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使用MOS管40N120設(shè)計開關(guān)電源或電機驅(qū)動電路時，一般需要考慮40N120導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等因素。什么是MOS管40N120-ASEMI的導(dǎo)通特性？40N120開關(guān)損失怎么看呢？

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40N120參數(shù)描述

型號：40N120

封裝：TO-220

特性：低功耗場效應(yīng)管

電性參數(shù)：40A 1200V

集電極電流(IC)：40A

脈沖集電極電流(ICM)：160A

集電極-發(fā)射極電壓(VCES)：1200V

柵極-發(fā)射極電壓(VGES)：±25V

G-E閾值電壓(VGE)：5.5V

G-E漏電流(IGES)：250nA

工作溫度：-55~+150℃

引線數(shù)量：3

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什么是MOS管40N120的導(dǎo)通特性：

導(dǎo)通的意思是充當(dāng)一個開關(guān)，相當(dāng)于一個閉合的開關(guān)。

NMOS的特性，Vgs大于一定值就會導(dǎo)通，適用于源極接地的情況，只要柵極電壓達(dá)到一定電壓（如4V或10V，其他電壓見說明書）就可以了，40N120就是屬于此類。

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PMOS的特性，Vgs小于一定值就會導(dǎo)通，適用于源極接VCC的情況。然而，雖然PMOS可以方便地用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大、價格高、替代品種類少，在高端驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。

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40N120開關(guān)損失怎么看：

不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有一個導(dǎo)通電阻，所以當(dāng)DS之間有電流流動時，兩端都會有電壓，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，消耗的這部分能量稱為導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管40N120會降低導(dǎo)通損耗。

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MOS在開啟和關(guān)閉時，一定不是瞬間完成。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程。在此期間，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，稱為開關(guān)損失。一般來說，開關(guān)損耗遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗，開關(guān)頻率越快，導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積越大，由此產(chǎn)生的損耗也很大。減少開關(guān)時間可以減少每次導(dǎo)通時的損耗；降低開關(guān)頻率可以減少單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種方法都可以降低開關(guān)損耗。