在船舶上或沿海區(qū)域使用的半導(dǎo)體芯片，經(jīng)常會受到鹽霧腐蝕，所以要對這類產(chǎn)品進(jìn)行鹽霧試驗。GB/T4937 中氣候試驗方法有：

第2部分：低氣壓；第4部分：強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗（HAST）；第5部分：穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗；第6部分：高溫貯存；第11部分：快速溫度變化，雙液槽法；第13部分：鹽霧；第23部分：高溫工作壽命；第24部分：加速耐濕，無偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗（HSAT）；第25部分：溫度循環(huán)；第42部分：溫度和濕度貯存。

半導(dǎo)體芯片鹽霧試驗方法

1. 將試驗樣品進(jìn)行預(yù)處理，按照規(guī)定承受彎曲應(yīng)力的預(yù)處理，如果已經(jīng)作為其他試驗進(jìn)行過，則不需要重新進(jìn)行彎曲；

2. 將試驗樣品置于循環(huán)鹽霧試驗箱中，設(shè)置好所需要的溫濕度，調(diào)整噴霧量大小與鹽霧噴出角度；

3. 試驗時間有以下四種：

a. 試驗時間：24±2h;

b. 試驗時間：48±4h;

c. 試驗時間：96±4h;

d. 試驗時間：240±8h

根據(jù)樣品要求選取相應(yīng)的試驗時間，如沒有規(guī)定，一般選取 a。

結(jié)果判定

試驗結(jié)束后，如果出現(xiàn)以下結(jié)果，則判定為失效：

1. 在室內(nèi)正常照明下，放大1倍~3倍檢查，標(biāo)識模糊；

2. 腐蝕缺陷面積超過任何封裝零件（例如蓋板、引線或外殼）鍍層金屬面積的 5%；引線缺損、斷裂；放大 10～20 倍檢查，完全貫穿零件的腐蝕。

對半導(dǎo)體器件進(jìn)行鹽霧試驗，可以確定半導(dǎo)體器件耐腐蝕的能力。