第一章 1.X射線的產(chǎn)生P3 答：實(shí)驗(yàn)室中用的X射線通常由X射線機(jī)產(chǎn)生，陰極燈絲產(chǎn)生電子，經(jīng)過(guò)加速轟擊陽(yáng)極靶，一部分能量轉(zhuǎn)化為X射線，大部分能量轉(zhuǎn)化為熱能。 2.X射線譜有哪兩種類型？何謂Ka射線？何謂Kb射線？為什么Ka射線中包含Ka1 和Ka2？P7-P8 答：X射線譜有連續(xù)X射線和特征X射線兩種。 按照原子結(jié)構(gòu)的殼層模型，院子中的電子分布在以原子核為核心的若干殼層中，光譜學(xué)依次稱為K、L、M、N...殼層。L→K的躍遷產(chǎn)生的射線稱為Ka射線。M→K的躍遷產(chǎn)生的射線稱為Kb射線。L殼層能級(jí)實(shí)際上由三個(gè)子能級(jí)構(gòu)成，由L3和L2子能級(jí)向K能級(jí)躍遷產(chǎn)生的射線分別為Ka1 和Ka2。 3.晶體對(duì)X射線的散射有哪兩類？X射線衍射用的是哪一類？P10 X射線的散射分為相干散射和不相干散射兩類。 X射線衍射用的是相干散射。 4.布拉格方程的表達(dá)式、闡明的問題以及所討論的問題.P23 布拉格方程：2dsinθ=nλ ? d為晶面間距，θ為入射束與反射面的夾角，λ為X射線的波長(zhǎng)，n為衍射級(jí)數(shù)。 討論：1、sinθ=nλ/2d 由 sinθ≤1,得到nλ≤2d，n最小值為1，因而λ≤2d。說(shuō)明X射線的波長(zhǎng)必須小于晶面間距的二倍，才能產(chǎn)生衍射現(xiàn)象; ? ? ?2、由nλ≤2d，得到d≥λ/2，因而只有那些晶面間距大于入射X射線波長(zhǎng)一半的晶面才能發(fā)生衍射;(dhkl/n)*sinθ=λ，令dhkl/n=dHKL ，則2dHKLsinθ=λ，得到dHKL=dhkl/n，因而把(hkl)晶面的n級(jí)反射看成為與(hkl)晶面平行，面間距為dHKL=dhkl/n的晶面的一級(jí)反射。 ? ? ?3、 原子面對(duì)X射線的衍射并不是任意的，而是具有選擇性的。 ? ? ?4、 一種晶體結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)獨(dú)特的衍射花樣。 5.粉晶X射線衍射卡片檢索手冊(cè)的基本類型有哪幾種？每種手冊(cè)的編排特點(diǎn)是什么？P66-P67 答：索引共有三種：字順?biāo)饕?Alphabetical Index)；哈那瓦特法(Hanawalt Method)；芬克索引法(Fink Index). 字順?biāo)饕前凑瘴镔|(zhì)的英文名稱的字母順字排列的，每種物質(zhì)名稱后面列出其化學(xué)分子式，三根最強(qiáng)線d值和相對(duì)強(qiáng)度數(shù)據(jù)，以及該物質(zhì)的PDF卡片號(hào)碼； 哈那瓦特法是按照強(qiáng)弱順序列出八條強(qiáng)線的面間距d、相對(duì)強(qiáng)度、化學(xué)式以及卡片序號(hào)。由于三根最強(qiáng)線的相對(duì)強(qiáng)度常常因?yàn)楦鞣N原因有所變動(dòng)，所以每種物質(zhì)在索引中三強(qiáng)線以類似（d1d2d3）（d2d3d1）(d3d1d2)的順序重復(fù)出現(xiàn)，這樣，即使三強(qiáng)線的相對(duì)強(qiáng)度有所變動(dòng)，仍可找出該物質(zhì)。 芬克索引法主要以八根最強(qiáng)線的d值作為分析依據(jù)，而把強(qiáng)度數(shù)據(jù)作為次要依據(jù)。依據(jù)d值的遞減次序列出該物質(zhì)的八條

