隨著Intel的12代處理器和其主板平臺的到來，DDR5內(nèi)存也終于亮相了，在AMD Ryzen 7000 系列處理器發(fā)布后，DDR5逐漸取代DDR4的勢頭將不可逆轉(zhuǎn)！

小熊也是最近才玩到DDR5內(nèi)存，就把測試的數(shù)據(jù)分享給大家。

先聊聊

DDR5和DDR4有啥區(qū)別呢？

DDR5和DDR4最主要的區(qū)別體現(xiàn)在帶寬速度、單芯片密度以及頻率方面。

DDR5的帶寬為32GB/s；DDR4的帶寬為25.6GB/s。

DDR5單芯片密度很高，單顆粒可達16GB，單條容量為128GB；而DDR4單顆粒只有4GB容量，單條容量為32GB。

最明顯的區(qū)別就是內(nèi)存頻率了，DDR5剛上市的起始頻率是4800MHz，現(xiàn)在中端產(chǎn)品在5000MHz+，高端產(chǎn)品為6000MHz+，后續(xù)可能還會更高；而DDR4剛上市時，起始頻率是2133/2400MHz，隨著長時間的發(fā)展，現(xiàn)在入門級產(chǎn)品為2666~3000MHz，中端產(chǎn)品為3200~3600MHz，高端產(chǎn)品為4000MHz+。

另外，

DDR5的起步電壓為1.1V，DDR4的起步電壓為1.2V，理論上功耗降低8%。但DDR5內(nèi)存的PMIC電源管理芯片集成在內(nèi)存PCB板上（可以減輕主板電源管理的負擔(dān)，但也加劇了內(nèi)存的成本），再加上更大的內(nèi)存芯片密度，實際上DDR5比DDR4運行得更熱，更加需要散熱馬甲。

DDR5改進了內(nèi)存的通道架構(gòu)，使用兩個較小的通道而不是單個較大的通道來處理內(nèi)存訪問。通道的寬度保持不變，但通道的效率提高了。當(dāng)然這和傳統(tǒng)的雙通道還是有很大區(qū)別的。

DDR5內(nèi)存還新增ECC內(nèi)存糾錯機制：On-die ECC，無須通過CPU即能自動計算并糾正內(nèi)存中的數(shù)據(jù)錯誤，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性及數(shù)據(jù)正確性。

使用的主機如下，雖然是測試平臺，但也不可以不好看！

配置如下：

CPU：Intel i7 12700K

主板：玩家國度（REPUBLIC OF GAMERS） ROG MAXIMUS Z690 HERO

內(nèi)存：宇瞻（Apacer）NOX 暗黑女神DDR5 5200 16x2 套裝

顯卡：索泰(ZOTAC)RTX3080-12G6X天啟OC

散熱：九州風(fēng)神（DEEPCOOL）冰堡壘360 一體水冷

電源：全漢（FSP）額定1000W Hydro G Pro1000

機箱：美商海盜船 (USCORSAIR) iCUE 5000T RGB 黑色

DDR5和DDR4對比測試

這套宇瞻NOX暗黑女神DDR5 5200 16GB×2內(nèi)存開機后為頻率：4800MHz，時序：40-40-40-76；在BIOS中開啟XMP，可以達到頻率：5200 MHz，時序：38-38-38-84 。

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運行AIDA 64的內(nèi)存測試，5200MHz的讀取速度達到了81000MB/s+，寫入速度為74000MB/s+，時序76.8ns。目前DDR5內(nèi)存的延遲確實有點高，一般也是在Gear2模式運行。

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之前使用同樣CPU和顯卡在DDR4平臺做了一系列測試，內(nèi)存使用了宇瞻NOX暗黑女神DDR4 3600，正好可以拿來做對比，當(dāng)然由于時間上不是同步的，所以使用系統(tǒng)和顯卡驅(qū)動版本是不同的，作為對比測試并不是很嚴謹。這套測試平臺配置如下：

