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半導(dǎo)體穩(wěn)態(tài)濕熱高壓偏置試驗(yàn)(二)

2023-06-12 15:37 作者:北京宏展儀器  | 我要投稿

受試器件應(yīng)以一定的方式安裝、暴露在規(guī)定的溫濕度環(huán)境中,并施加規(guī)定的偏置電壓。器件應(yīng)避免暴露于過熱、干燥或?qū)е缕骷凸ぱb夾具上產(chǎn)生冷凝水的環(huán)境中,尤其在試驗(yàn)應(yīng)力上升和下降過程中。

實(shí)驗(yàn)程序:

1、預(yù)處理

適用時(shí),應(yīng)按照相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行預(yù)處理。

2、初始檢測

試驗(yàn)樣品應(yīng)按照相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,進(jìn)行外觀檢查和電氣參數(shù)測試。

3、上升

達(dá)到穩(wěn)定的溫度和相對濕度的時(shí)間應(yīng)少于3h。通過保證在整個(gè)試驗(yàn)時(shí)間內(nèi)高低溫濕熱試驗(yàn)箱的干球溫度超過濕球溫度來避免產(chǎn)生冷凝。

4、下降

下降時(shí)間應(yīng)不超過3h。通過保證在整個(gè)試驗(yàn)時(shí)間內(nèi)高低溫濕熱試驗(yàn)箱的干球溫度超過濕球溫度來避免產(chǎn)生冷凝。

5、器件內(nèi)部濕氣穩(wěn)定時(shí)間

由于濕氣穿透器件外殼并抵達(dá)芯片表面需要一定的時(shí)間,因此當(dāng)高低溫濕熱試驗(yàn)箱內(nèi)環(huán)境溫度和濕度達(dá)到穩(wěn)定后,應(yīng)繼續(xù)保持直至濕氣完全抵達(dá)芯片表面。由于環(huán)氧樹脂相較于硅膠,其抵御濕氣進(jìn)入的能力強(qiáng)得多,因此對于環(huán)氧樹脂封裝器件穩(wěn)定時(shí)間不少于336h,硅膠封裝器件穩(wěn)定時(shí)間不少于24h。

6、試驗(yàn)計(jì)時(shí)

器件按6.5的要求進(jìn)行充分穩(wěn)定后,開始施加規(guī)定的偏置電壓,此時(shí)試驗(yàn)計(jì)時(shí)開始。當(dāng)達(dá)到規(guī)定的持續(xù)時(shí)間,溫濕度開始下降時(shí)計(jì)時(shí)結(jié)束。

7、施加偏置電壓

器件按6.5的要求進(jìn)行充分穩(wěn)定后,開始施加規(guī)定的偏置電壓。當(dāng)試驗(yàn)結(jié)束且恢復(fù)完成后,再將偏置電壓移除。施加偏置電壓時(shí),若受試器件為絕緣柵雙極晶體管(IGBT)或場效應(yīng)晶體管(MOSFET),其柵極和發(fā)射極或柵極和源極之間應(yīng)可靠短路或施加負(fù)壓。

8、中間檢測

如果要求進(jìn)行中間檢測,當(dāng)檢測完成后,應(yīng)重新按6.5的要求充分穩(wěn)定后,再施加偏置電壓并重新計(jì)時(shí)。

9、完成檢測

試驗(yàn)結(jié)束,試驗(yàn)樣品恢復(fù)常溫后,在48h內(nèi)應(yīng)按照相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,進(jìn)行外觀檢查和電氣參數(shù)測試。

10、失效判據(jù)

如果器件不能通過規(guī)定的終測試,或按照適用的采購文件和數(shù)據(jù)表中規(guī)定的正常和極限環(huán)境中不能驗(yàn)證其功能,器件視為失效。

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