最強(qiáng)線的d值、英文名稱、卡片序號(hào)以及微縮膠片號(hào)。

6.X射線粉末衍射法物相定性分析依據(jù)P63

一、X射線衍射線的位置決定于晶胞的形狀和大小，即決定于各晶面的面間距，而衍射線的相對(duì)強(qiáng)度則決定于晶胞內(nèi)原子的種類、數(shù)目及排列方式。每種晶態(tài)物質(zhì)都有特定的結(jié)構(gòu)，因而就有其獨(dú)特的衍射花樣。 二、當(dāng)試樣中包含兩種或者兩種以上的結(jié)晶物質(zhì)時(shí)，他們的衍射花樣會(huì)同時(shí)出現(xiàn)，而不會(huì)互相干涉。于是當(dāng)我們分析試樣的衍射花樣時(shí)，發(fā)現(xiàn)與某種結(jié)晶物質(zhì)相同的衍射花樣時(shí)，就可斷定試樣中包含有這種結(jié)晶物質(zhì)。

三、國(guó)際衍射協(xié)會(huì)制定了標(biāo)準(zhǔn)的pdf卡片。

7.物相定性分析步驟P67-P68

一、粉末衍射圖的獲得；

二、衍射線d值的測(cè)定；

三、衍射線相對(duì)強(qiáng)度的測(cè)定；

四、查閱索引；

五、核對(duì)卡片。

8.對(duì)一張混合物相的X射線衍射圖進(jìn)行定性分析時(shí)，應(yīng)注意哪幾個(gè)問題？P69

一、d值的數(shù)據(jù)比相對(duì)強(qiáng)度的數(shù)據(jù)重要。d值必須當(dāng)相當(dāng)符合，一般要到小數(shù)點(diǎn)后兩位才允許有誤差；

二、低角度區(qū)域的衍射數(shù)據(jù)比高角度區(qū)域的數(shù)據(jù)重要。低角度衍射線對(duì)應(yīng)d值較大晶面，對(duì)于不同晶體來(lái)說(shuō)，差別加大，重疊機(jī)會(huì)較少，不易相互干擾。高角度的衍射線對(duì)應(yīng)d值較小的晶面，對(duì)于不同晶體來(lái)說(shuō)，晶面間距相近機(jī)會(huì)多，容易混淆；

三、了解樣品的參數(shù)；

四、強(qiáng)線比弱線重要；

五、晶體擇優(yōu)取向時(shí)會(huì)使某根線條強(qiáng)度異常強(qiáng)或者弱

六、進(jìn)行多相分析時(shí)，重視礦物的特征線，每條線要找到出處；

七、盡量將X射線物相分析與其他分析方法結(jié)合起來(lái)；

八、要確定試樣中含量較少的相時(shí)，可用物理或者化學(xué)方法進(jìn)行富集濃縮；

9.用衍射儀測(cè)量時(shí)，X射線衍射線的相對(duì)積分強(qiáng)度與那些因素有關(guān)。P26-P27

X射線衍射線的相對(duì)積分強(qiáng)度與結(jié)構(gòu)因數(shù)、多重性因數(shù)P、角因數(shù)（1+cos2θ）/sin2θcosθ、溫度因數(shù)e-2m、吸收因數(shù)有關(guān)。

10.系統(tǒng)消光？產(chǎn)生衍射的條件？P29-P31

由于Fhkl=0使衍射線消光的現(xiàn)象叫做系統(tǒng)消光。

滿足布拉格方程&Fhkl≠0是產(chǎn)生衍射現(xiàn)象的充分條件。

第二章

1.如何提高顯微鏡分辨本領(lǐng)，電子透鏡的分辨本領(lǐng)受哪些條件的限制？P97

由光學(xué)顯微鏡的分辨本領(lǐng)公式：r=0.61λ/nsinα,可知透鏡的分辨本領(lǐng)r值與nsinα成反比，與照明源波長(zhǎng)成正比，r值越小，分辨本領(lǐng)越高。提高分辨本領(lǐng)，即減小r值的途徑有：（1）增加介質(zhì)的折射率；（2）增大物鏡孔徑半角；（3）采用短波長(zhǎng)的照明源

