一、關(guān)于同位素稀釋法空白溶液濃度是怎么求的。也像和樣品一樣，直接在空白溶液中加入一定量富集同位素，測其同位素比值，然后根據(jù)公式計(jì)算嗎?感覺這樣好像不是太準(zhǔn)?

　　1. 理論上就是一樣的?？瞻桌锩娴暮渴俏粗?，就像樣品一樣，只是含量很低而已，空白里面的同位素比值是已知的，加入的稀釋劑同位素比值是已知的;加入的稀釋劑濃度是已知的，就剩下一個(gè)未知的就是空白的含量了。

　　2. 既然是做空白，就要和原來的背景盡量相同

二、各位請問，做ICP-MS試驗(yàn)時(shí)的問題：

? ? ? ?1.樣品稀釋1000倍檢測，用In做內(nèi)標(biāo)，標(biāo)準(zhǔn)系列中內(nèi)標(biāo)都是100%左右，而樣品中內(nèi)標(biāo)只有20%，甚至10%，這樣高的抑制率正常嗎?

　　2.而且同時(shí)檢測幾個(gè)內(nèi)標(biāo)(In、Y、Bi或Sc)，抑制率不同，這樣選擇不同的內(nèi)標(biāo)，結(jié)果就會(huì)不一樣，選擇內(nèi)標(biāo)的規(guī)則我也知道，但實(shí)際應(yīng)用中該怎么選擇呢?

　　3.有的樣品空白的內(nèi)標(biāo)百分率為120%左右，樣品的內(nèi)標(biāo)百分率低于100%，怎么解釋呢?

　　4.熱焰轉(zhuǎn)換到冷焰時(shí)，還是很容易熄火，現(xiàn)在我調(diào)了一個(gè)功率是690w的，轉(zhuǎn)換起來沒有問題，這樣對檢測會(huì)有什么不良影響嗎?

　　5.之前做過一次銀的樣品，后來就很難清洗，空白中的計(jì)數(shù)都有幾十萬，該怎么辦?

　　6.我們需要做硅、磷、硫檢測，用冷焰檢測時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)曲線做不出來，計(jì)數(shù)都在幾萬或十幾萬，制樣過程應(yīng)該是沒什么問題的，是怎么回事呢?是酸的干擾嗎?怎么排除呢?

　　7.樣品中檢測Pd 時(shí)，Pd (104)、 Pd (105)和Pd (106)同時(shí)檢測，Pd (105)和Pd (106)的檢測值一致，Pd (104)的檢測值比Pd (105)和Pd (106)低得多，基體對Pd (105)和Pd (106)也沒有干擾，那怎么回事呢?

　　答復(fù)1，2，3,7：我以前的應(yīng)用(超純分析為主)很少用到內(nèi)標(biāo)，無法給你很好的建議。不過建議你在樣品處理方面做些工作， 你做什么樣品?看樣子滿復(fù)雜的，稀釋1000倍后的樣品有沒有進(jìn)行酸化?可試試加熱消解一下，有助于分解樣品中的基體。

　　答復(fù)4：冷焰與Shield torch, PlasmaScreen, Guard Electrode 等配合使用，主要是消除某些背景的干擾， 如Ar38H1 對K39, Ar40對Ca40, ArO56對Fe56等. 通常在600w左右,至于690w是否會(huì)影響結(jié)果,你可觀察比較熱焰和冷焰模式下,待測元素的背景變化,若690w時(shí)你關(guān)心的元素的背景能夠降到滿意水平,則690w不會(huì)影響測定, 反之, 若只有降低RF功率才能降低背景則表明690w不合適。

　　熱焰轉(zhuǎn)換到冷焰時(shí)熄火的問題,我也碰到過, 可能是RF matching的問題, 或許是設(shè)定問題,或許是matching box的質(zhì)量問題, 最好找工程師來看看。

