書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：氮化鋁蝕刻工藝

編號(hào)：JFKJ-21-025

作者：炬豐科技

氮化鋁 (AlN) 是一種很有前途的襯底材料，可用于富鋁 III 族氮化物的外延，可用于

例如在深紫外光電和高功率微波設(shè)備中......然而，到目前為止，對(duì)AlN單晶不同表面的蝕刻現(xiàn)象還沒(méi)有詳細(xì)了解。

?在這項(xiàng)研究中，我們解決了未解決的問(wèn)題，并提出了關(guān)于 AlN 中缺陷的濕化學(xué)蝕刻的新結(jié)果和見(jiàn)解。

我們使用在我們實(shí)驗(yàn)室 [3] 中生長(zhǎng)的獨(dú)立式 AlN 單晶以及此類(lèi)晶體的拋光切割來(lái)研究使用不同溫度和蝕刻時(shí)間在 KOH-NaOH 共晶溶液中的蝕刻......鋁極性表面顯示出不同大小的六角形凹坑，這可歸因于螺位錯(cuò)和刃位錯(cuò)。我們能夠通過(guò)將較小蝕刻坑與發(fā)現(xiàn)的特征進(jìn)行比較來(lái)驗(yàn)證較小蝕刻坑的邊緣位錯(cuò)性質(zhì)。

?微縮進(jìn)、隨后退火和蝕刻的樣品，類(lèi)似于 Kamler 等人在 GaN 上的工作 [2]......但也發(fā)現(xiàn)了孤立的大金字塔；它們的密度與 Al 極性面上的蝕刻坑的密度大致相關(guān)。金字塔在重復(fù)蝕刻高達(dá) 100 μm 的表面燒蝕時(shí)仍然存在，因此推測(cè)它們表明存在位錯(cuò)（TEM 研究正在進(jìn)行中）。最后，我們展示了具有不同光學(xué)特性（例如由不同濃度的雜質(zhì)或固有缺陷引起）的單晶樣品中的區(qū)域在蝕刻圖案和蝕刻速率方面表現(xiàn)出顯著差異；因此，濕法蝕刻適用于檢測(cè)樣品中的宏觀不均勻性。

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