書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體蝕刻

編號：JFKJ-21-075

作者：炬豐科技

I.?介紹

? 商用的兩種寬帶隙半導(dǎo)體：是 SiC 和 GaN，這兩種材料都用于功率開關(guān)和功率放大器應(yīng)用的器件，?用于自動駕駛汽車的激光雷達(dá)傳感器，轉(zhuǎn)換器和機(jī)器人運(yùn)動控制也有新興市場文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁，電力電子設(shè)備負(fù)責(zé)控制和轉(zhuǎn)換電力，為輸電、配電和負(fù)載消耗提供最佳條件。這些應(yīng)用中使用的高壓開關(guān)晶體管需要具有小的導(dǎo)通電阻，同時(shí)在關(guān)斷狀態(tài)下提供非常高的阻斷電壓。?實(shí)現(xiàn)高功率轉(zhuǎn)換效率需要低損耗功率半導(dǎo)體開關(guān)。半導(dǎo)體器件用于三端開關(guān)或兩端整流器，當(dāng)正向偏置時(shí)，導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻 應(yīng)最小，并且在關(guān)斷狀態(tài)下應(yīng)支持大阻斷電壓 VB。

一、寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體的干法蝕刻??略? ? ? ??

二、等離子體化學(xué)??略

1.寬帶隙

2.碳化硅

三、超大尺寸 帶隙

四、總結(jié)和結(jié)論??略

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