書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：晶體學(xué)的 P-GAN 濕法蝕刻

編號：JFKJ-21-258

作者：炬豐科技

摘要 ?

? 近年來，由于氮化鎵垂直功率器件的廣泛應(yīng)用，氮化鎵垂直功率器件受到越來越多的關(guān)注，在高擊穿電壓/高電流應(yīng)用中優(yōu)于橫向晶體管以及熱性能。溝槽刻蝕是實(shí)現(xiàn)高電壓溝槽基垂直GaN器件的關(guān)鍵技術(shù);由于電場擁擠導(dǎo)致設(shè)備初步故障。?

氮化鎵與Si

? 電力電子學(xué)是固體電子學(xué)在控制和控制方面的應(yīng)用。這些大多數(shù)載波設(shè)備更快，更堅固，有更高的電流 ，與少數(shù)運(yùn)營商的競爭對手相比，前者的利潤要高得多?硅一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的主要材料 。