電子透鏡的分辨本領(lǐng)受到衍射效應(yīng)、球差、色差、軸上像散等因素的影響。

2.透射電子顯微鏡的成像原理是什么，為什么必須小孔徑成像？P105-P107

透射電鏡成像原理：電子槍產(chǎn)生的電子束經(jīng)1-2級(jí)聚光鏡會(huì)聚后均勻照射到試樣上的某一待觀察的微小區(qū)域，入射電子與試樣物質(zhì)相互作用，由于試樣很薄，絕大部分電子穿透試樣，其強(qiáng)度分布與所觀察試樣區(qū)的形貌、組織、結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)，透射出的電子經(jīng)物鏡、中間鏡、投影鏡的三級(jí)磁透鏡放大投射在觀察圖形的熒光屏上，熒光屏把電子強(qiáng)度分布轉(zhuǎn)變?yōu)槿搜劭梢姷墓鈴?qiáng)分布，于是在熒光屏上顯示出與試樣形貌、組織、結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的圖像。

球差是電子顯微鏡的主要像差之一，球球差彌散圓半徑正比于透鏡孔徑半角的3次方，色差與軸上像散形成的最小彌散圓半徑均與孔徑半角成正比，減小孔徑即可減小透鏡孔徑半角，可以提高透鏡分辨本領(lǐng)。

3.掃描電子顯微鏡的工作原理是什么？P145

電子槍發(fā)射電子，經(jīng)會(huì)聚稱為微細(xì)電子束，在掃描線圈驅(qū)動(dòng)下，在試樣表面掃描，于試樣相互作用，產(chǎn)生二次電子，二次電子信號(hào)被探測(cè)器收集轉(zhuǎn)換為電訊號(hào)，經(jīng)視頻放大后，輸入到顯像管，得到反映試樣表面的二次電子像。

4.與光學(xué)顯微鏡和透射電子顯微鏡比較掃描電鏡有哪些優(yōu)點(diǎn)？P145

一、掃描電鏡制樣簡(jiǎn)單，可以對(duì)大塊材料直接觀察；

二、場(chǎng)深大可以用于粗糙表面和斷口的分析；

三、放大倍數(shù)變化范圍大；

四、分辨率較高；

五、可以進(jìn)行固體材料表面與界面分析；

六、可以通過(guò)電子學(xué)方法有效控制和改善圖像質(zhì)量；

七、配接其他儀器可以進(jìn)行其他功能的分析；

八、可使用加熱、冷卻和拉伸等樣品臺(tái)進(jìn)行動(dòng)態(tài)試驗(yàn)；

5.電子探針X射線顯微分析儀有哪些工作模式，能譜儀的特點(diǎn)是什么？P165

一是定點(diǎn)分析，即對(duì)樣品表面選定微區(qū)作定點(diǎn)的全譜掃描，進(jìn)行定性或半定量分析，并對(duì)其所含元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)進(jìn)行定量分析；

二是線掃描分析，即電子束沿樣品表面選定的直線軌跡進(jìn)行所含元素質(zhì)量分?jǐn)?shù)的定性或半定量分析；

三是面掃描分析，即電子束在樣品表面作光柵式面掃描，以特定元素的X射線的信號(hào)強(qiáng)度調(diào)制陰極射線管熒光屏的亮度，獲得該元素質(zhì)量分?jǐn)?shù)分布的掃描圖像。

能譜儀特點(diǎn)：

1、分析速度快；2、分辨率低；3、峰背底小，分析困難；4、分析范圍從11-92（Na-V）元素；5、可低倍掃描，大視域元素分布圖；6、樣品污染小；7、可以進(jìn)行粗糙表面分析；8、不受聚焦圓限制，樣品位置可以起伏2-3mm；9、探測(cè)器在液氮下保存，維護(hù)費(fèi)用高。

6.透射電子顯微鏡的電子顯微圖像包括哪幾種類型？主要用來(lái)觀察什么？產(chǎn)生機(jī)制是什么？P122，P137-141

主要包括質(zhì)厚襯度、衍射襯度、相位襯度

質(zhì)厚襯度：觀察表面形貌；產(chǎn)生機(jī)制：由于試樣各部分的密度和厚度不同形成的透射強(qiáng)度的差異；

衍射襯度：觀察缺陷；產(chǎn)生機(jī)制：由于晶體薄膜內(nèi)各部分滿足衍射條件的程度不同形成的衍射強(qiáng)度的差異；

相位襯度：觀察晶格像和原子投影位置的結(jié)構(gòu)像；產(chǎn)生機(jī)制：入射電子收到試樣原子散射，得到透射波和散射波，兩者振幅接近，強(qiáng)度差很小，兩者之間引入相位差，使得透射波和合成波振幅產(chǎn)生較大差異，從而產(chǎn)生襯度。

