摘要：硅芯片形成非常?。ㄍǔ?650 微米）的圓形硅片的一部分：原始晶片。晶圓直徑通常為 125、150 或 200 毫米（5、6 或 8 英寸）。然而，未加工的純硅有一個(gè)主要的電氣特性：它是一種絕緣材料。因此，必須通過良好控制的工藝來改變硅的某些特征。這是通過“摻雜”硅獲得的。

? 光掩模、離子注入、擴(kuò)散、金屬沉積、 蝕刻過程會(huì)重復(fù)多次，在不同溫度下使用不同的材料和摻雜劑，以實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)所需的硅芯片特性所需的所有操作。當(dāng)前技術(shù)的分辨率限制（電路內(nèi)的最小線路尺寸）為 0.35 微米。實(shí)現(xiàn)這樣的結(jié)果需要非常復(fù)雜的過程以及卓越的質(zhì)量水平。