2023年中國(guó)化合物半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)銷量、市場(chǎng)規(guī)模及市場(chǎng)單價(jià)走勢(shì)分析[圖]

化合物半導(dǎo)體是區(qū)別于硅(Si)和鍺(Ge)等傳統(tǒng)單質(zhì)的一類半導(dǎo)體材料,主要包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)等。相對(duì)于硅材料,化合物半導(dǎo)體性能更加優(yōu)異,制作出的器件相對(duì)于硅器件具有更優(yōu)異的光電性能、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征。
化合物半導(dǎo)體制備技術(shù)分解

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半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于集成電路,主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)橛?jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制等。GaN的芯片制造和下游應(yīng)用、SiC的芯片制造和下游應(yīng)用、GaAs的芯片制造和下游應(yīng)用是化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局的熱點(diǎn)方向。
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當(dāng)今世界信息化進(jìn)程日新月異,化合物半導(dǎo)體由于它獨(dú)特的特性而得到快速的發(fā)展,已成為現(xiàn)代信息技術(shù)的基礎(chǔ)材料。2022年中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)量從2016年的2.88億個(gè)增長(zhǎng)至15.8億個(gè),預(yù)計(jì)2023年中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)量有望達(dá)到24.42億個(gè)。
2016-2023年中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)量情況

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在市場(chǎng)拉動(dòng)和政策支持的雙重影響下,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得到迅速發(fā)展,同時(shí)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)需求規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng),預(yù)計(jì)2023年中國(guó)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到816.58億元,化合物半導(dǎo)體需求量將達(dá)到200.63億個(gè)。
2016-2023年中國(guó)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)需求規(guī)模情況

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隨著材料制備技術(shù)與下游應(yīng)用市場(chǎng)的成熟,化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)單價(jià)呈下降趨勢(shì),預(yù)計(jì)2023年中國(guó)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)單價(jià)約為4.07元/個(gè)。
2016-2023年中國(guó)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)單價(jià)情況

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化合物半導(dǎo)體廣泛因其良好的高頻高壓特性,在固態(tài)光源、微波射頻以及電力電子等方面有著不可替代的作用。未來(lái)隨著化合物半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)一步成熟,其核心地位將愈發(fā)凸顯,是“超摩爾”領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。
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