(nèi)存條插槽的主板最好是1根2根或者4根，不要三根。四個(gè)內(nèi)存插槽只對(duì)應(yīng)兩路內(nèi)存控制器，還是有點(diǎn)問題的。兩個(gè)內(nèi)存插槽的主板性能就相對(duì)穩(wěn)定得多。

在非對(duì)稱雙通道模式下，兩個(gè)通道的內(nèi)存容量可以不相等（圖4），而組成雙通道的內(nèi)存容量大小取決于容量較小的那個(gè)通道。例如A通道有1GB內(nèi)存，B通道有2GB內(nèi)存，則A通道中的1GB和B通道中的1GB組成雙通道，B通道剩下的1GB內(nèi)存仍工作于單通道模式下。

故事：

在286、386和早期的486電腦里，CPU的頻率不是太高，和內(nèi)存保持一樣的頻率。后來隨著CPU頻率的飛速提升，內(nèi)存無法達(dá)到CPU的頻率。這時(shí)就提出CPU的主頻、倍頻和外頻的概念，外頻顧名思義就是CPU外部的頻率，也就是內(nèi)存的頻率，CPU以這個(gè)頻率來與內(nèi)存通信。CPU的主頻就是CPU內(nèi)部的實(shí)際運(yùn)算頻率，主頻肯定是比外頻高的，高一定的倍數(shù)，這也就是倍頻。例如一顆奔3 933MHZ的CPU，外頻133，也就是說它的前端總線是133MHZ，內(nèi)存工作頻率也是133。

到了奔騰4工作模式發(fā)生了改變。奔騰4 CPU采用了Quad Pumped（4倍并發(fā)）技術(shù)可以使系統(tǒng)總線在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳送4次數(shù)據(jù)，相當(dāng)于用了4條原來的前端總線來和內(nèi)存聯(lián)系。在外頻仍然是133MHZ的時(shí)候，前端總線的速度增加4倍變成了133X4=533MHZ，當(dāng)外頻升到200MHZ，前端總線就變成了800MHZ，他們的實(shí)際外頻只有133和200，但由于人們保留了以前老的概念——前端總線就是外頻，所以習(xí)慣了這樣的叫法：533外頻的P4和800外頻的P4。其實(shí)還是叫533前端總線或533 FSB的P4比較合適。

那內(nèi)存呢？外頻等于前端總線了，那外頻還等于內(nèi)存的頻率嗎？內(nèi)存發(fā)展到了DDR1，之前也說過一個(gè)時(shí)鐘周期可以傳送雙倍的數(shù)據(jù)，在133MHZ的外頻下，DDR的傳輸速度是266，外頻提高到200MHZ的時(shí)候，DDR的傳輸速度是 400。再看一下現(xiàn)在外頻、內(nèi)存頻率、CPU的前端總線的的關(guān)系。在以前P3 的時(shí)候，133的外頻，內(nèi)存的頻率就是133，CPU的前端總線也是133，完全相等。P4的CPU，在133的外頻下，前端總線達(dá)到了 533MHZ，內(nèi)存頻率是266（DDR266）。問題出現(xiàn)了，前端總線是CPU與內(nèi)存發(fā)生聯(lián)系的橋梁，P4這時(shí)候的前端總線達(dá)到533MHZ，而內(nèi)存只有266的頻率，內(nèi)存比前端總線慢了一半，理論上CPU有一半時(shí)間要等內(nèi)存?zhèn)鲾?shù)據(jù)過來才能處理數(shù)據(jù)，等于內(nèi)存拖了CPU的后腿。于是提出雙通道內(nèi)存的概念，兩條內(nèi)存使用雙內(nèi)存控制器兩條通道一起工作，速度增加一倍，兩條DDR266 就有266X2=533的速度，剛好是P4的前端總線速度，外頻提升到200的時(shí)候，CPU前端總線變?yōu)?00，兩條DDR400內(nèi)存組成雙通道，內(nèi)存速度也達(dá)到800 了。所以要P4一定要用雙通道內(nèi)存。

但是后來內(nèi)存頻率提升了也始終趕不上CPU的頻率，所以雙通道內(nèi)存就一直保留下來了。

此外自80486CPU起，在CPU的內(nèi)部也設(shè)計(jì)有高速緩存。CPU內(nèi)部集成了SRAM緩存，緩存物理上離CPU更近，讀取速度也比內(nèi)存更快。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Static Random-Access Memory）所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電就不會(huì)丟數(shù)據(jù)，而內(nèi)存的DRAM需要周期性刷新。然而，SRAM斷電仍然會(huì)丟數(shù)據(jù)，功耗比DRAM大（可以通過增加后備電源的方法獲得基于RAM的永久儲(chǔ)存器）

