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工程電磁場(chǎng)復(fù)習(xí)基本知識(shí)點(diǎn)

2022-07-27 21:20 作者:答案資料  | 我要投稿

第一章 矢量分析與場(chǎng)論1 源點(diǎn)是指 。 2 場(chǎng)點(diǎn)是指 。 3 距離矢量是 ,表示其方向的單位矢量用 表示。 4 標(biāo)量場(chǎng)的等值面方程表示為 ,矢量線方程可表示成坐標(biāo)形式 ,也可表示成矢量形式 。 5 梯度是研究標(biāo)量場(chǎng)的工具,梯度的模表示 ,梯度的方向表示 。 6 方向?qū)?shù)與梯度的關(guān)系為 。

編輯切換為居中

編輯

第二章 靜電場(chǎng)

1 點(diǎn)電荷q在空間產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度計(jì)算公式為 。

2 點(diǎn)電荷q在空間產(chǎn)生的電位計(jì)算公式為 。

編輯切換為居中

6 處于靜電平衡狀態(tài)的導(dǎo)體,導(dǎo)體表面電場(chǎng)強(qiáng)度的方向沿 。

7 處于靜電平衡狀態(tài)的導(dǎo)體,導(dǎo)體內(nèi)部電場(chǎng)強(qiáng)度等于 。

8處于靜電平衡狀態(tài)的導(dǎo)體,其內(nèi)部電位和外部電位關(guān)系為 。

9 處于靜電平衡狀態(tài)的導(dǎo)體,其內(nèi)部電荷體密度為 。

10處于靜電平衡狀態(tài)的導(dǎo)體,電荷分布在導(dǎo)體的 。

編輯切換為居中

17 介質(zhì)中極化電荷的體密度

編輯

20 電位移矢量D,電場(chǎng)強(qiáng)度矢量E之間的關(guān)系為 。

21 電介質(zhì)強(qiáng)度指的是 。

22 靜電場(chǎng)中,電場(chǎng)強(qiáng)度的旋度等于 。

23 靜電場(chǎng)中,電位移矢量的散度等于 。

24 靜電場(chǎng)中,電場(chǎng)強(qiáng)度沿任意閉合路徑的線積分等于 。

25 靜電場(chǎng)中,電位移矢量在任意閉合曲面上的通量等于 。

26 靜電場(chǎng)中,電場(chǎng)強(qiáng)度的分界面條件是 。

27 靜電場(chǎng)中,電位移矢量的分界面條件是 。

28 靜電場(chǎng)中,電位滿足的泊松方程是 。

29 靜電場(chǎng)中,電位滿足的分界面條件是 。

30 靜電場(chǎng)中,電位在兩種介質(zhì)分界面上的法向?qū)?shù)滿足 。

31 靜電場(chǎng)中,電位在兩種介質(zhì)分界面上的切向?qū)?shù)滿足 。

32 靜電場(chǎng)中,電位在導(dǎo)體介質(zhì)分界面上的法向?qū)?shù)滿足 。

33 靜電場(chǎng)中,電位在導(dǎo)體介質(zhì)分界面上的切向?qū)?shù)滿足 。

34 靜電場(chǎng)邊值問題中第一類邊界條件是 。

35 靜電場(chǎng)邊值問題中第二類邊界條件是 。

36 靜電場(chǎng)邊值問題中第三類邊界條件是 。

37 元電荷dq在空間產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度計(jì)算公式為 。

38 元電荷dq在空間產(chǎn)生的電位計(jì)算公式為 。

39 靜電場(chǎng)基本方程的微分形式為 。

40 靜電場(chǎng)邊值問題是指 。

第三章 恒定電場(chǎng)

1 體電流密度的單位是 。

2 面電流密度的單位是 。

3 體電流密度與電荷速度間的關(guān)系為 。

4 面電流密度與電荷速度間的關(guān)系為 。

5 電流密度與電場(chǎng)強(qiáng)度間的關(guān)系為 。

6 局外電場(chǎng)定義是 。

7 電源電動(dòng)勢(shì)的定義為 。

8 電流連續(xù)性方程積分形式的數(shù)學(xué)表達(dá)式為 。

9 電流連續(xù)性方程微分形式的數(shù)學(xué)表達(dá)式為 。

10 恒定電場(chǎng)中電流連續(xù)性方程積分形式的數(shù)學(xué)表達(dá)式為 。

11 恒定電場(chǎng)中電流連續(xù)性方程微分形式的數(shù)學(xué)表達(dá)式為 。

12 恒定電場(chǎng)基本方程是 。

13 恒定電場(chǎng)輔助方程是 。

14 歐姆定律的微分形式為 。

15 恒定電場(chǎng)電場(chǎng)強(qiáng)度與電位關(guān)系為 。

16 電源外恒定電場(chǎng)電位滿足的方程為 。

17 恒定電場(chǎng)中兩導(dǎo)電媒質(zhì)分界面上,電流密度的分界面條件是 。

18 恒定電場(chǎng)中在已知導(dǎo)電媒質(zhì)電導(dǎo)率的情況下,在分界面上,電位的法向?qū)?shù)滿足的分界面條件是 。

第四章 恒定磁場(chǎng)

