801半導(dǎo)體物理考試大綱

（研招考試主要考察考生分析問題與解決問題的能力，大綱所列內(nèi)容為考生需掌握的基本內(nèi)容，僅供復(fù)習(xí)參考使用，考試范圍不限于此）

一、總體要求

“半導(dǎo)體物理”要求學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體的相關(guān)基礎(chǔ)理論，了解半導(dǎo)體性質(zhì)以及受外界因素的影響及其變化規(guī)律。重點(diǎn)掌握半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和帶、半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級、半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性、半導(dǎo)體中的非平衡載流子等相關(guān)知識、基本概念及相關(guān)理論，掌握半導(dǎo)體中載流子濃度計(jì)算、電阻(導(dǎo))率計(jì)算以及運(yùn)用連續(xù)性方程解決載流子濃度隨時(shí)間或位置的變化及其分布規(guī)律的計(jì)算等。

“半導(dǎo)體物理”（801）研究生入學(xué)考試是所學(xué)知識的總結(jié)性考試，考試水平應(yīng)達(dá)到或超過本科專業(yè)相應(yīng)的課程要求水平。

二、知識要點(diǎn)

（一）半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和缺陷

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

半導(dǎo)體的分類及其特點(diǎn)，半導(dǎo)體的性質(zhì)及導(dǎo)電能力對外界因素的依賴性，半導(dǎo)體化學(xué)鍵的性質(zhì)和半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)，金剛石與閃鋅礦結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)及其各向異性。

2.具體要求

固體的分類

半導(dǎo)體性質(zhì)

化學(xué)鍵類型和晶體結(jié)構(gòu)的規(guī)律性

半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體鍵的性質(zhì)

晶格、晶向與晶面

半導(dǎo)體中常用的晶向與晶面

金剛石結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)及其各向異性

砷化鎵晶體的極性

（二）半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

半導(dǎo)體中電子狀態(tài)與能帶，半導(dǎo)體中的電子運(yùn)動與有效質(zhì)量，空穴，回旋共振原理與作用，Si的回旋共振實(shí)驗(yàn)結(jié)果，常用元素半導(dǎo)體和典型化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。

2.具體要求

半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)、表征和能帶

半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動和有效質(zhì)量，有效質(zhì)量的意義

本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)，

空穴的概念，空穴等效概念的作用與意義

回旋共振原理、作用及其Si晶體的回旋共振實(shí)驗(yàn)結(jié)果

Si、Ge和典型化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)

（三）半導(dǎo)體中雜志和缺陷能級

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷，元素半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級，化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級、位錯(cuò)和缺陷能級。

2.具體要求

Si和Ge晶體中的雜質(zhì)和雜質(zhì)能級

雜質(zhì)的補(bǔ)償作用與應(yīng)用

深能級雜質(zhì)

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級

等電子雜質(zhì)與等電子陷阱

半導(dǎo)體中的缺陷與位錯(cuò)能級

（四）半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

狀態(tài)密度，分布函數(shù)、Fermi能級，載流子統(tǒng)計(jì)分布，本征和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，補(bǔ)償半導(dǎo)體的載流子濃度，簡并半導(dǎo)體

2.具體要求

狀態(tài)密度的定義與計(jì)算

分布函數(shù)

費(fèi)米能級、費(fèi)米能級意義

非簡并半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計(jì)分布

本征半導(dǎo)體的載流子濃度

雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度

雜質(zhì)補(bǔ)償半導(dǎo)體的載流子濃度

簡并半導(dǎo)體及載流子濃度、簡并化判據(jù)、簡并半導(dǎo)體的特點(diǎn)與雜質(zhì)帶導(dǎo)電

載流子濃度的分析計(jì)算方法及其影響載流子濃度的因素

（五）半導(dǎo)體的導(dǎo)電性

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

載流子的漂移運(yùn)動，遷移率，載流子的散射，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，強(qiáng)場效應(yīng)與熱載流子

2.具體要求

漂移的概念與規(guī)律

載流子漂移運(yùn)動

遷移率定義及物理意義

載流子散射概念

半導(dǎo)體中的主要散射機(jī)制、特點(diǎn)及其影響因素

半導(dǎo)體中其它因素引起的散射

遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系

電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系

載流子在強(qiáng)電場下的效應(yīng)

高場疇區(qū)與Gunn效應(yīng)；

（六）非平衡載流子

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

非平衡狀態(tài)，非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合，非平衡載流子壽命，準(zhǔn)費(fèi)米能級，復(fù)合理論，陷阱效應(yīng)，非平衡載流子載流子的擴(kuò)散與漂移，愛因斯坦關(guān)系，連續(xù)性方程

2.具體要求

非平衡狀態(tài)及其特點(diǎn)

非平衡載流子的注入與復(fù)合

準(zhǔn)費(fèi)米能級概念與意義

非平衡載流子的壽命及其影響因素

直接復(fù)合與間接復(fù)合理論

表面復(fù)合

陷阱效應(yīng)

擴(kuò)散概念與規(guī)律

半導(dǎo)體中載流子的擴(kuò)散運(yùn)動

Einstein關(guān)系

半導(dǎo)體中的電流構(gòu)成

連續(xù)性方程的建立及意義

連續(xù)性方程的典型應(yīng)用

三、考試形式

1、考試時(shí)間：180分鐘。

2、試卷分值：150分。

3、考試方式：閉卷考試。

考研上岸在很多人的心里估計(jì)都是比較難的，不論是在職還是在校，專業(yè)課想拿高分?復(fù)習(xí)全局難把握？經(jīng)驗(yàn)貼踩雷無數(shù)，關(guān)鍵期錯(cuò)過提升，各種各樣的備考問題是不是一大堆?靠自學(xué)，沒有方法，沒有動力，相信這是很多人的內(nèi)心寫照，研晟考研，助力考生有效備考，專屬學(xué)習(xí)方案，一戰(zhàn)上岸。