目前常見的CPU緩存最多有三級(jí)，通常L2或L3容量較大，L1比較小但是更重要。

高速緩沖存儲(chǔ)器最重要的技術(shù)指標(biāo)是它的命中率，其實(shí)大小還真的沒那么重要。L9300二級(jí)緩存6M，真正干起活來還是P8600性能更強(qiáng)

FSB(front side bus)這個(gè)參數(shù)也挺影響CPU的性能，同樣是45NM的U，1066FSB的25W的P8400都可以吊打35W 800總線的T8300,而且這樣的性能正好卡在了能流暢解碼1080P HEVC的邊上，過去800總線Penryn死活都卡的解碼任務(wù)，1066FSB的U就能干，你說你氣不氣

唯一的缺點(diǎn)是一般用1066總線U的本子都標(biāo)配了DDR3的內(nèi)存插槽，所以撿垃圾的角度來說內(nèi)存的價(jià)格是真的吃屎，但是性能的提升來看這一切都是值得的。這年頭1066總線芯片組平臺(tái)的本子也就200塊錢左右，如果是奔騰U就換個(gè)P8800二十多塊錢再忍痛花個(gè)幾十加4G內(nèi)存運(yùn)行也很流暢了，至少影音的娛樂需求是夠用的，換個(gè)新刻錄光驅(qū)30多塊錢沒事下點(diǎn)電影順帶刻盤或者看看家里以前的老DVD盤都行。

RAMDISK

內(nèi)存盤是利用RAM虛擬一部分空間作為外存使用的一種玩法，因?yàn)橹耙舱f過DRAM利用電容器作為儲(chǔ)存信息的載體所以速度特別快，因此利用一部分內(nèi)存作為外存可以有效解決外存速度不足的問題

圖吧工具箱里面有個(gè)魔方內(nèi)存盤，用ddr4 2667單通道就可以完爆pm961 256g

內(nèi)存實(shí)際讀寫速度比這個(gè)快的多 內(nèi)存盤有很大性能損失

雖然ramdisk讀寫很好看，但關(guān)機(jī)丟失。服務(wù)器可以這么做是因?yàn)榉?wù)器不關(guān)機(jī)，而且只是放熱點(diǎn)數(shù)據(jù)，家用機(jī)沒有ECC長期開機(jī)RAM數(shù)據(jù)會(huì)損壞。

7.內(nèi)存標(biāo)號(hào)讀法

例:PC3L-12800：內(nèi)存的頻率和帶寬信息，PC3L代表其使用DDR3L規(guī)格，低壓條。內(nèi)存顆粒物理實(shí)際頻率是400MHz，因?yàn)槭荄DR3類的內(nèi)存所以它的等效頻率就是1600MHz，換句話說，這款內(nèi)存顯示的頻率是DDR3L-1600，這也是我們平時(shí)買內(nèi)存時(shí)所知道的常用參數(shù)。而12800指的是按bit位計(jì)算的帶寬。因?yàn)?byte=8bit，即一個(gè)字節(jié)等于八位二進(jìn)制位（這點(diǎn)在計(jì)算網(wǎng)速的時(shí)候常被寬帶運(yùn)營商利用單位差距導(dǎo)致看起來寬帶帶寬很大）。8*1600MHz=12800

CPU-Z可以檢測內(nèi)存的詳細(xì)信息，包括時(shí)序

8.內(nèi)存頻率和時(shí)序

之前我們說過，不同世代的內(nèi)存有不同的頻率，之前也列出來了，內(nèi)存本身的頻率是不高的，但是由于技術(shù)的升級(jí)內(nèi)存的速度得到加強(qiáng)，等效頻率由低到高逐步提高。

和CPU一樣，內(nèi)存的頻率或者等效頻率的提高，也能直接提升內(nèi)存性能

所以給內(nèi)存買回來超頻，也成了圖吧的日常（雖然我作為圖吧垃圾佬從來不超內(nèi)存就是了，DDR2燒冒煙也跑不到1600）

超頻的話需要考慮時(shí)序這個(gè)參數(shù)，時(shí)序越低延遲就越低。所以很多高頻的內(nèi)存條賣得反而便宜是因?yàn)闀r(shí)序高。時(shí)序從本質(zhì)上反應(yīng)了顆粒體質(zhì)，雖然頻率高，時(shí)序會(huì)提高

