離子減薄制樣介紹
????????近年來,離子減薄制樣技術成為了材料科學研究中不可替代的一種方法。該技術通過高能離子束將樣品表面原子層逐層剝離,從而得到具備高質量的材料薄片。它不僅可以對研究樣品的結構和性質進行研究,還可以用于制備各種功能材料和納米器件。在本文中,我們將介紹離子減薄制樣技術的基本過程、工作原理和應用領域。
????????離子減薄制樣技術的基本過程是:使用氬離子束轟擊樣品表面,通過離子束原子層剝離的效應逐漸剝離樣品表面的原子層。這樣就能夠得到一個具有高度平坦度和均勻厚度的樣品薄片。該薄片可以用于各種表征手段,例如透射電子顯微鏡(TEM)、高解析電子顯微鏡(HRTEM)、掃描電鏡(SEM)等。
????????工作原理是:離子束在樣品表面產生濺射效應和化學反應,與樣品發(fā)生能量轉移,引發(fā)表面原子和離子的反應和擴散,從而導致表面原子逐層被剝離。離子束的能量和角度、樣品的性質和溫度都是影響離子減薄制樣過程的重要因素。離子束能量高、離子束方向垂直于樣品表面、樣品表面光潔程度高、樣品表面溫度要充分升高且在一定范圍內變化等因素,均可提高離子減薄制樣效果。
通常減薄過程被大致分為兩步,第一步穿孔,第二步修整薄區(qū)。
????????第一步穿孔通常在較大離子束入射角(Theta,比如5度-7度,兩個離子槍可以一正一負角度進行配置,也可同為正角度配置)下進行。目的是為了在樣品上擊穿一個中心孔。中心孔可通過光學觀測系統發(fā)現,一旦出孔應立刻調整為第二步修整模式。
????????第二步修整則是使用較小入射角度(比如3度-4度)和較低離子束能量在擊穿孔邊緣修整出用于TEM實驗的薄區(qū)。通常制樣成敗決定于此,多數制樣失敗的情況是只減出通孔而未能修整出薄區(qū)。修整完薄區(qū)后還應該利用更低的離子束能量(低于修整能量),對樣品表面再進行適當的修整,去除前步減薄過程對樣品表面造成的損傷。

????????離子減薄制樣技術的應用領域十分廣泛。由于離子減薄制樣能夠獲得高質量的薄片,因此它可以應用于各種實驗方法,比如X光衍射(XRD)、拉曼光譜、電子能譜(XPS和ESCA)、光電子能譜(UPS)等。此外,離子減薄制樣技術還被廣泛應用于材料學、光學、電學、電子學、磁學、生物學、化學等領域,例如在光學制備中使用離子減薄制樣技術,行業(yè)用于制備半導體器件等,并廣泛應用于制備各種納米材料、光學元件、傳感器、晶體管等微納器件。
????????總體來講,離子減薄制樣技術是一種非常有效的材料制備和分析方法,它具有高度的可控性、準確性和可重復性,可以產生高質量的樣品薄片以供分析。因為離子減薄制樣技術可以制備各種具備特殊優(yōu)異性的材料,因此它在工業(yè)、科學和研究領域都獲得了廣泛的應用,是材料科學領域中必不可少的一種方法。
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