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臺(tái)積電:為全球IC設(shè)計(jì)公司生產(chǎn)制程從1微米到3納米的12000種產(chǎn)品

2023-08-07 10:59 作者:科聞社  | 我要投稿


近日,臺(tái)積電(中國(guó))有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球現(xiàn)身一行業(yè)活動(dòng)并發(fā)表演講。他透露,經(jīng)過(guò)三十六年的發(fā)展,臺(tái)積電已形成了強(qiáng)大的產(chǎn)業(yè)生態(tài),服務(wù)全球超過(guò)500家公司,提供超過(guò)300種工藝,為全球IC設(shè)計(jì)公司生產(chǎn)制程從1微米到3納米的12000種產(chǎn)品。


雖然近期行業(yè)下行,但羅鎮(zhèn)球總經(jīng)理認(rèn)為,從宏觀面來(lái)看,當(dāng)前半導(dǎo)體已經(jīng)更深更廣地影響到我們的生活,特別是5G\AI的發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體的需求將進(jìn)一步放大。因而,他表示相信,未來(lái)半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢(shì)相當(dāng)正面,2030年,半導(dǎo)體市場(chǎng)的總產(chǎn)值將達(dá)一萬(wàn)億美元。這其中,一萬(wàn)億美元的市場(chǎng)里,臺(tái)積電預(yù)期40%為高算力的產(chǎn)品、30%由移動(dòng)計(jì)算主要是手機(jī)產(chǎn)品所消耗,另外20%為汽車(chē)電子,智能穿戴設(shè)備將占據(jù)10%。


在半導(dǎo)體正面發(fā)展的趨勢(shì)下,臺(tái)積電不斷精進(jìn)技術(shù),在先進(jìn)工藝領(lǐng)域,領(lǐng)銜全球。關(guān)于先進(jìn)工藝,羅鎮(zhèn)球總經(jīng)理介紹說(shuō),自2020年5納米進(jìn)入量產(chǎn)后,臺(tái)積電對(duì)5納米工藝節(jié)點(diǎn),進(jìn)行持續(xù)優(yōu)化,現(xiàn)已形成了由強(qiáng)效版N4、功耗和性能最佳的N4P、專(zhuān)門(mén)面向汽車(chē)電子的N5A共同組成的5納米家族。再有就是3納米,在去年量產(chǎn)后,現(xiàn)已推出N3E,將在今年下半年量產(chǎn)。與此同時(shí),2納米技術(shù)也早就提上日程,開(kāi)發(fā)相當(dāng)順利,預(yù)計(jì)會(huì)在2025年進(jìn)入量產(chǎn)。


2023年夏天令節(jié)能減排成為一個(gè)越發(fā)顯得急迫的話題,羅鎮(zhèn)球總經(jīng)理也指出,從2016年臺(tái)積電推出10納米工藝,到現(xiàn)在,能效比持續(xù)不斷地提升。N3E的能效比與N10相較,提高了將近三倍,為節(jié)能減排做出了很大的貢獻(xiàn)。


具體到最先進(jìn)的兩個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上,即N3E同N5相比,在相同的功耗下提供了大約18%的速度提升,或者在相同的速度之下,實(shí)現(xiàn)了32%的功耗降低,同時(shí)還提供了1.6倍的晶圓密度。




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