內(nèi)存時(shí)序（英語：Memory timings或RAM timings）是描述同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）性能的四個(gè)參數(shù)：CL、TRCD、TRP和TRAS，單位為時(shí)鐘周期。它們通常被寫為四個(gè)用破折號(hào)分隔開的數(shù)字。

所以買回來內(nèi)存可以用CPUZ看看時(shí)序確定內(nèi)存體質(zhì)，然后再?zèng)Q定是否超頻。作為圖吧垃圾佬，其實(shí)拆機(jī)條買回來就是為了能用的，別說超內(nèi)存，超CPU都很少。

內(nèi)存時(shí)序?qū)?nèi)存性能的影響不如頻率直接，然而過大的時(shí)序也側(cè)面反映了內(nèi)存的體質(zhì)不佳，因此時(shí)序這個(gè)參數(shù)仍然是不可忽略的

進(jìn)階的時(shí)序設(shè)置的教程我們這里就不放了，過會(huì)兒我放ACFUN里面（主要是我作為垃圾佬怎么可能會(huì) 撿來的垃圾內(nèi)存超冒煙了可沒人保修）

9.AMD專用條和ECC內(nèi)存

這個(gè)作為垃圾佬就非常擅長了，關(guān)于AMD專用條的問題。

AMD專用條相比普通內(nèi)存便宜一半，那么它能用嗎？當(dāng)然能，不能誰買啊

當(dāng)初英特爾在制定內(nèi)存顆粒標(biāo)準(zhǔn)的時(shí)候規(guī)定了家用機(jī)內(nèi)存要采用8bit位寬的顆粒，英特爾的內(nèi)存控制器（早年位于主板北橋后來位于CPU）也只支持這樣的內(nèi)存顆粒，至少家用機(jī)都是這樣的。而AMD專用內(nèi)存采用的是服務(wù)器拆機(jī)的ECC內(nèi)存上的4bit顆粒，比正常的內(nèi)存少一半。然而AMD的CPU內(nèi)置的內(nèi)存控制器還是能識(shí)別并支持服務(wù)器拆機(jī)顆粒組的內(nèi)存條的。畢竟還是農(nóng)企，為農(nóng)民插上致富的翅膀 又不是不能用

服務(wù)器內(nèi)存ECC內(nèi)存是非常便宜的，這年頭AMD專用條8G都得80的時(shí)候，ECC REG服務(wù)器內(nèi)存居然16G 99包郵：

（是真的便宜，我枯了）

ECC是“Error Correcting Code”的簡寫，中文名稱是“錯(cuò)誤檢查和糾正”。ECC是一種能夠?qū)崿F(xiàn)“錯(cuò)誤檢查和糾正”的技術(shù)，ECC內(nèi)存就是應(yīng)用了這種技術(shù)的內(nèi)存，一般多應(yīng)用在服務(wù)器及圖形工作站上，這將使整個(gè)電腦系統(tǒng)在工作時(shí)更趨于安全穩(wěn)定。用了這種技術(shù)的內(nèi)存之后，CPU才能用作大型模型渲染、科學(xué)運(yùn)算等場合。解釋了為什么大佬組運(yùn)算中心的時(shí)候都會(huì)選服務(wù)器平臺(tái)，因?yàn)榧矣脵C(jī)的應(yīng)用來說內(nèi)存出錯(cuò)并不會(huì)造成什么太大的影響，然而在真正涉及到精密運(yùn)算的時(shí)候就需要保證一定不能出錯(cuò)了。

在ECC技術(shù)出現(xiàn)之前，內(nèi)存中應(yīng)用最多的是另外一種技術(shù)，就是Parity（奇偶校驗(yàn)），在內(nèi)存中不帶“奇偶校驗(yàn)”的內(nèi)存中的每個(gè)字節(jié)只有8位，若它的某一位存儲(chǔ)出了錯(cuò)誤，就會(huì)使其中存儲(chǔ)的相應(yīng)數(shù)據(jù)發(fā)生改變而導(dǎo)致應(yīng)用程序發(fā)生錯(cuò)誤。帶有“奇偶校驗(yàn)”的內(nèi)存在每一字節(jié)（8位）外又額外增加了一位用來進(jìn)行錯(cuò)誤檢測。問題是：當(dāng)內(nèi)存查到某個(gè)數(shù)據(jù)位有錯(cuò)誤時(shí)，卻并不一定能確定在哪一個(gè)位，也就不一定能修正錯(cuò)誤，所以帶有奇偶校驗(yàn)的內(nèi)存的主要功能僅僅是“發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤”，并不能糾正部分簡單的錯(cuò)誤。ECC與Parity（奇偶校驗(yàn)）不同的是如果數(shù)據(jù)位是8位，則需要增加5位來進(jìn)行ECC錯(cuò)誤檢查和糾正，數(shù)據(jù)位每增加一倍，ECC只增加一位檢驗(yàn)位，也就是說當(dāng)數(shù)據(jù)位為16位時(shí)ECC位為6位，32位時(shí)ECC位為7位，數(shù)據(jù)位為64位時(shí)ECC位為8位，依此類推，數(shù)據(jù)位每增加一倍，ECC位只增加一位。ECC能夠容許錯(cuò)誤，并可以將錯(cuò)誤更正，使系統(tǒng)得以持續(xù)正常地操作，不致因錯(cuò)誤而中斷，因此普遍被服務(wù)器平臺(tái)采用。這種技術(shù)可以有效防止內(nèi)存中的數(shù)據(jù)出錯(cuò)，因此可以用ECC內(nèi)存做RAMDISK而不用擔(dān)心數(shù)據(jù)跑飛

