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【圖吧小白教程】教你創(chuàng)建內(nèi)存盤(pán),讀寫(xiě)速度起飛

2022-02-28 20:57 作者:失傳技術(shù)電磁所  | 我要投稿

額……朋友們好啊,我圖吧老垃圾佬。今天咱簡(jiǎn)單給各位表演一把圖吧傳統(tǒng)藝能,系統(tǒng)內(nèi)存改硬盤(pán)(內(nèi)存盤(pán))。

說(shuō)到內(nèi)存盤(pán)這個(gè)東西,我們其實(shí)并不陌生。在之前圖吧硬件知識(shí)體系教程中,我們就提到了內(nèi)存和外存的概念。現(xiàn)代的固態(tài)硬盤(pán)雖然相比傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤(pán)有速度快4K強(qiáng)響應(yīng)時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),甚至還有3DXpoint這種介于RAM和SSD之間的產(chǎn)品。但是相比DRAM這種高速儲(chǔ)存器的性能來(lái)說(shuō)仍然差了很大一塊,依然在系統(tǒng)內(nèi)屬于外存的水平。因此當(dāng)我們?nèi)绻枰焖俚膬?chǔ)存器的時(shí)候,是可以將內(nèi)存虛擬成外存或者說(shuō)硬盤(pán)使用的。本期我們介紹的就是利用圖吧工具箱的內(nèi)存盤(pán)功能實(shí)現(xiàn)這一操作,對(duì)于一些比較吃硬盤(pán)讀寫(xiě)水平的應(yīng)用場(chǎng)合還是很有用的。

首先我們打開(kāi)圖吧工具箱2019以上的版本,查看內(nèi)存工具,打開(kāi)魔方內(nèi)存盤(pán)。

然后就能看到軟件的界面了,操作非常簡(jiǎn)單啊,創(chuàng)建內(nèi)存盤(pán),選擇分區(qū)格式,然后確定盤(pán)符和分區(qū)大小以及啟動(dòng)選項(xiàng)與關(guān)機(jī)內(nèi)容保留就可以了。這里注意我們的機(jī)器有8G內(nèi)存,WIN7 64位開(kāi)機(jī)后可用內(nèi)存在4G多。如果內(nèi)存不足,可以考慮用新版圖吧工具箱的內(nèi)存整理工具來(lái)解決。

然后簡(jiǎn)單跑個(gè)分看看,發(fā)現(xiàn)讀寫(xiě)速度果然起飛了。這里我們用的是1333和1600 16bank的內(nèi)存混插組成對(duì)稱(chēng)雙通道實(shí)現(xiàn)的8G內(nèi)存,理論上把1333的內(nèi)存拔了應(yīng)該對(duì)內(nèi)存盤(pán)性能提升更有幫助,我們看看。

發(fā)現(xiàn)實(shí)際上速度并沒(méi)有提升很多。這可能是受限于平臺(tái)的內(nèi)存控制器帶寬,也可能確實(shí)對(duì)于1600來(lái)說(shuō)1333并沒(méi)有差太多。這里可以看得出來(lái)用RAMDISK還有一個(gè)用途就是測(cè)試內(nèi)存的讀寫(xiě)水平。

相比機(jī)械硬盤(pán)來(lái)說(shuō),提升可以說(shuō)是幾十倍乃至百倍千倍了(值4K)

