TRICONEX 4352B? 英維思 重寫電容器中的數(shù)據(jù)

動態(tài)隨機存取存儲器（動態(tài)隨機存取存儲器或者動態(tài)隨機存取存儲器)是一種隨機存取的?半導(dǎo)體存儲器存儲每個少量中的數(shù)據(jù)存儲單元，通常由微小的電容器和一個晶體管，兩者通常都基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)技術(shù)。雖然大多數(shù)DRAM存儲器單元設(shè)計使用電容器和晶體管，但是一些僅使用兩個晶體管。在使用電容器的設(shè)計中，電容器可以充電或放電；這兩種狀態(tài)用來表示一個比特的兩個值，通常稱為0和1。

這電荷電容器上的電流逐漸泄漏；如果沒有干預(yù)，電容器上的數(shù)據(jù)很快就會丟失。為了防止這種情況，DRAM需要一個外部存儲瀑生周期性地重寫電容器中的數(shù)據(jù)，將它們恢復(fù)到原始電荷的電路。這種刷新過程是動態(tài)隨機存取存儲器的定義特征，與靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)不需要刷新數(shù)據(jù)。不像閃存，DRAM是易失存儲器(相對于非易失性存儲器)，因為它在斷電時會很快丟失數(shù)據(jù)。然而，DRAM確實表現(xiàn)出有限的數(shù)據(jù)剩余。

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