氮化鎵TR組件作為有源相控陣?yán)走_(dá)的基本構(gòu)成部分，是當(dāng)前全球最先進(jìn)的系統(tǒng)。在此之前，大多數(shù)是砷化鎵TR組件，可以算做第二代；而氮化鎵TR組件就是標(biāo)準(zhǔn)的第三代。過去在這方面突破最快的自然是超級大國，而現(xiàn)在另外一個大國已經(jīng)有逐步后來居上的勢頭。特別是鎵金屬輸出受到限制后，過去在這方面還領(lǐng)先的超級大國，馬上就面臨無米下鍋的局面。畢竟最近5年，全球鎵金屬的消耗量基本都在350噸到430噸之間。而其中一個大國常年供應(yīng)95%以上。一開始是出口6成自用大約4成，后來是出口5成自用也是5成。這就暗示自用的鎵金屬越來越多。主要就是用來生產(chǎn)先進(jìn)的相控陣?yán)走_(dá)的TR組件。以及其他需要第二代與第三代先進(jìn)半導(dǎo)體的地方。以后隨著先進(jìn)裝備越來越多，

那么自身用到鎵金屬的地方也會不斷增多。提高產(chǎn)量又不是一蹴而就的事情。在這種鎵金屬明顯面臨全球性短缺的情況下，就只能先照顧好自己了。而像超級大國這種全年用鎵至少50噸以上，而自身又沒有任何哪怕1噸存貨的，自然未來的日子肯定不好過。雖然當(dāng)今全球高端集成電路的生產(chǎn)價值數(shù)以萬億計。但是大部分第二代與第三代半導(dǎo)體在民用上利用的仍然相當(dāng)有限。因為經(jīng)常說的7納米、5納米甚至3納米的晶圓制程，其實絕大部分仍然是單晶硅作為基本載體。最終成熟的產(chǎn)品就是民用芯片，用途廣泛。軍用芯片也可以用單晶硅芯片，畢竟有很多中低檔的智能基礎(chǔ)電路都是軍民通用的。于是就有被制C而戰(zhàn)場又急需炮彈與導(dǎo)彈的國家，有從洗衣機(jī)上拆民用芯片應(yīng)急的類似說法。

但是像有源相控陣?yán)走_(dá)TR組件，就屬于第二代與第三代半導(dǎo)體中的絕對高檔貨了。追求的就不單純是越來越小的納米制程。越來越小的納米制程對民用智能產(chǎn)品來說，確實有在有限空間，而且總功耗更低的情況下，發(fā)揮出更強(qiáng)大功能的能力。比如生產(chǎn)的手機(jī)終端運(yùn)算快、不卡頓，可以玩內(nèi)存巨大的游戲或者其他應(yīng)用，而且外觀做到非常輕巧超??；賣相好價格高。但是對相控陣?yán)走_(dá)來說，其整體規(guī)格是一定的。并不需要像民品一樣一定要又輕又薄。比如戰(zhàn)斗機(jī)的相控陣TR組件一般是500到1500個；而神盾的大盾盾面組件最少是5000個，檔次最高的有1萬個。這些TR組件，當(dāng)然也需要類似民品的低功耗高性能。但是更強(qiáng)調(diào)帶寬、抗電子擊穿以及散熱性能。這幾點(diǎn)，硅晶片相對與砷化鎵與氮化鎵；

都有物理化學(xué)上的巨大差距。比如神盾雷達(dá)TR組件，低功率發(fā)射時，可能只需要0.1瓦就夠了，此時主要作為隱蔽探測。甚至可偽裝成電臺電視臺的電波。但是一旦需要鎖定目標(biāo)，那么單個TR組件的發(fā)射功率就會瞬間放大到數(shù)十瓦。等于功率瞬間擴(kuò)大數(shù)百倍。也只有氮化鎵產(chǎn)品才能這樣反復(fù)折騰。可見鎵對大國確實重要！