CSE為晶圓碰撞、墊片重鋪（線粘合）和ACF/ACA應用提供分包商化學鍍鐐設備服務。CSE在全國有三 個制造站點提供這些服務。我們的目標是以客戶為導向，靈活地滿足所有客戶需求。我們?yōu)樵汀⒐こ毯?研發(fā)項目以及大量生產提供支持。每個CSE設備每年的產量為60萬個晶圓。

CSE使用化學鍍鐐與化學鍍鋁和浸入金工藝相結合，提供幾種不同的墊片鰭和層厚度：

■?e-Ni/Au

■?e-Ni/Pd

■?e-Ni/Pd/Au

■?e-Ni/Ag

我們的柔性工藝可以根據(jù)要求和應用在2pm到25卩m之間沉積鐐厚度。？？可以沉積在100納米和300 納米之間，黃金通常沉積在30納米到100納米之間。運行此流程超過20年，我們很高興幫助您找到適 合您應用程序的規(guī)格。

化學鍍鐐/鍍金

碰撞下金屬化（UBM）是所有碰撞過程不可分割的一部分。該層通常通過物理氣相沉積（PVD）、電鍍或 化學鍍沉積。這三種UBM技術之間的選擇通常取決于成本和可靠性。PVD和電鍍技術需要高真空和光刻 步驟，因此被認為是高成本操作?；瘜W鐐/金工藝技術是一種簡單的濕化學工藝，是自定型的，因此相對于 其資本投資總額和運營成本而言，成本更低。

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對于鋁基集成電路，沉積化學鐐層的化學序列包括以下步驟：

1.?清潔墊子，免受因晶圓處理、存儲或制造過程變化而可能發(fā)生的任何有機或硅基污染。

2.?去除鋁墊表面可能積累的任何天然氧化物。這通常使用腐蝕性蝕刻化學品進行。

3.?鋁表面的激活。最常見的濕化學系統(tǒng)是“鋅化”，在電化學反應中，氧化鋅溶液用鋅代替一些墊鋁。實證 研究表明，通過剝離鋅層，然后在第二步中對其進行重整，可以產生更高質量的鋅層（所謂的“雙鋅”）。 這種鋅層改變了鋁墊的電勢，當浸入硫酸鐐溶液中時，鐐取代了這種鋅，自催化鐐反應仍在繼續(xù)。通過調 整鍍鐐浴的時間、溫度、pH值和化學濃度，可以產生1至25微米高的鐐結構。

4.?對于大多數(shù)應用來說，焊料的沉積不會立即遵循鐐沉積過程。由于鐐表面氧化得相當快，通常沉積在鐐 頂部的一層稀薄的稀有金屬，以保護表面免受氧化。有兩種常見的金屬（Pd和Au）與化學鐐工藝兼容， 可以使用浸沒或化學基工藝依次沉積在同一電鍍線中。

鍍銅基半導體

對于銅基半導體，鍍鐐和鍍金浴池與鋁基半導體相同。幾種酸基清潔步驟通常用于清除污染，并從I/O墊 片表面去除氧化銅。銅的活化步驟與層壓板電鍍行業(yè)使用的步驟相似，通常使用？？基催化劑。鍍銅半導 體的訣竅是選擇性地將銅I/O墊片進行鍍，而不會激活周圍的鈍化。

這些化學鍍工藝本質上成本低廉，除了翻轉芯片和WLCSP碰撞外，還可用于各種不同的應用，包括：

.聚合物翻轉芯片（1-5微米的鐐/Au+導電環(huán)氧化物）

.各向異性導電膠（10-25um高鐐/Au + ACF或ACA材料）

.用于線粘合的銅和鋁墊重鋪（2-5um的鐐/金、鐐/鉛或鐐/鉛/金）

.用于探頭測試的銅墊的墊重鋪（2-5烏姆鐐/金、鐐/鉛或鐐/鉛/金）

通過自動化學鍍線批量處理晶圓盒式磁帶，實現(xiàn)了高吞吐量，從而低成本。鍍鐐工藝具有高度選擇性，并 且只鍍在暴露的金屬表面（鋁或銅）上，這一事實轉化為這種UBM沉積技術的主要成本優(yōu)勢。與傳統(tǒng)的 UBM沉積技術相比，使用化學鐐具有以下優(yōu)勢：

H?定義可焊區(qū)域不需要處理步驟（如真空金屬沉積、光刻和掩模蝕刻）。

H?一個系統(tǒng)處理所有晶圓大小，無需更改（3”至12”）。

6 電鍍技術的資金投入相對較少。

H?降低運營成本（人工和間接費用）。

然而，集成電路上的化學鍍可能具有挑戰(zhàn)性，因為在創(chuàng)建電路時，材料和工藝存在特定于工廠的變化。鋁 （或銅）合金成分、墊片金屬下的子結構、鈍化材料和質量、墊片電勢和能量敏感性（輻射和接地效應） 都在鐐的電鍍率、均勻性和粘附性中發(fā)揮作用。

由于流程細節(jié)（行業(yè)固有的技巧）通常不被視為專利，開發(fā)人員將其流程視為專有流程。因此，化學鍍鐐 的細節(jié)并不容易獲得。

該過程的前三個步驟對于確定鍍層工藝的整體選擇性、鐐形態(tài)以及鐐與鋁（或銅）墊的粘附至關重要。一 般來說，產生細粒度、均勻、薄層催化劑（鋅或？？）的過程會產生最好的鍍鐐結構。特定的化學品和絕 對成分比對于生產這種理想的結構至關重要。除了選擇合適的電鍍化學品外，在制造環(huán)境中實施工藝時， 還必須考慮與化學品相關的可用性、產地、價格、毒理學、沐浴壽命、廢物處理/處置以及與化學品相關的 環(huán)境問題。