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stm32F103 入門篇【階段一、二】

2023-08-04 16:35 作者:小麓不見了  | 我要投稿


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CRL:低寄存器,有32位,4位配置一個(gè)引腳,低寄存器配置低八位

CRH:高寄存器,有32位,4位配置一個(gè)引腳,高寄存器配置高八位

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點(diǎn)亮一個(gè)led燈

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基地址內(nèi)容

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GPIO C的結(jié)構(gòu)體內(nèi)容

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時(shí)鐘的結(jié)構(gòu)體內(nèi)容

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實(shí)驗(yàn)程序

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BSRR寄存器(注意兩張圖不同的字):


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BRR寄存器:

為了消除引腳不一致性,一般用BSRR的低16位輸出高電平,用BRR的低16位(高16位無效)輸出低電平

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P14,第九講:

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P16第九講

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P17:

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GPIO_Init函數(shù)架構(gòu):

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配置PA2為推挽輸出,輸出速度50MHZ步驟

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P18:配置PA2為上拉輸入步驟

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P19:

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P20:

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P21:

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P22:庫函數(shù)配置:

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P25:入門篇,階段二

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P26:庫函數(shù)模板刨析

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brief:簡(jiǎn)要介紹、說明

param:參數(shù)

assert_param:斷言函數(shù)

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P27:如何尋找函數(shù)的各個(gè)參數(shù):

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如果函數(shù)的參數(shù)要填寫的是結(jié)構(gòu)體指針類型:(填寫的參數(shù)名和斷言函數(shù)參數(shù)名不一致)

1.?根據(jù)結(jié)構(gòu)體變量(GPIO_InitTypeDef)定義一個(gè)變量(GPIO_InitStruct)

2.?引用(GPIO_InitStruct)成員變量并賦值

3.?把變量(GPIO_InitStruct)以地址形式寫入GPIO_Init這個(gè)函數(shù)里

注:采用這種方式是因?yàn)樽⑨尷锩鏇]有明確定義函數(shù)參數(shù)如何填寫(比如前半部分參數(shù)GPIO_InitTypeDef*GPIOx就在注釋(或者斷言函數(shù))里明確告訴了填什么參數(shù))

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下面這個(gè)圖解釋為什么第一個(gè)參數(shù)填寫GPIOC就可以了:

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P28:

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P29:

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最基本的編寫:點(diǎn)亮LED

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P30:

點(diǎn)亮LED(采用模塊化編寫,方便移植)

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P31:時(shí)鐘簡(jiǎn)介

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時(shí)鐘系統(tǒng)框圖如下:

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中文手冊(cè)P28:

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P32:時(shí)鐘簡(jiǎn)介(2)

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P33:keil軟件仿真調(diào)試

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方法一:查看引腳高低電平

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方法二:用模擬示波器查看高低電平和間隔時(shí)間:(不支持硬件仿真)

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P35:SYSTICK滴答定時(shí)器

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P36:

P37:中斷簡(jiǎn)介:

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P38:中斷簡(jiǎn)介

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參考手冊(cè)(P132):

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搶占和響應(yīng)優(yōu)先級(jí)的講解:

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具體舉例情況一:

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具體舉例情況二:

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具體舉例情況三:

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具體舉例情況四:

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看懂這道例題就搞懂了:

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P39:中斷簡(jiǎn)介

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注意:?。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。?!

如果工程里面有中斷,首先要進(jìn)行分組,然后將具體的中斷設(shè)置到組里面(比如:URT4/URT5/TIME3等具體的中斷)

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P40:講解TIM3_Init的使用(參數(shù)的填寫,回憶GPIO_Init)

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P41:講的Keil軟件仿真調(diào)試的一些排錯(cuò)過程

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P42:非阻塞延時(shí)程序(閃爍LED燈)

P44:SYSTICK定時(shí)器的理論分析

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重裝載計(jì)數(shù)器最大數(shù)值:2的24次方

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P45 :SYSTICK定時(shí)器的功能實(shí)現(xiàn)

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P46:SYSTICK滴答定時(shí)器的理論分析

自己寫的程序和標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)行對(duì)比

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條件一:判斷定時(shí)器第0位是否為1(定時(shí)器第0位為1代表定時(shí)器開啟)

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P47:SYSTICK滴答定時(shí)器的理論分析

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P48:位帶操作

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P49:位帶操作理論分析

點(diǎn)亮led燈:寄存器操作,庫函數(shù)操作,位帶操作

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P50:位帶操作理論分析

0X4000 0000-0X4010 0000之間的每一位可以膨脹成32位

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P51:位帶操作理論分析

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公式在權(quán)威指南88頁:

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下面這張圖的函數(shù)會(huì)用就行,不用自己寫:

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P52:按鍵控制

四大步驟:

1.按鍵檢測(cè)到低電平

2.延時(shí)X毫秒

3.再次檢測(cè)是否為低電平

4.若為低電平則執(zhí)行相應(yīng)動(dòng)作

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KEY1配置成上拉輸入模式:

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P53:按鍵控制(高內(nèi)聚低耦合)

先講解一下extern的用法:

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P54:按鍵控制:

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注:以后每增加一個(gè)頭文件,就把相應(yīng)的頭文件放到sys.h這里面,在其余文件里只需調(diào)用sys.h頭文件即可

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P55:按鍵控制

主要講如何軟件仿真按鍵程序

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P56:按鍵控制

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