書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：硅和sio2的濕式化學(xué)蝕刻

編號(hào)：JFKJ-21-280

作者：炬豐科技

硅和二氧化硅的濕化學(xué)蝕刻

硅是微電子學(xué)和微細(xì)力學(xué)中最常用的襯底材料。它不僅可用作無源襯底，也可用作電子或機(jī)械元件的有源材料。如本章所述，所需的圖案也可以通過濕化學(xué)蝕刻方法來實(shí)現(xiàn)。

腐蝕率

各向異性、絕對(duì)蝕刻速率和蝕刻的均勻性取決于兩種缺陷

合適的蝕刻面具??????略

蝕刻設(shè)備???略

硅的刻蝕速率?????略

Si: sio2的刻蝕選擇性

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