此外CPU內(nèi)部的SRAM也是ECC的

這種安全機(jī)制其實(shí)自己搞單片機(jī)的時(shí)候也遇到過類似的，比如看門狗

在由單片機(jī)構(gòu)成的微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，由于單片機(jī)的工作常常會(huì)受到來自外界電磁場的干擾，造成各種寄存器和內(nèi)存的數(shù)據(jù)混亂，會(huì)導(dǎo)致程序指針錯(cuò)誤，不在程序區(qū)，取出錯(cuò)誤的程序指令等，都會(huì)陷入死循環(huán)，程序的正常運(yùn)行被打斷，由單片機(jī)控制的系統(tǒng)無法繼續(xù)正常工作，會(huì)造成整個(gè)系統(tǒng)的陷入停滯狀態(tài)，發(fā)生不可預(yù)料的后果。 看門狗從本質(zhì)上來說就是一個(gè)定時(shí)器電路，一般有一個(gè)輸入和一個(gè)輸出，輸出一般連接到另外一個(gè)部分的復(fù)位端，一般是連接到單片機(jī)。 看門狗的功能是定期的查看芯片內(nèi)部的情況，一旦發(fā)生錯(cuò)誤就向芯片發(fā)出重啟信號(hào)?？撮T狗命令在程序的中斷中擁有最高的優(yōu)先級(jí)。

10.關(guān)于單面條和雙面條還有馬甲條的概念

單面條和雙面條相比，同樣容量下因?yàn)樯倭艘话氲念w粒，所以顆粒的容量自然也就提高了。一般都是先有雙面條，后有單面條。所以一些老主板或者老BIOS不支持單面條但是支持雙面條。普通內(nèi)存用的是8bit顆粒，一面8個(gè)內(nèi)存顆粒，合計(jì)64bit，稱為1rank；雙面的128bit，稱為2rank。筆記本條也有8顆粒和16顆粒之分，像有些老平臺(tái)就只支持16顆粒的大容量內(nèi)存條（比如D525要想上4G內(nèi)存條必須要16顆粒的標(biāo)壓條，2G就隨便找個(gè)8顆粒的只要是標(biāo)壓條也能用）

也就是說，不考慮顆粒穩(wěn)定性的前提下，雙面16顆粒條兼容性更好，理論速度更高（顆粒多），但是實(shí)際上可能由于顆粒多木桶效應(yīng)倒是實(shí)際性能并不好，這個(gè)反正我倒是沒感覺出來，又不是不能用。

事實(shí)上，在多條內(nèi)存的時(shí)候單雙面雖然可以混插但是或多或少的給人不穩(wěn)定的感覺，我反正每次死機(jī)都懷疑是內(nèi)存條，后來換上了同樣的單面條或者雙面條都沒有出現(xiàn)這種問題。

馬甲條是套著一層金屬外殼的內(nèi)存,相比普通內(nèi)存條其實(shí)就是多了個(gè)金屬外殼用了散熱。，一般這種條表示其可以超頻體質(zhì)較好，實(shí)際上怎么回事也只有誰用誰知道了。其實(shí)馬甲是可以拆下來安在別的條上的。一般馬甲條即使撿垃圾拆機(jī)也會(huì)比普通條貴上五分之一到三分之一，但是貴在穩(wěn)定性好，一般這種條體質(zhì)應(yīng)該不會(huì)太差，所以電腦上了相比上最便宜的肯定是不容易死機(jī)的。其實(shí)AMD平臺(tái)還是AMD專用條最香，至于家用機(jī)也很少用得上ECC REG內(nèi)存的，不然那肯定是有REG內(nèi)存就上了，比AMD條還便宜