CPU：Intel i7 12700K

主板：微星(MSI)Z690 EDGE WIFI DDR4 （刀鋒）

內(nèi)存：宇瞻（Apacer） NOX暗黑女神DDR4 3600 8G*2套裝

顯卡：索泰(ZOTAC)RTX3080-12G6X天啟OC2

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首先還是先進行AIDA 64的內(nèi)存測試。DDR5 5200的讀寫copy速度基本超過DDR4 3600達到了50%左右，但是在延遲方面也高了14%。

這兩款內(nèi)存可以說是DDR4和DDR5的中端產(chǎn)品，對比起來也更加有代表性。但DDR4是一套8GX2的內(nèi)存，而DDR5是一套16GX2的內(nèi)存，所以如果是對內(nèi)存容量敏感的測試，DDR5這邊更加有利，由于本人測試條件有限，也只能這樣了。

CPU性能測試

使用了酷睿i7-12700K，系統(tǒng)為win11，做一些和CPU性能有關(guān)測試。

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CPU-Z的跑分，DDR5相比DDR4提高了1~2%，并不明顯。

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壓縮解壓縮算是對內(nèi)存比較敏感的項目，單核方面的DDR5居然稍輸，線程全開后DDR5相比DDR4提高了~18%，提高幅度還是非常大的。

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GEEKBENCH5方面，單核提升幅度相當(dāng)不明顯，但多核方面，DDR5提升了20%。

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其它測試數(shù)據(jù)直接匯總為表格：單核性能提高非常有限，基本是誤差級別的，由于7-zip和GEEKBENCH5的多核測試，DDR5優(yōu)勢非常大，所以多核性能平均提高~8%，但其它測試也就提高了1~2%。

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CINEBENCH是一款使用CPU來渲染3D圖像的程序。R20版本的DDR5成績比DDR4高了1~2%，不算明顯。

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V-Ray是由專業(yè)的渲染器開發(fā)公司CHAOSGROUP開發(fā)的渲染軟件，測試使用的是官方Benchmark。該測試中DDR5優(yōu)勢明顯，有大概8%的提升。

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Blender是一個開源的多平臺三維動畫制作軟件，使用官方的Benchmark工具進行測試，三個測試項目DDR5贏了2個輸了一個，分數(shù)差異不算大。

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生產(chǎn)力方面的測試數(shù)據(jù)也匯總為表格，總體DDR5領(lǐng)先了大概2%+。

游戲性能測試

在游戲方面究竟是內(nèi)存頻率高好，還是延遲低好呢？

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《全面戰(zhàn)爭：特洛伊》的Bench，極高畫質(zhì)，4k分辨率下，DDR5高了不到4幀數(shù)，換算成百分比就是高了4.4%。

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《刺客信條：英靈殿》，在4K分辨率下，畫質(zhì)拉滿到極高，幀數(shù)方面DDR5高出DDR4大概6%。

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《極限競速：地平線5》 ，極端預(yù)設(shè)下，4kp分辨率的幀數(shù)，DDR5高出DDR4大概1.3%。

再來試試開啟光追和DLSS的情況：

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《賽博朋克2077》在主流的游戲中可以算是一個難啃的硬骨頭，在4K分辨率下，打開超級預(yù)設(shè)，開啟光追特效+平衡級別的DLSS后，DDR5的幀數(shù)高出DDR4大概1.6%。

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數(shù)據(jù)直接匯總為表格，測試了10款游戲，平均下來，DDR5的幀數(shù)高出DDR4大概2.7%。延遲高的DDR5并沒有吃虧，當(dāng)然相比DDR4在游戲方面的提升也算非常有限。

核顯性能測試
DDR5對獨顯性能提高不多是可以預(yù)料到的，那么核顯呢，畢竟核顯是用一部分內(nèi)存來作顯存的。
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12700k的核顯型號是UHD 770，擁有32組EU單元，最大頻率為1.50GHz。使用DDR5的話相比DDR4，在帶寬，頻率上優(yōu)勢都是非常明顯的。

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3DMARK的Night Raid跑分，DDR5的顯卡分數(shù)比DDR4高出11%！優(yōu)勢還挺明顯的。

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當(dāng)然如果是玩3A游戲話，也沒啥大用，《德軍總部：新血脈（X實驗室）》，1080p的低特效,DDR5也就高了2幀數(shù)，當(dāng)然也是提高了8.3%！

