本周主要在調(diào)試均流機(jī)子，外接穿插驗(yàn)證幾個(gè)其余項(xiàng)目性能。 6號(hào)接著調(diào)整均流不勻的bug，可能是沒有睡好，也可能對(duì)電路分析的不夠透徹，上午測(cè)試了很久才找到問題，在均流比較出的輸出波形過于形變，而輸出接了一個(gè)三極管控制一個(gè)偏置電阻做為均電流環(huán)參與到電壓環(huán)路，我以為就是輸出偏置的影響，開始修改電路參數(shù)，首先修改了輸出到三極管驅(qū)動(dòng)下分壓電阻的容值，原先的1uf似乎在輸出高頻下能量釋放的比較慢，使得三極管控制震蕩，改小十倍之后控制波形明顯接近了脈沖方波，再然后去除了運(yùn)放比較的積分電容測(cè)試，畢竟在均流調(diào)機(jī)的過程中頻率較大輸出反饋至輸入會(huì)有一定影響，改善輸出驅(qū)動(dòng)波形失真效果好很多，但是并機(jī)測(cè)試出現(xiàn)震蕩，調(diào)試后也將電容取小，使輸出穩(wěn)定。晚上就早早下班跑步去了。 7號(hào)測(cè)試：不帶均流功能的機(jī)子動(dòng)態(tài)特性，因?yàn)榇饲按嬖陔妷浩叩默F(xiàn)象：空載電壓手動(dòng)調(diào)整至4.2V，帶載電壓會(huì)掉至4.1V，為了解決這個(gè)問題加快了環(huán)路速度，驗(yàn)證對(duì)動(dòng)態(tài)是否造成影響，很明顯的是，0到100%跳變時(shí)，出現(xiàn)異音，跳變時(shí)的過沖幅度也超過規(guī)格書要求，改大了原邊補(bǔ)償電阻大?。ㄊ弓h(huán)路變慢），也改大了了副邊反饋?zhàn)枞葜担ㄊ弓h(huán)路加快），最后達(dá)到的最好效果即是滿足了規(guī)格書要求且減少了異音，試圖將這個(gè)0-100%時(shí)出現(xiàn)的異音完全消除，但是靠近了仔細(xì)聽發(fā)現(xiàn)只要跳變時(shí)，都會(huì)有一點(diǎn)點(diǎn)聲音，考慮到對(duì)產(chǎn)品性能無影響，暫未繼續(xù)優(yōu)化，放入高低溫箱測(cè)試極端條件環(huán)路的穩(wěn)定性。 8號(hào)上午測(cè)試均流并機(jī)性能，均流一比一還是存在一定偏差，主要體現(xiàn)為兩臺(tái)機(jī)輸出壓差較大時(shí)電流明顯不均衡，考慮到業(yè)務(wù)著急的送樣需求，先將輸出調(diào)成十分接近，滿足并機(jī)可以電流均衡的功能，然后組裝外殼，老化送樣。下午開始測(cè)試單臺(tái)機(jī)其余性能。 首先是動(dòng)態(tài)負(fù)載測(cè)試，上周只是簡(jiǎn)單的將環(huán)路速度加快以滿足啟機(jī)，這次動(dòng)態(tài)測(cè)試發(fā)現(xiàn)在50hz，0跳100%條件下過沖異常，繼續(xù)調(diào)整環(huán)路參數(shù)優(yōu)化過沖bug，最后還發(fā)現(xiàn)存在0跳任何負(fù)載時(shí)都會(huì)出現(xiàn)一個(gè)電壓掉溝的現(xiàn)象，考慮到正激芯片在不帶載情況下fb電壓小會(huì)進(jìn)入打嗝模式以維持低功耗，本以為是環(huán)路補(bǔ)償太小不能將這個(gè)范圍包含在內(nèi)，后來發(fā)現(xiàn)是因?yàn)樘砑恿瞬C(jī)防倒灌電路，額外的mos介入電路后，電源在0負(fù)載到任何負(fù)載都需要等待mos開通，這也是上面存在掉溝的地方，從原理上說這個(gè)不可避免，但是可以改善，將輸出假賦載電阻調(diào)小至極限，使得空載輸出帶有一定小電流，這時(shí)輸出跳變mos DS兩端電壓差較小，導(dǎo)通時(shí)間更快，掉溝減小到可接受范圍，然后是并機(jī)動(dòng)態(tài)，因?yàn)椴C(jī)動(dòng)態(tài)是兩臺(tái)機(jī)一起工作，當(dāng)電流環(huán)參與環(huán)路時(shí)，發(fā)現(xiàn)紋波異常偏大，此時(shí)我還不明確是哪里導(dǎo)致，猜測(cè)是均流環(huán)參與電壓環(huán)的偏置電壓教小，增大后紋波改善，但是偏置電壓已經(jīng)快超出安全范圍，適當(dāng)又調(diào)整了一下參數(shù)。 