書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：化學(xué)機(jī)械拋光

編號(hào)：JFKJ-21-055

作者：炬豐科技

化學(xué)機(jī)械拋光

? 在金屬化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP) 過(guò)程中，金屬和氧化物的含量會(huì)降低，從而導(dǎo)致表面不規(guī)則。線(xiàn)寬和圖案密度（例如，線(xiàn)密度）都會(huì)影響產(chǎn)量并導(dǎo)致表面變化。必須優(yōu)化CMP工藝在提高產(chǎn)量的同時(shí)獲得最佳平面度（即平坦表面）。侵蝕反映了氧化物水平的局部損失，而凹陷解釋了當(dāng) Cu 在氧化物水平上方后退或突出時(shí)金屬水平的變化，如圖 1 所示。凹陷和侵蝕占產(chǎn)量損失的主要部分，并且是CMP工藝中的關(guān)鍵因素

CMP 性能的關(guān)鍵矩陣是總銅損耗 (TCL)

TCL = 氧化損失 + 侵蝕 + 碟形

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? 它是場(chǎng)氧化損耗、侵蝕和凹陷造成的銅損耗總和。在這三者中，如圖 2 所示，場(chǎng)氧化損失可以通過(guò)光學(xué)方法測(cè)量，腐蝕和凹陷可以通過(guò)輪廓測(cè)量法測(cè)量。然而，傳統(tǒng)的觸控筆和光學(xué)輪廓儀只能解析低至 0.5......

Wafer高級(jí) AFM 表面輪廓儀??????略

邊緣腐蝕的 CMP 后分析?????略

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結(jié)論

? 新的集成智能 Wafer 系統(tǒng)用于研究金屬 CMP 工藝。我們的數(shù)據(jù)顯示 EOE 是特征尺寸、陣列線(xiàn)形狀和圖案密度的函數(shù)。Wafer 的革命性設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了前所未有的伺服性能，吞吐量是市場(chǎng)上以前可用的表面輪廓儀的 10 倍。??????????略

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