半導(dǎo)體光刻工藝過程要在潔凈室中進(jìn)行，且潔凈室的等級要達(dá)到半導(dǎo)體光刻工藝的要求。光刻的目的是將掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠，再通過刻蝕將光刻膠的圖形永久轉(zhuǎn)移到硅片表面。

光刻工藝的基本過程：

涂膠：涂膠時選用沈陽科晶自動化設(shè)備有限公司制造的VTC-100PA-UV紫外光旋轉(zhuǎn)涂膜機(jī)將光刻膠均勻的涂在硅片表面，膜厚度與旋轉(zhuǎn)速度的平方根成反比

前烘：涂膜后用沈陽科晶自動化設(shè)備有限公司的HT-150型精密烤膠機(jī)對硅片進(jìn)行前期烘烤，去除膠內(nèi)的溶劑，從而提高膠體在硅片表面的粘附力，提高膠體薄膜的抗機(jī)械摩擦能力，并減小高速旋轉(zhuǎn)形成的薄膜內(nèi)部的應(yīng)力。一般前烘的溫度范圍在90—120℃，烘烤時間在60—120s的范圍內(nèi)。

曝光：進(jìn)行前烘后的帶薄膜硅片再移入到VTC-100PA-UV 紫外光旋轉(zhuǎn)涂膜機(jī)中進(jìn)行曝光，光通過掩膜版照射到硅片表面的光刻膠薄膜上，被光照射到的薄膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，感光區(qū)與未感光區(qū)的光刻膠對堿性溶液的溶解度不同，從而使掩膜版的圖形完整的傳遞硅片表面。一般情況下曝光時所選用的紫外光光源在180~330nm范圍內(nèi)，波長越長能量越大，曝光所使用的時間越短，具體曝光光源和時間應(yīng)根據(jù)不同工藝進(jìn)行確定。

顯影：顯影方式通常有兩種，一種為浸漬顯影，另一種為旋轉(zhuǎn)噴霧顯影，在本工藝流程中選用旋轉(zhuǎn)噴霧的方法進(jìn)行顯影，設(shè)備選用沈陽科晶自動化設(shè)備有限公司制造的VTC-200-4P噴霧旋轉(zhuǎn)涂膜機(jī)。將一定濃度的顯影液經(jīng)霧化后噴到光刻膠薄膜的表面，使曝光區(qū)和非曝光區(qū)的部分光刻膠溶解，從而使膠膜中的潛影顯現(xiàn)出來。顯影后留下的光刻膠圖形在后期的刻蝕工藝中作為掩模使用。

堅膜：顯影后直接用VTC-200-4P噴霧旋轉(zhuǎn)涂膜機(jī)的可加熱上蓋對薄膜再次進(jìn)行烘烤，進(jìn)一步使膠內(nèi)殘留的溶劑蒸發(fā)出去，使膠內(nèi)的殘留溶劑含量達(dá)到最低，使膠膜硬化。

刻蝕：?利用腐蝕工藝將未被抗蝕劑掩蔽的區(qū)域的膠體去除，留下抗蝕劑所掩蔽部分的圖案。

去膠：使用VTC-200-4P噴霧旋轉(zhuǎn)涂膜機(jī)利用濕法去膠工藝，將有機(jī)溶劑滴灑在圖案表面的光刻膠薄膜上，使光刻膠薄膜溶解去除從而留下潔凈的圖案。

在進(jìn)行涂膜時沈陽科晶自動化設(shè)備有限公司可選用的涂膜設(shè)備有VTC-100PA真空旋轉(zhuǎn)涂膜機(jī)、VTC-100PA-Ⅱ上蓋加熱型真空旋轉(zhuǎn)涂膜機(jī)、VTC-200P真空旋轉(zhuǎn)涂膜機(jī)、VTC-200PV真空旋轉(zhuǎn)涂膜機(jī)、VTC-200-4P噴霧旋轉(zhuǎn)涂覆機(jī)及VTC-100PA-UV型紫外光旋轉(zhuǎn)涂膜機(jī)，可根據(jù)具體的工藝方式選擇不同的旋轉(zhuǎn)涂膜機(jī)。

烤膠機(jī)可選用我公司的HT-150型精密烤膠機(jī)及HT-200型高精密程控烤膠機(jī)，根據(jù)需要來選取不同配置的烤膠機(jī)。

本公司的設(shè)備體積小巧，操作簡單，可選功能齊全，性能可媲美國外幾十萬的設(shè)備，是半導(dǎo)體行業(yè)的不二選擇。

沈陽科晶自動化有限公司設(shè)備展示：

注：本文中部分專業(yè)知識為引用知識，出處未知。