英特爾宣布，已開始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點。英特爾稱，Intel 4工藝將應(yīng)用于新一代產(chǎn)品，滿足AI推動下“芯經(jīng)濟”指數(shù)級增長的算力需求，這次的按時量產(chǎn)證明了其正以強大執(zhí)行力推進“四年五個制程節(jié)點”計劃。

英特爾CEO帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）表示：“我為英特爾團隊以及客戶、供應(yīng)商和合作伙伴感到驕傲，我們一起將Intel 4制程節(jié)點的大規(guī)模量產(chǎn)變?yōu)楝F(xiàn)實，在重獲制程領(lǐng)先性的道路上穩(wěn)步前進。”

在英特爾的“四年五個制程節(jié)點”的半導(dǎo)體工藝路線圖里，Intel 7和Intel 4已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)；Intel 3正在按計劃推進，目標是2023年底；Intel 20A和Intel 18A進展順利，目標是2024年，將采用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。此外，英特爾不久后將推出面向英特爾代工服務(wù)（IFS）客戶的Intel 18A制程設(shè)計套件（PDK）。

作為英特爾首個采用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)的制程節(jié)點，Intel 4可使用超短波長的光，改善良品率和面積微縮，從而實現(xiàn)高能效，還能應(yīng)用EMIB和Foveros封裝技術(shù)，相比之前的工藝，無論在性能、能效還是晶體管密度方面均實現(xiàn)了顯著提升。

根據(jù)英特爾之前的介紹，與Intel 7相比，Intel 4實現(xiàn)了兩倍的面積微縮，帶來了高性能邏輯庫，并引入了多個創(chuàng)新，包括引入EUV光刻技術(shù)，大幅簡化了互連架構(gòu)的制程工藝，同時還支持微縮，使得Intel 4中的掩碼減少了20%，工藝步驟減少了5%；針對高性能計算應(yīng)用進行了優(yōu)化，可支持低電壓（＜0.65V）和高電壓（高于1.1V）運行，相比Intel 7，Intel 4的ios功率性能提高了20%以上；另外高密度（金屬-絕緣體-金屬）電容器實現(xiàn)了卓越的供電性能。

本文轉(zhuǎn)載自：超能網(wǎng)

文章作者：呂嘉儉

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