?VIA東山再起——C7-M噴薄欲出

2005-09-27 15:14:00??出處：快科技 作者：orqs 編輯：orqs?????評論(0)

默認(rèn)

當(dāng)年VIA收購Cyrix之時，國人都為之歡呼。然而在經(jīng)歷了Joshua以及Samuel等幾代內(nèi)核之后，Cyrix3 處理器在桌面處理器市場的發(fā)展速度緩慢，被競爭對手拉開了距離。自此，Cyrix3 利用自身低功耗的優(yōu)勢，主攻嵌入式平臺和移動處理器市場。一直以來，C3憑借功耗低的優(yōu)勢在移動市場中占據(jù)了一席之地，一段時期內(nèi)甚至超越了AMD移動處理器。經(jīng)過長期努力，VIA終于又推出了新一代C7-M處理器，有望填補(bǔ)在全美達(dá)退出移動處理器市場后留下的空白，再次站到Intel與AMD面前，與其共同面對移動市場。

長久以來，CPU的高功耗一直困擾用戶，續(xù)航時間的縮短也令廣大用戶痛苦不已。無論是當(dāng)年的Pentium4-M還是Athlon XP-M，都遭遇過高發(fā)熱量的尷尬，致使輕薄型筆記本難產(chǎn)。然而，如今VIA所要做到的不僅僅是初步控制發(fā)熱量，更要讓輕薄型筆記本在功耗方面有所突破，從而令續(xù)航時間保持在5小時以上。如果再結(jié)合大容量電池以及其它最新電池技術(shù)，那么解決筆記本續(xù)航時間難題將不再是一個奢望。

CPU的發(fā)展史也可以看作是制作工藝的發(fā)展史。如果想要提高CPU的性能或是降低發(fā)熱量，就需要以制作工藝作為保障。幾乎每一次制作工藝的改進(jìn)都能為CPU發(fā)展帶來最強(qiáng)大的源動力，VIA C7-M移動處理器采用90納米制作工藝，先進(jìn)的IBM SOI工藝更是對此提供了充分保障。我們通常所說的CPU納米制作工藝并非是加工生產(chǎn)線，實(shí)際上指的是一種工藝尺寸，代表在一塊硅晶圓片上集成所數(shù)以萬計(jì)的晶體管之間的連線寬度。按技術(shù)述語來說，也就是指芯片上最基本功能單元門電路和門電路間連線的寬度。以90納米制造工藝為例，此時門電路間的連線寬度為90納米。C7-M移動處理器在這項(xiàng)工藝的幫助下可以大幅度提高芯片集成度，相應(yīng)的發(fā)熱量與功耗也能驟減。此外，SOI變形硅技術(shù)保證了穩(wěn)定的電氣性能，對于降低成本也大有裨益。

通過CoolStream架構(gòu)體系，C7-M移動處理器的平均功耗將小于1W，最低待機(jī)功耗甚至只有0.1W，這是此前以功耗著稱的全美達(dá)處理器所無法做到的。即便是全速運(yùn)行狀態(tài)，C7-M移動處理器的功耗也分別是20W（2.0GHz）和12W（1.6GHz），遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于Intel與AMD的移動處理器。更為重要的是，VIA在C7-M上采用了PowerSaver?和TwinTurbo?技術(shù)，此時將動態(tài)調(diào)整處理器頻率和電壓，而且變換速度快到讓用戶完全感覺不到。與Intel的Enhanced SpeedStep以及AMD的PowerNow！技術(shù)相比，PowerSaver? 技術(shù)顯然在頻率調(diào)整幅度與響應(yīng)時間方面更勝一籌。

作為一款移動處理器，VIA C7-M所具備的不僅僅是低功耗，出色的性能與高度的安全性表現(xiàn)同樣令人對其刮目相看。由于完全沿用了X86架構(gòu)，因此C7-M決不會像當(dāng)年的全美達(dá)處理器那樣表現(xiàn)出“低功耗低性能”的尷尬，而且先進(jìn)的緩存架構(gòu)與SSE3多媒體指令集讓CPU的整數(shù)性能與浮點(diǎn)性能同樣出色。盡管對比當(dāng)前的迅馳II以及炫龍?zhí)幚砥鲿rC7-M還難以在性能方面超越對手，但是移動處理器更加看重綜合表現(xiàn)，因此C7-M今后的市場潛力將十分看好。