編輯-Z

安森美FGH60N60SMD原廠IGBT參數(shù)：

型號：FGH60N60SMD

集電極到發(fā)射極電壓（VCES）：600V

柵極到發(fā)射極電壓（VGES）：±20V

收集器電流（IC）：120A

脈沖二極管最大正向電流（IFM）：180A

最大功耗（PD）：600W

儲存溫度范圍（TSTG）：?55 to +175℃

G?E泄漏電流（IGES）：±400nA

集電極到發(fā)射極飽和電壓（VCE(sat)）：2.5V

輸出電容（Coes）：270pF

二極管正向電壓（VFM）：2.1V

二極管反向恢復(fù)時間（Trr）：30NS

?

FGH60N60SMD特征：

正溫度系數(shù)，便于并聯(lián)操作

高電流能力

低飽和電壓：VCE（sat）=1.9 V（典型值）@IC=60 A

高輸入阻抗

快速切換：EOFF=7.5 uJ/A

嚴(yán)格的參數(shù)分布

該設(shè)備不含鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

?

FGH60N60SMD應(yīng)用：

第二代IGBT采用新型場停IGBT技術(shù)，F(xiàn)GH60N60SMD可為太陽能逆變器、UPS、焊機(jī)、電信、ESS和PFC應(yīng)用提供最佳性能，其中低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗至關(guān)重要。