11.內(nèi)存品牌

目前世界上有三大SDRAM顆粒制造商：南朝鮮的三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，及美國的美光科技(Micron Technology)。三者壟斷超過90%的全球市場，包括PC RAM、手機(jī)RAM和服務(wù)器RAM。另外，以上三大公司及日本東芝壟斷了全球90%的NAND閃存顆粒市場，這種顆粒主要用來制造U盤、SD卡和SSD。

作為垃圾佬，二手條其實(shí)就行。很多像什么三星的金士頓的內(nèi)存其實(shí)市面上的都是假的。此外，像金士頓之類的牌子自己沒有顆粒，都是買的別的廠家的顆粒自己組裝的內(nèi)存，隨時(shí)可能被掐脖子斷供或者供給質(zhì)量欠佳的內(nèi)存顆粒，這樣內(nèi)存條的質(zhì)量就可想而知了……

總之，內(nèi)存方面條件允許還是盡可能要用好的，雖然拆機(jī)的或者說假的又不是不能用。買內(nèi)存優(yōu)先挑選自己有顆粒生產(chǎn)線的品牌（雖然作為垃圾佬對(duì)三星深惡痛絕就是了但是撿垃圾的時(shí)候其實(shí)也沒少上 筆記本基本除了海力士就三星，臺(tái)式機(jī)渣士頓和國產(chǎn)雜牌對(duì)半），十銓的東西我反正用過一兩回?fù)?jù)說評(píng)價(jià)還行我不知道。作為中國人，很高興看到市面上出現(xiàn)了國產(chǎn)顆粒的內(nèi)存和SSD固態(tài)硬盤，將來如果有機(jī)會(huì)真的想買個(gè)從CPU到內(nèi)存全國產(chǎn)的電腦。

再說一句內(nèi)存的工藝吧，其實(shí)現(xiàn)在大規(guī)模集成電路的時(shí)代集成電路早就不像咱想象的那樣是成形的元件了。這么說吧，一個(gè)硅晶圓在光刻機(jī)下怎么加工就是什么東西。進(jìn)去的是晶圓，出來的可能是音響功放、51單片機(jī)、內(nèi)存顆粒、NAND閃存、CPU、也有可能就是個(gè)NE555。不是咱想象的造內(nèi)存要有個(gè)內(nèi)存的生產(chǎn)線，閃存要有閃存的生產(chǎn)線，其實(shí)現(xiàn)在能造閃存就能造內(nèi)存顆粒。所以看到有國產(chǎn)的閃存出來的時(shí)候，咱就要想國產(chǎn)CPU、國產(chǎn)SSD了。

和已經(jīng)基本物理極限將屆的機(jī)械硬盤和受到漏電制約工藝進(jìn)步的NAND不一樣，DRAM現(xiàn)在仍然在高歌猛進(jìn)，走進(jìn)10nm的工藝，和CPU肩并肩。

最后提一句：

由于手機(jī)的CPU和GPU都共享內(nèi)存帶寬，加上近年來AI芯片的興起，對(duì)手機(jī)內(nèi)存帶寬的要求變得越來越高，促進(jìn)了LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)的制定和實(shí)施。

LPDDR5的電壓和LPDDR4X一樣是1.1V（估計(jì)還是卡工藝瓶頸了），信號(hào)電壓250mV，但閑置狀態(tài)能降低40%的電流，可大幅降低功耗。

LPDDR5還引入Data-Copy和Write-X兩個(gè)新的指令，Data-Copy指令可指示LPDDR5將單個(gè)I/O引腳上傳輸?shù)臄?shù)據(jù)復(fù)制到其他I/O引腳，提升數(shù)據(jù)傳輸?shù)男?Write-X指令可將全1或全0寫入到特定地址，無需將數(shù)據(jù)從SoC發(fā)送到LPDDR5，這個(gè)新指令將有效降低整體系統(tǒng)功耗。

此外，LPDDR5還針對(duì)汽車等相關(guān)市場的需求，引入ECC糾錯(cuò)功能。

技術(shù)總在不斷更新，作為垃圾佬看那些一直在買最新的人就像是在夸父追日，永遠(yuǎn)追不上時(shí)代的前沿但是卻總是不知進(jìn)退。在這樣物欲橫流的時(shí)代，做一個(gè)佛系的垃圾佬沒事?lián)鞊炖粌砂賶K錢買過去幾萬元的東西，感覺也是挺好的。

100塊錢大戰(zhàn)GTA5教程（INTEL775方案）更新預(yù)定，估計(jì)明天之前就能更完

以上