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一文讀懂電子束蒸發(fā)鍍膜

2023-08-14 14:33 作者:芯片智造  | 我要投稿


電子束蒸發(fā)(Electron Beam Evaporation)是物理氣相沉積的一種形式,其中待蒸發(fā)材料被來自帶電鎢絲的電子束轟擊,當(dāng)電子束撞擊目標(biāo)材料時(shí),它的能量轉(zhuǎn)化為熱能,使目標(biāo)材料達(dá)到蒸發(fā)的狀態(tài),并將其轉(zhuǎn)化為氣態(tài),在高真空室中,這些蒸發(fā)的原子或分子隨后沉積在基板上形成薄膜。


電子束工作原理:

1.首先,通過一個(gè)電子槍生成一個(gè)高能電子束。電子槍一般包括一個(gè)發(fā)射電子的熱陰極(通常是加熱的鎢絲)和一個(gè)加速電子的陽極。電子槍的工作是通過電場和磁場將電子束引導(dǎo)并加速到目標(biāo)材料。


2.電子束撞擊目標(biāo)材料,將其能量轉(zhuǎn)化為熱能,使目標(biāo)材料加熱到蒸發(fā)溫度。

3.蒸發(fā)的材料原子或分子在真空中飛行到基板表面,并在那里冷凝,形成薄膜。因?yàn)檫@個(gè)過程在真空中進(jìn)行,所以蒸發(fā)的原子或分子在飛行過程中基本不會(huì)與其他氣體分子相互作用,這有助于形成高質(zhì)量的薄膜。


4.電子束的能量和焦點(diǎn)可以通過調(diào)整電子槍的電壓和磁場來控制,從而允許對(duì)沉積過程進(jìn)行精細(xì)的控制。例如,可以通過調(diào)整電子束的能量來控制蒸發(fā)的速度,通過調(diào)整電子束的焦點(diǎn)來控制蒸發(fā)區(qū)域的大小。


電子束蒸發(fā)的優(yōu)勢

它通過電子束將能量直接轉(zhuǎn)移到要蒸發(fā)的目標(biāo)材料,使其成為高熔點(diǎn)金屬的理想選擇。電子束蒸發(fā)可以產(chǎn)生顯著更高的沉積速率——從每分鐘 0.1 納米到每分鐘 100 納米——從而產(chǎn)生更高密度的薄膜涂層,增加對(duì)基材的附著力。


與其他低成本的 PVD 工藝相比,電子束蒸發(fā)還具有非常高的材料利用效率。電子束系統(tǒng)僅加熱目標(biāo)源材料,而不是整個(gè)坩堝,從而降低了坩堝的污染程度。通過將能量集中在目標(biāo)而不是整個(gè)真空室上,它有助于減少對(duì)基板造成熱損壞的可能性。


可以使用多坩堝電子束蒸發(fā)器在不破壞真空的情況下應(yīng)用來自不同目標(biāo)材料的幾層不同涂層,使其很容易適應(yīng)各種剝離掩模技術(shù)。


如何控制電子束?

一般有兩種手段:電磁聚焦、電磁對(duì)準(zhǔn)

電磁聚焦是使用磁場來聚集和集中電子束的過程。在電子束蒸發(fā)中,電子槍生成的電子束需要被聚焦到一個(gè)小的區(qū)域(即目標(biāo)材料),以提高其能量密度并實(shí)現(xiàn)高效的蒸發(fā)。這通常通過在電子槍周圍放置一個(gè)磁場來實(shí)現(xiàn),這個(gè)磁場會(huì)使電子束沿著特定的路徑(通常是螺旋形)移動(dòng),從而聚焦到目標(biāo)材料。

電磁對(duì)準(zhǔn)是使用磁場來改變和控制電子束的方向的過程。在電子束蒸發(fā)中,可能需要改變電子束的方向,以確保它準(zhǔn)確地撞擊到目標(biāo)材料。這通常通過調(diào)整電子槍周圍的磁場來實(shí)現(xiàn),這個(gè)磁場會(huì)使電子束沿著特定的路徑移動(dòng),從而改變其方向。

如何實(shí)時(shí)測量膜層厚度?

在蒸鍍過程中,石英晶體控制(Quartz Crystal Control)是一種常用的技術(shù),用于精確測量和控制薄膜的厚度。它基于石英晶體微平衡器的原理,這是一種高精度的質(zhì)量測量設(shè)備。石英晶體微平衡器的工作原理是基于石英的壓電效應(yīng):當(dāng)石英晶體受到機(jī)械應(yīng)力時(shí),它會(huì)產(chǎn)生電壓;反之,當(dāng)石英晶體受到電場時(shí),它會(huì)發(fā)生機(jī)械形變。在石英晶體控制系統(tǒng)中,一塊石英晶體被設(shè)置為在特定頻率下振蕩。當(dāng)薄膜在石英晶體表面沉積時(shí),這將增加石英晶體的質(zhì)量,導(dǎo)致振蕩頻率下降。通過測量這種頻率變化,可以精確地計(jì)算出沉積薄膜的厚度。


電子束蒸發(fā)也有一些缺點(diǎn)。例如,一些材料可能不適合這種方法,因?yàn)樗鼈兛赡茉谡舭l(fā)過程中分解或發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。此外,電子束的定向性可能導(dǎo)致在基板上形成的薄膜的厚度不均勻,且電子束蒸發(fā)的設(shè)備通常比其他PVD技術(shù)更復(fù)雜和昂貴。

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