商務(wù)部、海關(guān)總署3日發(fā)布《關(guān)于對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制的公告》。鎵、鍺都是重要的半導(dǎo)體材料，中國作為全球最大的金屬鎵儲量及產(chǎn)量國(供給量超90%)、世界上金屬鍺產(chǎn)量最高(供給量超60%)的國家，對全球供應(yīng)鏈影響巨大。

使用到鎵、鍺的產(chǎn)品主要包括光芯片(InGaAs,GaAs)、VCSEL(垂直腔表面發(fā)射激光器)LED、傳感器、紅外探測器等等。

因此，該事件可能會導(dǎo)致兩個情形的發(fā)生:

①利好國產(chǎn)GaAs芯片，GaAs襯底主要針對于高功率芯片(工業(yè)激光器等)、 激光雷達以及近距離光通信VCSEL芯片，國家管制上游原材料將有助于國產(chǎn)芯片拓展市場份額，并拓寬下游應(yīng)用領(lǐng)域。

②GaAs襯底管制受限后，以VCSEL芯片 為核心的多模方案的供給端可能造成壓制，從而導(dǎo)致800G光模塊中EML芯片為核心的單模方案滲透率提升，相關(guān)光芯片廠商導(dǎo)入全球供應(yīng)鏈邏輯更為順暢。

看好出口管制生效后相關(guān)公司的拓展份額，受益標的包括:源杰科技、長光華芯、華工科技(云嶺光電)、永鼎股份、華西股份(索爾思光電)等。

一、中國鎵儲量占全球68%，中美鍺含量占全球8成以上

根據(jù)美國地質(zhì)調(diào)查局(USGS) 公布的數(shù)據(jù):

目前全球金屬鎵的儲量約為27.93萬噸，而中國儲量最多，達19萬噸，占全球儲量的68%左右。相比之下，美國的儲量還不到中國的1/40，只有0.45萬噸;

全球已探明8600噸鍺儲量中，美國獨占鰲頭達到3870噸,緊隨其后的中國，探明儲量為3500噸，兩國所擁有的鍺含量占世界鍺總儲量的8成以上，但中國鍺產(chǎn)業(yè)鏈布局更為完

二、原料供需影響光芯片制造廠商的生產(chǎn)成本，海外襯底廠商壓力增大

三五族化合族更適用于制作激光器芯片，如砷化鎵(GaAs) 、磷化銦(InP) 、砷化銦鎵(InGaAs) 。其中InP與GaAs兩類材料在激光器光芯片襯底中居于主流。

對于光芯片而言, VCSEL面發(fā)射激光器芯片主要以GaAs材料為襯底，F(xiàn)P、DFB、EML三類邊發(fā)射激光器芯片主要以InP材料為襯底。襯底為光芯片核心原材料,成本占比最高、對芯片品質(zhì)影響力最大。根據(jù)源杰科技招股書，襯底在光芯片原材料成本中的占比通常高于30%，其供需將在較大程度影響光芯片制造廠商的生產(chǎn)成本。

作為全球金屬鎵、金屬鍺儲量及產(chǎn)量最大的國家之一，中國此次對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制可能帶來的影響:國內(nèi)GaAs襯底外延、原材料等或?qū)⒔祪r,海外GaAs襯底、原材料出現(xiàn)漲價且供應(yīng)緊缺，對海外襯底廠商的壓力增大。

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