測試硬件介紹

內(nèi)存

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宇瞻的暗黑女神套裝，2根16G總計32G，XMP的頻率為5200MHz，并支持Intel XMP 3.0，在內(nèi)存SPD中增加了兩個可供玩家覆寫的配置文檔。并支持動態(tài)頻率加速技術(shù)，控制更加靈活。

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采用了金屬灰色的散熱馬甲，表面有黑色和灰色潑墨涂鴉裝飾，中間有NOX，左右兩邊分別有DDR5和Apacer的標(biāo)識，看媒體評測該內(nèi)存采用的是美光顆粒。

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金屬馬甲本身做了凹凸造型處理，讓其更加有立體感。

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內(nèi)存時序為CL-38-38-38-84,電壓為1.25v,內(nèi)置電源管理芯片，支持On-die ECC糾錯引擎。

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內(nèi)存并沒有RGB元素，馬甲是由2部分金屬片組成。

主板

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雖然intel的600系列主板很多型號都提供了DDR4和DDR5兩個版本，但是一些高端型號都是只有DDR5版本的主板。這次測試使用了昂貴的ROG MAXIMUS Z690 HERO主板 ！

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主板以黑色為主，IO護甲上方為一塊帶有LED點陣的鏡面屏，PCH散熱部分有一個大大的ROG圖像標(biāo)識。主板采用了 20 + 1 相和90A DrMos的供電組合，應(yīng)付I7,I9超頻不成問題。

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另外據(jù)說這代CPU容易彎，為了安全起見，入手了超頻三的12代彎曲矯正型底座。

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安裝這種第三方底座需用自帶的簡易螺絲刀拆除原廠扣具。

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主板擁有AEMP華碩增強型內(nèi)存配置文件,充分釋放DDR5內(nèi)存潛力。

散熱器

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12代帶k的i7還是需要一個360一體水冷的。這次選擇了九州風(fēng)神的新品：冰堡壘360 LS720 一體水冷散熱器，提供了五年保修。

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九州風(fēng)神LS720有黑色版本，也有白色版本，并配備了三把RGB散熱風(fēng)扇。

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配件包括背板、各種螺絲螺柱、RGB連接線、diy頂蓋、說明書等。兼容性方面支持英特爾的 115X、1200、1700、20XX，與AMD的AM4、AM5、sTR4、sTRX4，基本做到全面支持。

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冷頭部分為銀灰色的鋁制磨砂金屬外殼，頂部是雙層鏡面結(jié)構(gòu)，內(nèi)部采用三相內(nèi)繞馬達，水泵轉(zhuǎn)速為3100RPM；底部采用了紫銅底座，銑平處理 ，自帶預(yù)涂硅脂；進水管與出水管接口有金屬卡箍加固，并右一定的距離，可以轉(zhuǎn)動超過180度。水泵供電采用常見的3pin線材，RGB線材則是專用接口。

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頂蓋的LOGO可360°任意方向旋轉(zhuǎn)，以配合不同的安裝角度，而且可以使用自帶的空白頂蓋進行diy圖案，滿足個性化的需要。

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自帶風(fēng)扇型號為FC120，采用了FDB軸承，最高轉(zhuǎn)速2250rpm，最大風(fēng)量85.85CFM，滿載最大噪音≤31.8dB(A)。半透明的扇葉，扇葉為PBT材質(zhì)，風(fēng)扇中心軸體帶有ARGB燈珠。只有一條5pin線材，并采用了獨特的菊花鏈設(shè)計，最大程度上地減少需要整理的線材，方便裝機。

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水管端的冷排側(cè)面有一個九州風(fēng)神的圖型LOGO，另一側(cè)的同位置有一個水冷排泄壓閥，采用動態(tài)泄壓技術(shù)，使內(nèi)部壓力不會因為長時間高負載而變大，減少水冷液泄漏事故的發(fā)生；水冷管配有兩個卡箍，讓兩根水管不會發(fā)生交叉；鰭片排列非常密集，表面平整。

