書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：氮化鎵效應(yīng)工藝

編號(hào)：JFKJ-21-022

作者：炬豐科技

1.1 III-氮化物材料系統(tǒng)：AlGaN/GaN HFETs

由于 III 族氮化物材料系統(tǒng)的眾多卓越品質(zhì)，AlGaN/GaN HFET 實(shí)現(xiàn)了其卓越的性能，其中 AlGaN/GaN 只是其中的一個(gè)子集。AlGaN/GaN 材料系統(tǒng)由于其許多獨(dú)特且有益的特性，特別適用于半導(dǎo)體器件和 HFET。該材料系統(tǒng)表現(xiàn)出優(yōu)異的擊穿場(chǎng)、電子遷移率、電子飽和速度和熱導(dǎo)率。AlGaN/GaN HFET 更準(zhǔn)確地稱為 AlxGai-xN/GaN HFET，其中 x 代表 Al 摩爾分?jǐn)?shù)。這對(duì)于理解 AlGaN/GaN 系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)非常重要......在該表中，所謂的綜合品質(zhì)因數(shù) (CFOM) 將所有材料參數(shù)分解為一個(gè)數(shù)字（歸一化為硅）。值得注意的是，盡管 GaAs 具有更高的電子遷移率，但 GaN 的寬帶隙、大擊穿場(chǎng)和良好的導(dǎo)熱性表明，總體而言，GaN 的性能優(yōu)于 GaAs。雖然適用于某些設(shè)備應(yīng)用，但以下 CFOM 定義并不是所有材料參數(shù)的公正表示，只是那些被認(rèn)為與高功率、高頻性能最相關(guān)的參數(shù)。

1.2 AlGaN/GaN HFETs理論

在最簡(jiǎn)單的形式中，AlGaN/GaN HFET 由襯底（通常是藍(lán)寶石、SiC 或有時(shí)是 Si）、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積 (MOCVD) 或分子束外延 (MBE) 生長(zhǎng)的 GaN 溝道層和類似生長(zhǎng)的 AlxGai 組成——具有歐姆源極和漏極觸點(diǎn)的勢(shì)壘層以及在選擇性蝕刻到異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的臺(tái)面上定義的肖特基柵極?；镜?HFET 結(jié)構(gòu)如圖 1.1 所示......

1.3?AlGaN/GaN HFET 的問(wèn)題????略

1.4?論文大綱???略

AlGaN/GaN 2DEG 的歐姆接觸

2.1 歐姆接觸測(cè)量???略

在用于制造的掩模組上定義了許多測(cè)試結(jié)構(gòu)。就本論文而言，這些測(cè)試結(jié)構(gòu)中最重要的是傳輸長(zhǎng)度方法 (TLM) 模式。傳輸長(zhǎng)度方法模式允許表征接觸電阻 Rc、特定接觸電阻率 Pc 和薄層電阻 Rsh。TLM 圖案特別有用，因?yàn)樗鼈冊(cè)试S表征 AlGaN/GaN HFET 中 2DEG 的歐姆接觸形成的質(zhì)量......該模型的具體細(xì)節(jié)在[10]. 不幸的是，我們研究中使用的掩模組上存在的標(biāo)準(zhǔn) TLM 模式不能提供足夠的數(shù)據(jù)來(lái)確定 TLTLM 參數(shù)[10].2.2 AlGaN/GaN 歐姆接觸理論

2.2.1 歐姆接觸的形成??????略

2.2.2 表面形態(tài)??略

2.3 歐姆接觸性能文獻(xiàn)綜述??略

2.4 選擇歐姆金屬化???略

文章全部詳情，請(qǐng)加V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