7.何謂明場(chǎng)象？何謂暗場(chǎng)象?P137

用透射束形成的電子圖像最為清晰，明銳，稱為明場(chǎng)像（BF）；

用衍射束形成的電子圖像稱為暗場(chǎng)像（DF）。

8.何謂二次電子？掃描電鏡中二次電子像的襯度與什么因素有關(guān)?為什么？最適宜觀察什么？P154-155

二次電子是單電子激發(fā)過(guò)程中被入射電子轟出的試樣原子核外電子；

二次電子像的襯度與試樣表面的傾角有關(guān)；

試樣表面凸出處有較大的二次電子發(fā)射電流；

最適宜用于粗糙表面以及斷口的形貌觀察；

9.何謂背散射電子？掃描電鏡中背散射電子襯度與什么因素有關(guān)？為什么？最適宜觀察什么？P151-P153

背散射電子是有由樣品反射回來(lái)的初次電子；

其電子襯度與試樣表面傾角以及試樣的原子序數(shù)有關(guān)；

背散射電子是初次電子與試樣原子發(fā)生非彈性碰撞，反射回來(lái)的電子，因而試樣原子序數(shù)越大，其產(chǎn)生的背散射電子越多。同時(shí)背散射電子產(chǎn)生于試樣表面，試樣表面傾角的改變對(duì)作用體積影響很大，在試樣傾斜及凸出處有較大的發(fā)射量。

最適合分析形貌，可以顯示原子序數(shù)襯度，定性進(jìn)行分析

10.掃描電鏡中二次電子像為什么比背散射電子像的分辨率更高？

二次電子像無(wú)影像，背散射電子像是有影像的；

二次電子來(lái)自試樣表面淺層，束斑直徑小，分辨率高，背散射電子來(lái)自試樣表面較深層，束斑直徑大。

11.電子探針X射線顯微分析有哪兩大類？具體的分析方法有哪些？P166

電子探針的顯微分析分為能譜儀和波譜儀兩種分析方法。

具體分析方法有定點(diǎn)定性、線掃描分析、面掃描分析定點(diǎn)定量分析

12.比較X射線波譜分析與X射線能譜分析的異同P165

不同點(diǎn)：

操作特性

波譜儀

能譜儀

分析元素范圍

Z≥4(Be)

Z≥11(鈹窗)Z≥6(無(wú)窗)

分辨率

與分光晶體有關(guān)，分辨率高，~5ev

與能量有關(guān)，分辨率低，~150ev

電流

高

低

用途

精確定量分析，多用于超輕元素測(cè)量

可低倍掃描，大視域元素分布圖，適合于與掃描電鏡配合使用

分析精度

±1%~5%

≤±5%

靈敏度

靈敏度低

靈敏度高

譜失真

少

主要有逃逸峰、峰重疊、脈沖堆積等

分析檢測(cè)極限

高（50-100ppm）

低（1500-2000ppm）

全元素定性分析時(shí)間

慢

快

分析功能

元素種類數(shù)量和化學(xué)結(jié)合態(tài)

