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紀(jì)客老白【每日答疑】關(guān)于零點觸發(fā)導(dǎo)通雙向可控硅

2020-08-11 17:55 作者:紀(jì)客老白  | 我要投稿


白紀(jì)龍

學(xué)生提問如下:

能否詳細(xì)講講在過零點觸發(fā)導(dǎo)通雙向可控硅,能改善EMI,尤其是輻射那快,知道這個辦法對改善EMI有好處,但是不知為什么?


白紀(jì)龍老師解答如下:

(1)零點檢測一般都是+TRIAC雙向可控硅+MCU三者配合使用完成交流的恒定功率控制。

(2)一般TRIAC都是通過控制導(dǎo)通角來達(dá)到恒定功率的控制的。

(3)那么如果我們使用TRIAC來完成恒定功率的話,那么我們必須在每一個電源半周期(AC220V 60Hz)內(nèi)控制相同的導(dǎo)通角過去才能保證恒功率的輸出!

(4)但是如何才能保證每個半周期的導(dǎo)通角恒定輸出呢,這個時候一般情況下我們都是把導(dǎo)通角轉(zhuǎn)換為時間,既然是時間,那么開始的基準(zhǔn)在哪里呢?這個基準(zhǔn)就是我們的零點!

(5)至于說零點和EMI有什么關(guān)系,一般都是和我們的負(fù)載有關(guān)系,很多時候TRIAC其在零點發(fā)生EMI的問題一般都是負(fù)載在這個時候有比較大的EMI輻射出來,比如說我們控制U馬達(dá)等負(fù)載,他在零點的時候關(guān)斷,斷開一瞬間會產(chǎn)生非常大的EMI輻射出來,至于非常詳細(xì)的內(nèi)容大家可以關(guān)注我的功率半導(dǎo)體器件課程!


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