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CuNi3Si1Mg-TR02 C7025-R620強(qiáng)度高高精度銅帶

2023-02-18 18:03 作者:東莞市豪洋金屬材料  | 我要投稿

CuNi3Si1Mg-TR02 C7025-R620強(qiáng)度高高精度銅帶

G-CuSn7ZnPb (2.1090.01) BC7 -

ZQSn7-0.2 - PB3 - - PBC1 -

ZQSn10-1 C90700 PB1 - - PBC2 -


集成電路

微電子技術(shù)的核心是集成電路。集成電路是指以半導(dǎo)體晶體材料為基片(芯片),采用專門的工藝技術(shù)將組成電路的元器件和互連線集成在基片內(nèi)部、表面或基片之上的微小型化電路。這種微電路在結(jié)構(gòu)上比zui緊湊的分立元件電路在尺寸和重量上小成千上萬倍。它的出現(xiàn)引起了計(jì)算機(jī)的巨大變革,成為現(xiàn)代信息技術(shù)的基礎(chǔ)。己開發(fā)出的很大規(guī)模集成電路,在比小姆指甲還小的單個芯片面積上,能做出的晶體管數(shù)目,己達(dá)十萬甚至百萬以上。國際著名的計(jì)算機(jī)公司IBM(國際商業(yè)機(jī)器公司),己采用銅代替硅芯片中的鋁作互連線,取得了突破性進(jìn)展。這種用銅的新型微芯片,可以獲得30%的效能增益,電路的線尺寸可以減小到0.12微米,可使在單個芯片上集成的晶體管數(shù)目達(dá)到200萬個。這就為古老的金屬銅,在半導(dǎo)體集成電路這個zui新技術(shù)領(lǐng)域中的應(yīng)用,開創(chuàng)了新局面 [1]? 。引線框架

為了保護(hù)集成電路或混合電路的正常工作,需要對它進(jìn)行封裝;并在封裝時,把電路中大量的接頭從密封體內(nèi)引出來。這些引線要求有一定的強(qiáng)度,構(gòu)成該集成封裝電路的支承骨架,稱為引線框架。實(shí)際生產(chǎn)中,為了高速大批量生產(chǎn),引線框架通常在一條金屬帶上按特定的排列方式連續(xù)沖壓而成。框架材料占集成電路總成本的1/3~ l/4,而且用量很大;因此,必須要有低的成本。

ZQSn10-2-1 C92700 LPB1 - - - -

ZQSn10-2 C90500 G1 CuSn12 G-CuSn10Zn (2.1086.01) BC3 CuSn10Zn2

ZQSn10-5 - LB2 - G-CuPb5Sn (2.1170.01) LBC2 -

ZQPb10-10 C93700 LB2 CuPb10Sn10 G-CuPb10Sn (2.1176.01) LBC3 CuPb10Sn10

ZQPb12-8 C94400 LB1 - G-CuPb15Sn (2.1182.01) LBC4 -


CuNi3Si1Mg-TR02 C7025-R620強(qiáng)度高高精度銅帶的評論 (共 條)

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