元素種類數(shù)量

對(duì)表面要求

平整光滑

較為粗糙表面也可

峰背底

峰背底大，數(shù)據(jù)處理簡(jiǎn)單

峰背底小，數(shù)據(jù)處理困難

對(duì)樣品影響

對(duì)樣品污染大

對(duì)樣品污染小

注：1、能譜儀不受聚焦圓限制，樣品位置可起伏2-3mm； ? ?2、能譜儀探測(cè)器在液氮下保存，維護(hù)費(fèi)用高。

相同點(diǎn)：均是配合掃描電鏡或者電子探針使用。

第三章

1.簡(jiǎn)述差熱分析的原理。P187

采用示差熱電偶，一端測(cè)溫，一端記錄并測(cè)定試樣與參比物之間的溫度差，以達(dá)到了解試樣在升溫或降溫過(guò)程中的熱變化，以鑒定未知試樣。

2.為何用外延始點(diǎn)作為DTA曲線的反應(yīng)起始溫度？P193

曲線開始偏離基線那點(diǎn)的切線與曲線最大斜率切線的交點(diǎn)最接近熱力學(xué)的平衡溫度。

3.熱分析用的參比物有何性能要求？P190

一、測(cè)溫范圍內(nèi)不發(fā)生熱效應(yīng)的物質(zhì)；

二、比熱和導(dǎo)熱性能與試樣相近；

三、粒度與試樣相近。

4.影響差熱分析的儀器、試樣、操作因素是什么？P194-P198

儀器因素：氣氛和壓力的選擇；

試樣因素：晶體結(jié)構(gòu)影響、氧離子電負(fù)性、離子半徑及電價(jià)的影響、氫氧離子濃度的影響；

操作因素：參比物的選取、升溫速率的選擇、試樣的密實(shí)度、用量多少，粒度大小。

5.闡述DTA、DSC的異同。P204

相同點(diǎn)：兩者都是通過(guò)加熱過(guò)程所產(chǎn)生的熱效應(yīng)來(lái)分析試樣的物理化學(xué)變化，曲線形貌和分析方法類似。

不同點(diǎn)：

?DTA：測(cè)溫差，定性分析，測(cè)溫范圍大，靈敏性低

?DSC：測(cè)能量差，定量分析，精度高，測(cè)溫范圍?。ㄏ鄬?duì)DTA）靈敏度高

6.闡述功率補(bǔ)償型/熱流型DSC技術(shù)的原理和特點(diǎn)。P204

功率補(bǔ)償型DSC：試樣和參比物分別填在加熱器中，且有獨(dú)立傳感器，程序控制溫度下，測(cè)量保持試樣與參比物相同溫度所需的能量。特點(diǎn)：參比物和試樣之間沒有溫度差，兩個(gè)加熱裝置且相互獨(dú)立，啟用功率補(bǔ)償器，

熱流型DSC:試樣和參比物分別填裝在加熱器中，程序控制溫度下，測(cè)量試樣和參比物溫度差。特點(diǎn)：參比物與試樣之間有溫度差，一個(gè)加熱裝置

7.簡(jiǎn)述熱重分析的特點(diǎn)和影響因素。P211

特點(diǎn)：有兩種測(cè)試方法，動(dòng)法、靜法。靜法精度較高，能記錄微小的失重變化，但操作繁復(fù)，時(shí)間較長(zhǎng)；動(dòng)法能自動(dòng)記錄，可與差熱分析法緊密配合，有利于對(duì)比分析，但對(duì)微小的質(zhì)量變化靈敏度較低。

影響因素：浮力變化和對(duì)流的影響、揮發(fā)物的再凝聚及溫度測(cè)量、坩堝形狀及藥品填裝等

8.舉例說(shuō)明熱分析技術(shù)在玻璃和微晶玻璃材料研究中的應(yīng)用。

利用熱分析技術(shù)可以判斷出玻璃析晶的活化能，判斷出最佳成核溫度，成長(zhǎng)溫度，對(duì)微晶玻璃的研究有很大幫助；通過(guò)熱分析也可以判定玻璃的成型工藝。

第四章

1.闡述分子振動(dòng)的形式P227

雙原子分子：伸縮振動(dòng)

多原子分子：伸縮振動(dòng)：對(duì)稱伸縮、不對(duì)稱伸縮

面內(nèi)彎曲：面內(nèi)搖擺，面內(nèi)剪式

面外彎曲：面外搖擺，面外扭曲

2.紅外光譜振動(dòng)吸收帶的類型。P235

特征譜帶區(qū)指紅外光譜中振動(dòng)頻率在4000-1333cm-1之間的吸收譜帶。這一區(qū)域內(nèi)，在不同分子中，和一個(gè)特定的基團(tuán)的振動(dòng)頻率基本是相同的。

指紋譜帶區(qū)指紅外光譜中振動(dòng)頻率在1333-667cm-1之間的吸收譜帶。這一區(qū)域內(nèi)，吸收帶數(shù)量密集復(fù)雜，每種化合物在結(jié)構(gòu)上的細(xì)小差別可以區(qū)別出來(lái)。