一般的SATA3固態(tài)也很難與之爭(zhēng)鋒,也許只有PCIE4.0的新固態(tài)能有比DDR3內(nèi)存盤(pán)不差的性能。

這里還可以用內(nèi)存工具釋放更多內(nèi)存

三星的RAPID模式和AMD的StoreMI儲(chǔ)存加速技術(shù)都是用的這種RAMDISK的方法,所以本質(zhì)上對(duì)硬盤(pán)性能并沒(méi)有提升,傳統(tǒng)的傲騰加速盤(pán)在民用市場(chǎng)失敗主要還是性?xún)r(jià)比和容量限制導(dǎo)致的,低容量下的命中率低且總體性能并不能高于同接口的現(xiàn)代固態(tài)硬盤(pán)導(dǎo)致實(shí)際使用體驗(yàn)很差,甚至在RAM產(chǎn)能增大下逐漸失去了成本優(yōu)勢(shì),因此不難看出無(wú)論是迅盤(pán)、傲騰加速盤(pán)還是混合硬盤(pán)的嘗試目的是好的,結(jié)局是很現(xiàn)實(shí)的這個(gè)原因就在這,本質(zhì)上相比固態(tài)來(lái)說(shuō)并沒(méi)有真實(shí)有效的提升使用體驗(yàn)因此導(dǎo)致的失敗。而真正提升硬盤(pán)性能的操作主要還是有改散熱超頻主控之類(lèi)的有效方法,提升內(nèi)存盤(pán)的性能主要還是靠拉頻率和帶寬,因?yàn)閮?nèi)存有單雙通道的區(qū)別和集成顯卡使用系統(tǒng)共享內(nèi)存的問(wèn)題所以提升內(nèi)存性能可以通過(guò)圖吧工具箱的內(nèi)存SPD修改工具實(shí)現(xiàn)超頻,內(nèi)存硬盤(pán)超頻了屬于是。

這個(gè)內(nèi)存超頻可以用這個(gè)thaiphoon來(lái)實(shí)現(xiàn)

改完內(nèi)存SPD信息之后理論上可以實(shí)現(xiàn)超頻,當(dāng)然最好過(guò)下穩(wěn)定性測(cè)試

而且減少內(nèi)存帶寬占用也能有效提升性能,所以即使本機(jī)的獨(dú)顯非常垃圾,但是至少有專(zhuān)用顯存不需要調(diào)用系統(tǒng)內(nèi)存共享顯存,在這方面還是有用的。但是如果需要錄屏等操作,最好還是使用HASWELL GT集顯的QSV編碼功能,而且20EU的22nm集顯也確實(shí)比40nm的AMD老獨(dú)顯性能更好一些,包括跑起AI也是。

聯(lián)想品牌機(jī)的HD7470和AMD GCN沒(méi)有一點(diǎn)關(guān)系,就是個(gè)40nm的亮機(jī)卡

實(shí)際來(lái)看既不能和haswell GT1 GT2的GPU一樣用英特爾QSV H264編碼器加速視頻編碼

也不能調(diào)用GPU的OPENCL/OPENGL跑AI

英特爾GT1和GT2(HD4600的主要區(qū)別就是10EU和20EU的區(qū)別,相對(duì)的,搭載其的CPU核心數(shù)也相差一倍,雙核與四核的區(qū)別正好也是一半,包括L3)

這里對(duì)于聯(lián)想的品牌機(jī)M8500T來(lái)說(shuō)拔掉獨(dú)顯提升性能是確信的,22nm的集顯完全可以吊打40nm的獨(dú)顯亮機(jī)卡和28nm的亮機(jī)卡五五開(kāi)(在作為普通辦公生產(chǎn)力工具應(yīng)用方面)

當(dāng)然AMD的GCN是有特殊能力的,AMD FULID MOTION的存在讓這個(gè)28nm亮機(jī)卡相比英特爾的UHD630能有一定的優(yōu)勢(shì)

包括GCN架構(gòu)跑AI也是有一定的用處的,比如能用VULKAN。所以即使是顯卡架構(gòu)十分難受的今天,有一張近現(xiàn)代的獨(dú)顯還是略有用的(當(dāng)然HD500和UHD630這種GEN9也是一樣屬于近現(xiàn)代顯卡) 最后還是想說(shuō),拔掉獨(dú)顯提升性能對(duì)于很多品牌機(jī)來(lái)說(shuō)是真實(shí)存在的。因此對(duì)于這樣的機(jī)器來(lái)說(shuō),也許P104 P106之類(lèi)的3D加速卡礦卡都是有用的,但是考慮到礦潮的存在導(dǎo)致的價(jià)格上漲,所以最終我們選擇同樣的預(yù)算下AMD的加速卡試水。不出意外的話AMD R5 435的測(cè)評(píng)以后會(huì)更新。

就這樣,謝謝朋友們!


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