書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：臭氧溶劑清洗半導(dǎo)體晶片的方法

編號：JFKJ-21-234

作者：炬豐科技

摘要 ?

? 一種通過濕工作臺法清洗硅片的方法，該方法可提高清洗效率，且不會產(chǎn)生氧化物。在該方法中，晶圓可以首先在包括堿或酸的第一清洗液中清洗，然后在包括去離子水和臭氧的第二溶液中清洗。去離子水中的臭氧濃度可在約1ppm至約20ppm之間，最好在約3ppm至約10ppm之間。在臭氧/DI水漂洗步驟之后，在最后的漂洗步驟和干燥步驟之前，可以使用稀釋的HF清洗步驟來去除硅表面上可能形成的任何氧化物。

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? ? ?發(fā)明背景 ?

? 在半導(dǎo)體器件的制造中，硅片的加工需要大量的去離子水。隨著晶圓尺寸的增大，去離子水的消耗增加。例如，加工200毫米的晶圓消耗至少是加工150毫米晶圓消耗的兩倍。

? 去污水最常用于槽和洗滌器，用于過程中硅片的頻繁清洗和漂洗。在對晶片進行任何工藝(如氧化沉積、氮化沉積、SOG沉積或任何其他沉積或蝕刻工藝)后，最好使用去離子水清洗晶片表面。去污水最常用于槽和洗滌器，用于過程中硅片的頻繁清洗和漂洗。在對晶片進行任何工藝(如氧化沉積、氮化沉積、SOG沉積或任何其他沉積或蝕刻工藝)后，最好使用去離子水清洗晶片表面。

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