！手殘、小白等建議別折騰！

??！謹(jǐn)慎操作，僅提供教程，出現(xiàn)任何問題自行負(fù)責(zé)??！

?。?！本貼只提供教程，具體焊接方法、操作方式自行解決?。?！

1、首先提供內(nèi)存識(shí)別原理圖如下，內(nèi)存識(shí)別電路為藍(lán)色虛線框（Memory ID），具體識(shí)別線路分別為MEM_ID0、MEM_ID1、MEM_ID2、BOARD_ID3，要更改的也是在這幾條線路上。

2、支持內(nèi)存大小、品牌及識(shí)別電阻配置圖，板載內(nèi)存識(shí)別是通過拉高或者拉低電壓來識(shí)別的，如圖內(nèi)0表示拉低電壓（即PL），1表示拉高電壓（即PH），例如：配置三星單顆4GB（32Gb）顆粒內(nèi)存需要配置電阻位置為：R47（0）、R58（1）、R46（0）、R48（0），即在對(duì)應(yīng)位置分別焊接上相應(yīng)規(guī)格貼片電阻（0402 11K 5%）即可，此時(shí)R56、R49、R55、R57位置留空。ps：圖內(nèi)標(biāo)識(shí)容量為單顆粒容量，換算單位為：8Gb=1GB 16GB=2GB 32Gb=4GB

3、到這一步后建議拆下主板上的內(nèi)存顆粒后再進(jìn)行后續(xù)操作（顆粒四角填充有黑膠，拆內(nèi)存顆粒注意謹(jǐn)慎操作！?。。８耐陜?nèi)存識(shí)別電阻后還需要更改顆粒封裝識(shí)別電阻（SDP、DDP），如下圖，具體需要更改位置為E9（R752、R753、R788、R789）、T7（R750、R751、R786、R787）、M9（R765、R771、R781），部分顆粒（如鎂光）T7區(qū)域不需要配置電阻（NC），留空即可。貼片電阻信息：E9區(qū)域?yàn)?402 240R 1%或者0402 0R 5%，T7區(qū)域?yàn)?201 0R 5%，M9區(qū)域?yàn)?201 0R 5%及0201 39R 1%

4、改完對(duì)應(yīng)內(nèi)存識(shí)別電阻及封裝識(shí)別電阻，焊接上對(duì)應(yīng)新內(nèi)存顆粒，操作及手工沒問題就可以裝機(jī)開機(jī)了，首次開機(jī)時(shí)間略長。

5、下面提供實(shí)拍圖，已標(biāo)明具體電阻位置，圖內(nèi)上方兩幅圖為內(nèi)存識(shí)別電阻區(qū)域，下方兩幅圖為封裝識(shí)別電阻區(qū)域，封裝識(shí)別電阻區(qū)域標(biāo)識(shí)電阻型號(hào)為三星4GB顆粒指定型號(hào)，非三星4GB顆粒勿直接照?qǐng)D替換。

附1：支持內(nèi)存顆粒型號(hào)：

三星：

顆粒型號(hào) K4AAG165WA-BCWE 單顆大小2GB 內(nèi)存容量8GB

顆粒型號(hào) K4ABG165WA-MCWE 單顆大小4GB 內(nèi)存容量16GB

海力士：

顆粒型號(hào) H5ANAG6NCMR-XNC 單顆大小2GB 內(nèi)存容量8GB

顆粒型號(hào) H5ANAG6NCJR-XNC 單顆大小2GB 內(nèi)存容量8GB

顆粒型號(hào) H5ANBG6NAMR-XNC 單顆大小4GB 內(nèi)存容量16GB

鎂光：

顆粒型號(hào) MT40A1G16KD-062E:E 單顆大小2GB 內(nèi)存容量8GB

顆粒型號(hào) MT40A1G16RC-062E:B 單顆大小2GB 內(nèi)存容量8GB

顆粒型號(hào) MT40A2G16SKL-062E:B 單顆大小4GB 內(nèi)存容量16GB

附2：評(píng)論置頂主板原理圖及點(diǎn)位圖下載（以上所有原理圖均包含）