1 體電流元、面電流元和線電流元分別表示為 、 、 。

編輯切換為居中

10 庫(kù)倫規(guī)范表示為 。

11 曲面S上的磁通為曲面上 的通量,表示為 。

12 用矢量磁位計(jì)算磁通的公式為 。

13 磁通連續(xù)的微分表示為 。

14 磁感線方程表示為坐標(biāo)形式為 ,表示為矢量形式為 。

15 在平行平面場(chǎng)中,磁感線就是 。

16 磁感應(yīng)強(qiáng)度的旋度等于 。

17 半徑為R的直導(dǎo)線通有電流I,電流均勻分布,導(dǎo)線內(nèi)部的磁感應(yīng)強(qiáng)度為 ,外部的磁感應(yīng)強(qiáng)度為 。

18 無限大平面上有電流分布,電流面密度K為常矢量,平面兩側(cè)磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為 。

19 磁偶極子是圍成的面積很小的載流回路,設(shè)回路面積為S,回路電流為I,則磁偶極子的磁偶極矩m= 。

20 磁化強(qiáng)度M的物理含義是 。

21 磁化電流的體密度JM= 。

22 磁化電流的面密度KM= 。

23 磁場(chǎng)強(qiáng)度H,磁感應(yīng)強(qiáng)度B,磁化強(qiáng)度M間的關(guān)系為 。

24 對(duì)于線性、各向同性介質(zhì),磁場(chǎng)強(qiáng)度H和磁感應(yīng)強(qiáng)度B間的關(guān)系為 。

25 恒定磁場(chǎng)基本方程的微分形式為 。

26 恒定磁場(chǎng)的輔助方程為 。

27 磁感應(yīng)強(qiáng)度的分界面條件是 。

28 磁場(chǎng)強(qiáng)度的分界面條件是 。

29 當(dāng)分界面上無自由電流時(shí),磁場(chǎng)強(qiáng)度的分界面條件是 。

30 磁場(chǎng)強(qiáng)度的旋度等于 。

31 磁場(chǎng)強(qiáng)度沿任意閉合環(huán)路的線積分等于環(huán)路環(huán)繞的 。

32 矢量磁位的泊松方程為 。

第五章 時(shí)變電磁場(chǎng)電場(chǎng)

1 法拉第電磁感應(yīng)定律的實(shí)質(zhì)是變化的磁場(chǎng)產(chǎn)生 。

2 變壓器電動(dòng)勢(shì)是指 。

3 發(fā)電機(jī)電動(dòng)勢(shì)是指 。

4 由變化磁場(chǎng)產(chǎn)生的電場(chǎng)稱為感應(yīng)電場(chǎng),感應(yīng)電場(chǎng)的旋度等于 。

5 位移電流密度定義為JD= 。

6 有三種形式的電流,分別為 , , ,相應(yīng)的電流密度形式分別為 , , 。

7 位移電流假設(shè)的實(shí)質(zhì)是變化的電場(chǎng)產(chǎn)生 。

8 全電流定律的微分形式為 。

9 寫出麥克斯韋方程組的積分形式及其輔助方程。

10 寫出麥克斯韋方程組的微分形式及其輔助方程。

11 兩介質(zhì)分界面上電場(chǎng)強(qiáng)度的折射定律為 。

12 兩介質(zhì)分界面上磁場(chǎng)強(qiáng)度的折射定律為 。

13寫出向量形式的麥克斯韋方程組的微分形式及其輔助方程。

第六章 鏡像法

1 實(shí)施鏡像法的理論基礎(chǔ)是 。

2 在實(shí)施鏡像法的過程中,不可以變的是 ?, ,

,可以變的是 , 。

3 寫出實(shí)施鏡像法的步驟。

4 無限大導(dǎo)體上方h處有一點(diǎn)電荷q,則上半空間任意一點(diǎn)處的電場(chǎng)強(qiáng)度為 。

5無限大導(dǎo)體上方h處有一點(diǎn)電荷q,導(dǎo)體表面電場(chǎng)強(qiáng)度分布規(guī)律為 。

6 無限大導(dǎo)體上方h處有一點(diǎn)電荷q,導(dǎo)體表面感應(yīng)電荷的面密度分布規(guī)律為 。

7 直角區(qū)域的邊界電位為0,一點(diǎn)電荷到兩邊界的距離分別為a,b,以直角區(qū)域?yàn)榍蠼怆妶?chǎng)的區(qū)域,寫出鏡像電荷。