9號(hào)，先交由進(jìn)行高低溫測(cè)試以驗(yàn)證環(huán)路在各條件下是否穩(wěn)定，同時(shí)我開始更新完原理圖參數(shù)，開始制作生產(chǎn)BOM，由于公司今年開始使用新系統(tǒng)，不是很熟悉，料號(hào)也有所變更，花了很長(zhǎng)時(shí)間熟悉并統(tǒng)一為系統(tǒng)最新料號(hào)信息，下午制作成BOM準(zhǔn)備提交系統(tǒng)，晚上高溫測(cè)試過流時(shí)出現(xiàn)異常，樣機(jī)損壞，加班核查問題點(diǎn)，只是壞了一顆MOS，過熱損壞導(dǎo)致，損壞原因是輸出過流后，電源未完全保護(hù)，即在電源進(jìn)副邊OCP后，積分電路控制的反饋信號(hào)未能觸發(fā)原邊保護(hù)，且該信號(hào)參與到了環(huán)路運(yùn)算導(dǎo)致OCP環(huán)路失控 10號(hào)專門解決此bug，OCP過流信號(hào)進(jìn)入積分器與參考電壓比較，輸出一個(gè)電平信號(hào)到反饋，但是控制環(huán)路太靈敏，輸出一建立便使環(huán)路進(jìn)入電壓環(huán)控制，OCP失效，積分器掉電使比較器輸出反轉(zhuǎn)為低，這個(gè)過程只有10ms，這個(gè)信號(hào)作用到過壓保護(hù)電路中，通過光耦傳遞到原邊時(shí)，只有8～9ms的時(shí)長(zhǎng)，雖然滿足了遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于保護(hù)動(dòng)作的電壓，但是時(shí)間太短，查閱芯片手冊(cè)發(fā)現(xiàn)至少得保持15ms，為了滿足保護(hù)動(dòng)作時(shí)長(zhǎng)我做了許多嘗試，都沒有效果，打算飛線添加電路實(shí)現(xiàn)副邊輸出信號(hào)時(shí)長(zhǎng)延長(zhǎng)，嘗試過用二極管防止積分rc吊點(diǎn)過快，效果不佳且環(huán)路震蕩更嚴(yán)重；嘗試將比較器改為滯回比較器，電路計(jì)算的參數(shù)放入實(shí)際存在偏差，未覺察輸出保持到RC放電到VL時(shí)才反轉(zhuǎn)；最后是在原邊光耦附近增加一個(gè)1uf對(duì)地電容實(shí)現(xiàn)緩沖，這樣才解決OCP后積分一段時(shí)間觸發(fā)原邊保護(hù)。 10號(hào)處理均流問題，此前的均流在壓差較大時(shí)效果不明顯，由于第一次設(shè)計(jì)我覺得可能不對(duì)，畢竟批量時(shí)不好把控，詢問老大果然是有問題，我繼續(xù)檢查電路，我發(fā)現(xiàn)電流環(huán)的輸出參與到電壓環(huán)時(shí)的脈沖占空比不大，但是用萬用表對(duì)比兩個(gè)均流信號(hào)看起來應(yīng)該一直是高電平而不是短暫的脈沖，于是還是用示波器抓，對(duì)比了很多處信號(hào)，我才反應(yīng)過來，好像均流信號(hào)和電流放大信號(hào)到比較器時(shí)的分壓值不對(duì)，檢查分壓電路和實(shí)物是沒有焊接出錯(cuò)的，修改了分壓處取樣電阻，分壓就正常了，原本的小脈沖方波也變成占空比很大的脈沖開始輸入到電壓環(huán)參與工作，實(shí)現(xiàn)了壓差較大時(shí)也可以實(shí)現(xiàn)均流的目的，至此項(xiàng)目調(diào)試算上收尾了，移交測(cè)試測(cè)最新參數(shù)的高低溫沖擊，器件溫升 應(yīng)力 效率等性能。 11號(hào)暫時(shí)沒有著急的任務(wù)，不想調(diào)機(jī)了，打開了下一個(gè)基于數(shù)字內(nèi)核芯片的200W電源項(xiàng)目開始參考學(xué)習(xí)，項(xiàng)目已經(jīng)完成大半，成品機(jī)也正常輸出，但是還有一些bug要解決，將會(huì)是此后幾周的重點(diǎn)攻克難關(guān)。參考芯片設(shè)計(jì)建議，對(duì)比到手的半成品發(fā)現(xiàn)硬件電路上即存在一定不合理：比如RC濾波值遠(yuǎn)大于建議設(shè)計(jì)值，fc反饋上下電容分壓不同于建議值，同步整理外圍電容電路未設(shè)計(jì)，貼片MOS到同步整流芯片的控制之間的寄生感量不平衡（剛好對(duì)應(yīng)交接的待解決bug就有整理MOS發(fā)熱不平衡），還有就是一些還沒看懂的了，之后慢慢看。