一、IC老化問題

一般來說，IC (Intergrated Circuit) 老化由以下四種效應(yīng)之一造成：

1、EM (electron migration，電子遷移)

2、TDDB (time dependent dielectric breakdown，與時(shí)間相關(guān)電介質(zhì)擊穿)

3、NBTI (negative-bias temperature instability，負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性)

4、HCI (hot carrier injection，熱載流子注入)

1、為什么老化跟時(shí)間有關(guān)？

為什么電路速度會隨時(shí)間原來越慢呢？因?yàn)閿噫I是隨機(jī)發(fā)生，需要時(shí)間積累。另外，前面提到的斷裂的Si-H鍵是可以自己恢復(fù)的，所以基于斷鍵的老化效應(yīng)都有恢復(fù)模式。對于NBTI效應(yīng)來說，加反向電壓就會進(jìn)恢復(fù)模式；對于HCI效應(yīng)來說，停止使用就進(jìn)入恢復(fù)模式。但是這兩種方式都不可能長時(shí)間發(fā)生，所以總的來說，芯片是會逐漸老化的。

2、為什么老化跟溫度有關(guān)？

為什么電路速度跟溫度也有影響呢？溫度表示宏觀物體微觀粒子的平均動能。溫度越高，電子運(yùn)動越劇烈，Si?HSi?H鍵斷鍵幾率就大。

3、為什么加壓會加速老化？

為什么加壓有影響呢？同樣的晶體管，供電電壓越高偏移電壓越高，偏移電壓越高氫原子游離越快，等于壓制了自發(fā)的恢復(fù)效應(yīng)，自然老化就快了。

二、IC老化箱（老化柜）詳解

1、老化箱的作用，是給產(chǎn)品提供一個老化的環(huán)境溫度，這個是老化箱最基本的功能。

2、我們這個與老化箱要區(qū)別對待，傳統(tǒng)的認(rèn)知認(rèn)為，老化箱就是一個箱子，但是，如果是burn in ，那必須要有burn in 系統(tǒng)，也就是我們Burn in board，而整套系統(tǒng)最值錢、也是成本最高的，就是burn in board 這些。

3、burn in board 是給待測物提供電源最直接的一個載體，如果burn in board 不能給產(chǎn)品提供所需的、精準(zhǔn)的電源，那burn in 后的產(chǎn)品品質(zhì)是否可靠，這就是最大的差異。

4、要想給burn in board提供超可靠的電源，那電源模組又是特別重要的一個模塊，我們采用著名品牌的可變電源，結(jié)合burn in board 獨(dú)立電源管理系統(tǒng)，可持續(xù)、穩(wěn)定、帶保護(hù)的給產(chǎn)品提供精準(zhǔn)的電源，確保burn in的品質(zhì)。

5、我們burn in board 的獨(dú)立式電源設(shè)計(jì)，可調(diào)整電壓設(shè)計(jì)，可兼容性設(shè)計(jì)， 以及可延展的設(shè)計(jì)，為客戶的設(shè)備投入降本增效帶來實(shí)實(shí)在在的便利、以及成本的cost down

6、現(xiàn)在有的客戶的很低端的做法是買一個老化箱，burn in board 自己做（只是單純的通電版本），電源系統(tǒng)自己買市面上精度沒多高的電源再組裝起來，這樣的確整個成本就相對低，但是，品質(zhì)不敢保證，以及對于自己研發(fā)的能力也是一種考驗(yàn)。

芯片老化柜展示

三、IC老化測試座（由鴻怡電子-HMILU老化測試座提供案例）僅供參考

1、BGA324pin-1.0mm-19x19mm封裝芯片探針老化測試座

2、QFN16pin-0.5mm下壓式單面彈片老化測試座

3、LGA9pin-0.3875mm一拖六翻蓋探針老化測試座