11.08%-Efficiency全無機CsPbBr3鈣鈦礦太陽能電池,超高電壓為1.702V


一、文章概述
軟鈣鈦礦晶格引起的晶格應變和晶格表面和晶界缺陷等晶體畸變,在很大程度上決定了電荷提取-轉移動力學和重組,導致鈣鈦礦太陽能電池(鈣鈦礦太陽能電池)的效率較低。在此,作者提出了一種策略,通過將無機二維Cl端Ti3C2(Ti3C2Clx)MXene加入CsPbBr3薄膜的體積和表面,來顯著降低表面晶格拉伸應變。由于Ti3C2Clx中的Cl原子與CsPbbr3晶格中欠協(xié)調(diào)的Pb2+之間的強相互作用,膨脹的鈣鈦礦晶格被壓縮并限制作為晶格“帶”,其中Pb-Cl鍵起“膠”的作用,2DTi3C2固定晶格。最后,在最好的全無機Cspbbr3PSC上,在高達1.702V的超高開路電壓下,冠軍效率達到11.08%,這是迄今為止這類鈣鈦礦太陽能電池的最高效率記錄。此外,未封裝的裝置在80%的相對濕度下,100天和85°C的性能幾乎沒有變化。
二、圖文導讀

圖1.a)使用Ti3AlC2MAX在氯化鎘熔融鹽中制備Ti3C2ClxMXene的示意圖。b)Ti3AlC2MAX和Ti3C2ClxMXene的XRD模式。c)Ti3c2ClxMXene的XPS光譜。d)體系結構和e)全無機PSC的橫截面掃描電鏡圖像。f)反向掃描下的控制和優(yōu)化設備的J-V曲線,g)穩(wěn)態(tài)功率輸出,h)鈣鈦礦太陽能電池的IPCE譜。i)原始鈣鈦礦太陽能電池和最優(yōu)鈣鈦礦太陽能電池的統(tǒng)計PCE分布。

圖2。PbBr2薄膜和CsPbBr3鈣鈦礦薄膜的a、c、b、d、Ti3C2Clx添加劑。e)CsPbBr3鈣鈦礦薄膜中Pb4f的XRD模式和XPS光譜。g)Ti3C2ClxMXene對CsPbBr3薄膜的全缺陷鈍化示意圖。

圖3。CsPbBr3鈣鈦礦薄膜的拉曼映射圖像a)不含和b)含Ti3C2ClxMXene,c)不同鈣鈦礦薄膜對應的拉曼峰分布統(tǒng)計數(shù)據(jù)。ti3c2Clx改性鈣鈦礦薄膜d)和e)的CsPbBr3(100)平面GIXRD圖。f)從GIXRD模式中得到的d-間距值作為入射角的函數(shù)。g)原始CsPbBr3粒中殘留應變示意圖,h)用Ti3C2ClxMXene增強的CsPbBr3粒中釋放應變示意圖。

圖4。在a)原始薄膜和b)含鈣鈦礦的ti3c2Clx薄膜中的光生成載流子轉移的示意圖。c)不同鈣鈦礦太陽能電池的TSPV曲線。d)KPFM圖像和e)鈣鈦礦薄膜相應的CPD分布。f)含和不含Ti3C2ClxMXenn的僅空穴器件的暗J-V曲線。g)含和不含ti3c2Clx的鈣鈦礦薄膜的TRPL曲線。h)暗J-V曲線,i)不同鈣鈦礦太陽能電池的Mott-肖特基曲線。

圖5。在a)25°C、80%RH和b)85°C、40%RH條件下,含和不含Ti3C2Clx的無封裝器件在空氣中的長期穩(wěn)定性。
三、全文總結
綜上所述,我們提出了一種新的缺陷鈍化和應變釋放策略,將以cl端的Ti3C2MXene加入鈣鈦礦薄膜的體積和表面,以實現(xiàn)穩(wěn)定高效的全無機CsPbBr3鈣鈦礦太陽能電池。由于鈣鈦礦晶格中Pb2+離子與Ti3C2ClxMXCene中終止Cl原子的界面形成,鈣鈦礦膜界面和晶界處的缺陷和膨脹晶格明顯愈合,發(fā)揮表面晶格“帶”的作用,其中Pb-Cl鍵代表“膠”,Ti3C2固定晶格。結果表明,最佳的全無機CsPbBr3PSC的效率高達11.08%,超高Voc為1.702V,是CsPbBr3太陽能電池最高的PCE和電壓記錄。此外,未封裝的太陽能電池在高濕度(80%RH)和高溫(85°C)條件下,分別在100天和30天內(nèi)具有良好的穩(wěn)定性。我們的研究結果為制備高質(zhì)量的無缺陷鈣鈦礦薄膜開辟了一條新的途徑,這不僅有利于制備高性能的鈣鈦礦太陽能電池,也有利于其他基于鈣鈦礦的光電器件。
文章鏈接:
https://doi.org/10.1002/advs.202101418
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