8接地導(dǎo)體球半徑為R,球外距球心d處有一點(diǎn)電荷q,以導(dǎo)體球外為求解空間,則鏡像電荷q’= ,距球心距離 。

9 接地導(dǎo)體球半徑為R,球外距球心d處有一點(diǎn)電荷q,則導(dǎo)體外空間電場(chǎng)強(qiáng)度為 。

10 接地導(dǎo)體球半徑為R,球外距球心d處有一點(diǎn)電荷q,則導(dǎo)體球面上距q最近點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為 ,距q最遠(yuǎn)點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為 。

11 接地導(dǎo)體球半徑為R,球外距球心d處有一點(diǎn)電荷q,則導(dǎo)體球面上的感應(yīng)電荷面密度為 。

12 不接地導(dǎo)體球半徑為R,球外距球心d處有一點(diǎn)電荷q,則導(dǎo)體球電位為 。

13 距無限大電介質(zhì)分界面h處放置一點(diǎn)電荷q,點(diǎn)電荷在第一種介質(zhì)中,兩種介質(zhì)的介電常數(shù)分別為

,以第一種介質(zhì)為求解區(qū)域,則鏡像電荷為 ,位置在 ,上半空間任意一點(diǎn)處的電場(chǎng)強(qiáng)度為 。

14 距無限大電介質(zhì)分界面h處放置一點(diǎn)電荷q,點(diǎn)電荷在第一種介質(zhì)中,兩種介質(zhì)的介電常數(shù)分別為

,以第二種介質(zhì)為求解區(qū)域,則鏡像電荷為 ,位置在 ,下半空間任意一點(diǎn)處的電場(chǎng)強(qiáng)度為 。

第八章 電磁場(chǎng)的能量和力

1 已知n個(gè)導(dǎo)體的電量為

,電位

,該靜電系統(tǒng)的電場(chǎng)能量為 。

2 已知電場(chǎng)的電位移矢量D和電場(chǎng)強(qiáng)度E,則電場(chǎng)能量分布的體密度為 。

編輯切換為居中

6 已知磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B和磁場(chǎng)強(qiáng)度H,則磁場(chǎng)能量分布的體密度為 。

7 頗印亭矢量Sp= ,物理含義 。

8 電位不變時(shí),關(guān)于廣義坐標(biāo)g的廣義電場(chǎng)力fg= ,電量不變時(shí),關(guān)于廣義坐標(biāo)g的廣義電場(chǎng)力fg= 。

9 電流不變時(shí),關(guān)于廣義坐標(biāo)g的廣義磁場(chǎng)力fg= ,磁鏈不變時(shí),關(guān)于廣義坐標(biāo)g的廣義磁場(chǎng)力fg= 。

10 當(dāng)廣義坐標(biāo)為角度時(shí),利用虛位移法計(jì)算的廣義力為 。

第九章 平面電磁波

1 無限大理想介質(zhì)中的均勻平面電磁波為TEM波,電場(chǎng)方向、磁場(chǎng)方向和波的傳播方向之間的關(guān)系為 。

2 理想介質(zhì)中的均勻平面電磁波電場(chǎng)強(qiáng)度與磁場(chǎng)強(qiáng)度比值為 。

編輯切換為居中

5 真空介質(zhì)的波阻抗為 。

6 證明理想介質(zhì)中的平面電磁波電場(chǎng)能量密度與磁場(chǎng)能量密度相等。

7 理想介質(zhì)中的平面電磁波電場(chǎng)強(qiáng)度與磁場(chǎng)強(qiáng)度相位關(guān)系為 。

8 頻率為f,傳播速度為v的平面電磁波在理想介質(zhì)中傳播,相位常數(shù)為 ,其物理意義為 。

編輯切換為居中

16 透入深度定義為 ,與衰減常數(shù)的關(guān)系為 。

17 良導(dǎo)體中衰減常數(shù)與相位常數(shù)的關(guān)系為 。

18 良導(dǎo)體中電磁波的透入深度為

,因此,對(duì)于高頻電磁波,電磁場(chǎng)只能存在于導(dǎo)體的 ,這一現(xiàn)象叫 。

第十章 電路參數(shù)的計(jì)算原理

編輯切換為居中

編輯切換為居中

編輯切換為居中


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