3.產(chǎn)生紅外吸收的條件是什么？P230

1、振動(dòng)頻率與紅外光光譜段的某頻率相等；

2、偶極矩的變化。

4.闡述紅外光譜吸收帶強(qiáng)度及其位置的影響因素。P234

吸收強(qiáng)度影響因素：偶極矩和能級(jí)躍遷幾率。

吸收帶位置影響因素：誘導(dǎo)效應(yīng)、鍵應(yīng)力常數(shù)、氫鍵、物質(zhì)狀態(tài)、共軛效應(yīng)、偶合

5.5闡述紅外光譜定性分析四要素P232

峰數(shù)：譜帶數(shù)目；峰位：吸收帶的位置；峰形：譜帶形狀；峰強(qiáng)：譜帶強(qiáng)度。

6.試比較紅外光譜和拉曼光譜的異同。P251

光譜種類

拉曼光譜

紅外光譜

頻數(shù)范圍

40-4000cm-1

400-4000cm-1

容器要求

樣品可裝于玻璃瓶、試管中直接測(cè)量

不能用玻璃容器測(cè)定

溶劑要求

水能作溶劑

水不能作溶劑

試樣要求

固體試樣可直接測(cè)量

需要研磨KBr壓片

光譜產(chǎn)生原因

入射光與分子振動(dòng)能量交換

振動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)、能級(jí)躍遷

敏感官能團(tuán)

對(duì)非極性官能團(tuán)強(qiáng)烈

對(duì)極性官能團(tuán)強(qiáng)烈

表征

碳鏈振動(dòng)表征方便

碳鏈上取代基表征方便

兩者關(guān)系

拉曼位移與紅外吸收互補(bǔ)

譜帶要素

峰數(shù)、峰位、峰形、峰強(qiáng)

注：相同點(diǎn)：拉曼光譜和紅外光譜均是由分子轉(zhuǎn)動(dòng)振動(dòng)吸收紅外光得到的光譜，產(chǎn)生條件相同，即：振動(dòng)頻率與紅外光光譜段的某頻率相等；偶極矩的變化。

第五章

1.光電效應(yīng)？

具有一定能量的光子與試樣中的院子相互作用時(shí)，單個(gè)光子把全部能量交給原子中某殼層上的一個(gè)受束縛電子，這個(gè)電子獲得了電子能量。如果其能量超過(guò)該電子的結(jié)合能，該電子脫離原來(lái)所受束縛，多余能量轉(zhuǎn)化為電子動(dòng)能，這個(gè)過(guò)程叫做光電效應(yīng)。

2.化學(xué)位移？化學(xué)位移規(guī)律？

同種原子中處于不同的化學(xué)環(huán)境的電子引起結(jié)合能的變化，在譜線上造成位移，稱為化學(xué)位移。

規(guī)律：

電負(fù)性越大，造成的化學(xué)位移就越大。

氧化態(tài)越高，造成的化學(xué)位移越大。

3、XPS伴線有哪些？并簡(jiǎn)明說(shuō)明之？

俄歇線、X射線衛(wèi)星線、多重分裂線、振激振離線、能量損失線、鬼線

俄歇線：其產(chǎn)生有連個(gè)特征：與X射線源無(wú)關(guān)，改變X射線，俄歇線不變；俄歇線是以譜線群的形式出現(xiàn)的。

X射線衛(wèi)星線：X射線的伴線能量比主線高，因此樣品XPS中光電子伴峰總是位于主峰的低結(jié)合能一端。

多重分裂線：多重分裂峰的相對(duì)強(qiáng)度等于終態(tài)的統(tǒng)計(jì)權(quán)重。

振激振離線：振離峰以平滑連續(xù)譜的形式出現(xiàn)在光電子主峰低動(dòng)能的一邊，連續(xù)譜的高動(dòng)能端有一陡限。振激峰也是出現(xiàn)在其低能端，比主峰高幾ev，并且一條光電子峰可能有幾條振激伴線。

能量損失線：隨著X射線的波動(dòng)而波動(dòng)。

鬼線：不確定線

4.荷電效應(yīng)？

X射線射向樣品，表面不斷產(chǎn)生光子，造成表面電子空穴，使樣品帶正電，如果樣品是絕緣體或者半導(dǎo)體，表面電子空穴無(wú)法從金屬試樣中得到補(bǔ)充，使得樣品表面帶正電，這叫做荷電效應(yīng)。

5．常用的XPS譜圖能量校正方法

中和法和內(nèi)標(biāo)法，

中和法有兩種方法：再測(cè)一份超薄樣品的光電子能譜，進(jìn)行中和或者用中和電子槍進(jìn)行測(cè)試。

內(nèi)標(biāo)法：在樣品中摻雜某種物質(zhì)，進(jìn)行標(biāo)樣，通常情況下，由于及其中的燃油泵中物質(zhì)進(jìn)入樣品，形成譜圖上的C1s峰（284.3ev），測(cè)得圖譜后，可以用此峰進(jìn)行校正，另外，還可以用Ar2P3\2進(jìn)行標(biāo)定。