　　答復(fù)5: 首先確定是否為銀污染, 看空白中的Ag107和Ag109，若兩處都有很大計(jì)數(shù)，且兩者的強(qiáng)度比值符合Ag107/ Ag109的同位素豐度比(51.34/48.16, 幾乎為1:1)，則可以肯定是銀污染。必須清洗部分組件，包括進(jìn)樣部分，霧化器，霧化室，矩管，錐，離子透鏡，估計(jì)是錐,離子透鏡被污染，可以試著逐一清洗，然后測空白看看，這樣可以找到污染所在。

　　答復(fù)6: 對硅、磷、硫檢測, 應(yīng)該在熱焰下測，Si的第一電離能為8.152, P第一電離能為10.487,S第一電離能為10.36,相對為較難電離的元素，冷焰模式下等離子能量低，電離效率差, 很少離子產(chǎn)生, 你看到的幾十萬的計(jì)數(shù)，不是由Si, P, S離子的信號，主要是干擾。Si28受14N14N,12CO16干擾,Si29受14N14NH,12CO16H干擾, Si30受14N16O干擾；P31受14N16OH干擾；S32受O2(32)干擾, S34受O16O18干擾。

　　空氣中的O2, N2, CO2，樣品基體中的H,OH,N等比要測的Si, P, S 要多得多. 對這些干擾,碰撞反應(yīng)池技術(shù)可以去除部分背景干擾，能夠使Si, P, S 得檢測限降到單ppb左右，具體技術(shù)細(xì)節(jié)，你可向廠商質(zhì)詢。若沒有碰撞反應(yīng)池，則可提高標(biāo)準(zhǔn)曲線點(diǎn)的濃度， 如100，200，500ppb或更高，試試看吧。

三、ICP-MS測雜質(zhì)元素K、Na如何，是否一定要去除基體?

　　1. 鉀、鈉在自然界中存在較多。所以測量的時(shí)候必須足夠的稀釋。本底要干凈，由于兩種元素的靈敏度都十分高，所以需要用冷焰；

　　2. 只要溶液瓶、所用試劑、所用水能夠保證高純，就能做出來，曲線還不錯(cuò)，就是標(biāo)準(zhǔn)溶液大概要一周重新配一次。

四、一般文獻(xiàn)中提到的是　方法檢出限還是儀器的檢出限，應(yīng)該是用樣品空白測的吧。如果是儀器檢出限用2%的硝酸?還有就是檢出限是用空白的濃度求出，還是先用其CPS值求出CPS的偏差呢?

　　1. 檢出限表示分析方法、分析體系檢測功能優(yōu)劣的一個(gè)重要指標(biāo)。它的含義是：在確定的分析體系中可以檢測的元素最低濃度或含量，它屬于定性范疇。若被測元素在分析試樣中的含量高于檢出限，則它可以被檢出；反之，則不能檢出。檢出限受空白值大小及標(biāo)準(zhǔn)偏差的影響。

　　IUPAC于1975年推薦檢出限的定義：“檢出限以濃度(或質(zhì)量)表示，指由特定的分析方法能夠合理地檢測出的最小分析信號xL求得的最低濃度cL(或質(zhì)量qL)”，表達(dá)式為：

　　cL(或qL)=(xL-b)/m=KSb/m

　　式中m為分析校準(zhǔn)曲線在低濃度范圍內(nèi)的斜率；b為空白平均值；Sb為空白標(biāo)準(zhǔn)偏差。測定次數(shù)為20次，IUPAC建議K=3作為檢出限計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)。

　　AMC(分析方法委員會(huì))推薦真實(shí)空白，但在實(shí)際分析中，它有時(shí)很難得到。許多分析工作者使用試劑空白或接近空白。不同學(xué)者對接近空白有不同的定義，分析元素的含量為檢出限的2-5倍。

　　2. K=3也是有根據(jù)的，

　　其實(shí)真正的檢測限計(jì)算公式還考慮到了測定結(jié)果的置信度：

　　LOD = 2 squ(2)*t*SD

　　其中squ(2)即根號2，t為特定置信度下的單邊值，如果測定次數(shù)為11次，t=2.2，這樣計(jì)算出來SD前面的系數(shù)就是3.3左右，如果為20次平行測定，系數(shù)則為3。

總結(jié)

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