早前我們曾報導(dǎo)過各家記憶體生製商已經(jīng)開始研發(fā)更高儲存密度的 PLC NAND 記憶體顆粒，而 PLC 記憶體的可達現(xiàn)時的 1.9 倍。對於廠商而言，QLC 的記憶體其實已成為主流了，而下一步就是要推動更低成本的 PLC。

而 Intel 在 NAND Flash lash 記憶體一直與 Micron 合作，但後期卻分道揚鑣了，他們最後合作的就是 96-Layer 3D 顆粒，分別有 TLC 及 QLC 兩種規(guī)格。而當(dāng)中?QLC 的容量更可達 1024 Gbit，換算下儲存密度達到 8.9 Gbit / mm2，為目前 3D NAND 記憶體中最高的水平。

而之後的 144-Layer 記憶體?Intel 則改為自行研發(fā)，因 Intel 與 Micron 所堅持的技術(shù)有所不同，前者堅持 FG 浮柵極技術(shù)，製造難度更高，但可靠性、效能更好。144-Layer 記憶體還是以 QLC 為主，但 Intel 其後將導(dǎo)入 PLC (即每 cell 5 個電荷)，進一步提升密度，而代價寫入速度與可靠性再下降。

由 QLC 到 PLC 容量提升 25%，而 96-Layer 到 144-Layer 可以提升 50%，總括下來 PLC 提升了 87.5%，這麼大的誘因，所以一眾廠商都不會放棄 PLC 的研發(fā)。與目前最頂級的 QLC 相比，PLC 有近 2 倍的容量提升，現(xiàn)時常見的就是 1TB、2TB，但到了 PLC 的時代，估計將會由 4TB 起跳，最大容量超過 100TB 也不是難事，畢竟目前 TLC SSD 已經(jīng)做到 32 – 64 TB。