顯卡

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RTX 3080-12GB除了比普通RTX3080顯存增加了2GB，顯存位寬和流處理器數(shù)量都有增加，從紙面參數(shù)來看在RTX3080和RTX3080Ti之間。

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除了顯卡本體，有常規(guī)的轉(zhuǎn)接線和說明書，還有兩個“天啟之翼”小風(fēng)扇，安裝后可以加強背面的散熱。

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顯卡正面采用了裝甲風(fēng)格，黑色的風(fēng)扇，配以銀色裝甲的風(fēng)扇罩，還有很多紋路和棱角，具體尺寸為315×122×61mm。

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風(fēng)扇并無RGB元素，但正面中間的風(fēng)扇罩一圈其實是有RGB燈環(huán)的。

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卡厚度明顯超過2槽，接近3槽，側(cè)面中間的ZOTAC LOGO也是有RGB光效的。LOGO部分的側(cè)面有2個天啟之翼小風(fēng)扇的供電接口。供電接口為8+8pin，大芯片顯卡的峰值功耗較高，普通版的RTX 3080的TGP功耗是320W，而12GB版本的TGP功耗提高到了350W。

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從前端可以看到有5根鍍鎳的復(fù)合熱管，其實在核心部分還有2根成U型，沒有貫穿到前端，即一共有7根鍍鎳的復(fù)合熱管。內(nèi)部采用了16+3相數(shù)字供電，對于索泰的次旗艦顯卡就不用擔(dān)心供電用料了。

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黑色的鋁合金背板，上面能看到“天啟之翼”的圖案，鏤空部分是2個小風(fēng)扇的安裝位置。

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背面安裝兩個有光的“天啟之翼”小風(fēng)扇后，顯卡將有5個風(fēng)扇！同時也讓顯卡三面都具備了ARGB光效！

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輸出接口:3個DP+1個HDMI 2.1,共4接口設(shè)計。

電源&機箱

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電源為全漢的Hydro G Pro1000，是額定1000w的金牌全模組電源；機箱為海盜船5000T RGB，感興趣的話可以看看下面的機箱評測視頻。

主機溫度測試

室溫~27度

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單烤FPU，大核維持4.7GHz不降頻。10分鐘后，8核心平均溫度73℃，4小核平均溫度68℃，小米智能插座顯示整機輸入功耗為310w。

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Furmark烤機測試，參數(shù)設(shè)定為1080p分辨率、0AA，10分鐘后，頻率減少到了1285MHz，溫度穩(wěn)定在75.5℃，GPU-Z顯示的顯卡功耗為350w，使用小米智能插座測得整機輸入功耗為450W。

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再來進行下雙烤模式，F(xiàn)PU+Furmark同時開啟，10分鐘后，顯卡溫度為73.7℃，溫度反而降低是因為顯卡頻率降低了；CPU方面，8核心平均溫度為84℃，由于顯卡的熱量疊加到了CPU散熱器上，溫度漲幅明顯，不過冰堡壘360還是hold住的。另外小米智能插座測得此時整機輸入功耗690w。

最后

不管你用不用，DDR5都到來了。通過對宇瞻NOX暗黑女神DDR5 5200測試，不管是CPU方面，還是GPU方面，盡管比DDR4內(nèi)存延遲高了不少，但總得來說性能上DDR5還是要比DDR4高一些。當(dāng)然現(xiàn)在5000~6000MHz的DDR5還不能明顯地與DDR4拉開距離，可能在7000MHz以后，DDR5才能全面地超越DDR4吧！

性能方面提升不大，但容量方面提升卻是蠻明顯的。DDR4采用單根8GB，而DDR5采用單根16GB，是這次測試的一個遺憾。但從另一方面來說，單根8GB是DDR4的主流，而單根16G是現(xiàn)在的DDR5的主流（也許未來的32G是以后DDR5的主流），這也是現(xiàn)實的情況。大容量內(nèi)存對于一些生產(chǎn)力應(yīng)用也是越來越重要了！

利好的消息是內(nèi)存價格走低，DDR5內(nèi)存價格也不再高高在上，待到DDR5和DDR4的價格差不多時，就是DDR5普及之時！