接下來我們討論一下Igs電流。

由于下拉電阻R2比柵極驅(qū)動電阻R3大很多，所以，接下來分析時(shí)忽略掉下拉電阻，這個(gè)時(shí)候就要看電容了。剛開始充電的是時(shí)候，電容的電壓為0。所以，最開始的充電電流就是12V/100R=120mA，這就是Igs最開始的充電電流。

那么，如果GS電容的電充滿了，對于R2下拉電阻這條電路而言的電流就是12V/18K=0.67mA，是一個(gè)特別小的電流。通過分析，我們知道，Igs電流是和Vgs電壓是反過來的。

上面這張圖包含了MOSFET相關(guān)的一些波形關(guān)系，當(dāng)然也是理想的波形圖。另外，還有朋友在實(shí)測時(shí)，發(fā)現(xiàn)Vds電壓波形與Id的電流波形是不同相位的，電流滯后于電壓，這是由于電流探頭精度不高引起的。電流探頭上有一個(gè)頻率，如果是Hz級別的，肯定是不行的，測不準(zhǔn)的。電流能響應(yīng)的開關(guān)頻率要高才行，這樣的探頭要1萬元左右，而且是有源電流探頭，而價(jià)格低的電流探頭延時(shí)性就很大。

雖然當(dāng)米勒平臺區(qū)過了之后，Vgs的電壓會繼續(xù)升高，但是隨著Vgs的不斷升高，Rdson還是會有變化，只有達(dá)到一定的電壓了，Rdson才會達(dá)到數(shù)據(jù)手冊上所宣稱的阻值。實(shí)際上，根據(jù)大量的經(jīng)驗(yàn)，一般我們認(rèn)為當(dāng)Vgs兩端的電壓達(dá)到10V以上時(shí)，Rdson才會達(dá)到最小值，如果再給一個(gè)余量的話，建議Vgs驅(qū)動電壓差不多12V或15V，這也是因?yàn)檫@兩個(gè)電壓經(jīng)常在電路中用到。

我們通過分析知道，MOSFET的米勒平臺區(qū)域是最危險(xiǎn)的區(qū)域。那么在整個(gè)MOSFET一個(gè)周期內(nèi)，它的損耗有哪些呢？

t0-t1時(shí)刻，無損耗；

t1-t2時(shí)刻，有損耗，用平均電流Id/2*Vds；

t2-t3時(shí)刻，有損耗，用平均電壓*Id；

t3-飽和導(dǎo)通時(shí)刻，有損耗；

飽和導(dǎo)通之后，導(dǎo)通損耗，Rdson*Id^2。

那么關(guān)斷波形和開通是接近的，這里就不作分析了。

由于MOSFET在開通期間，既有電壓又有電流，則存在開通損耗；那么在關(guān)斷期間，也會有損耗，叫做關(guān)斷損耗。

總結(jié)一下，MOSFET的四大損耗：開通損耗、關(guān)斷損耗、導(dǎo)通損耗、續(xù)流損耗

由于Vbus電壓和負(fù)載電流不能改變，所以開關(guān)損耗由米勒平臺的時(shí)間決定的。要想降低開關(guān)損耗，就要縮短米勒平臺的時(shí)間，減小柵極電阻的阻值，增大柵極驅(qū)動電流；提高柵極驅(qū)動電壓；還有就是選擇米勒電容的大小，也就是快管或慢管。