書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：硅襯底氮化鎵藍(lán)光 LED 發(fā)光特性研究

編號(hào)：JFKJ-21-308

作者：炬豐科技

【摘要】

???????氮化鎵在照明設(shè)備內(nèi)應(yīng)用，具有較高發(fā)光效率，進(jìn)而具有良好發(fā)展前景?，F(xiàn)階段，其中相對(duì)成熟工藝就是單晶硅，同時(shí)單晶硅價(jià)格相對(duì)低廉，可以生產(chǎn)大尺寸半導(dǎo)體材料。近幾年，研究人員致力于在硅襯底上應(yīng)用氮化鎵薄膜，并且有關(guān)工藝已經(jīng)較為成熟。本文在對(duì)硅襯底氮化鎵基藍(lán)光 LED 發(fā)光特性分析研究，就是希望可以為降低 LED 應(yīng)用經(jīng)濟(jì)成本提供提供一定依據(jù)。

【關(guān)鍵詞】 氮化鎵 硅襯底 藍(lán)光 LED 量子效率

單阱與多阱藍(lán)光 LED 發(fā)光特性對(duì)比

單阱與多阱藍(lán)光 LED 封裝樣品在應(yīng)用相同測(cè)試方法及儀器情況下，筆者得到了外量子效率變化曲線。藍(lán)光 LED 所接收到的電流密度在低于 0.2A/cm2 情況下，多阱藍(lán)光 LED 樣品 EQE 要小于單阱藍(lán)光 LED。

不同位置的壘摻硅 LED 的發(fā)光特性

2.1 樣品制備

2.2 樣品 PL 發(fā)光和 EL 發(fā)光對(duì)比

在對(duì)制備好的樣品進(jìn)行管芯測(cè)試完畢之后，計(jì)算不同測(cè)試結(jié)果平均數(shù)值，這樣管芯測(cè)試結(jié)果才具有較高可信度。

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2.3 封裝后樣品 EL 光特性

樣品在制備完畢之后，其中一個(gè)樣品進(jìn)行封裝處理。為了對(duì)比更加方便，在選擇最為接近發(fā)光波長(zhǎng)，保證區(qū)域選擇合理，進(jìn)而對(duì)樣品進(jìn)行 EL 譜測(cè)量。

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三、結(jié)論

硅襯底氮化鎵基藍(lán)光 LED 作為白光重要組成部分，在實(shí)際應(yīng)用中不僅具有較高發(fā)光效率，同時(shí)成本相對(duì)低廉。