長江存儲正式發(fā)布128層QLC閃存
4月13日，長江存儲科技有限責(zé)任公司正式宣布旗下型號為X2-6070的128層QLC 3D NAND 閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
官方表示，X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
其中每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型存儲單元 ，每個存儲單元可存儲4bit的數(shù)據(jù)，共提供1.33Tb的存儲容量。
另外，長江存儲還發(fā)布了128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片——X2-9060。
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